【技术实现步骤摘要】
补偿电路及其补偿方法、像素电路以及显示装置
本专利技术属于显示
,尤其涉及一种补偿电路及其补偿方法、像素电路以及显示装置。
技术介绍
主动矩阵有机发光二极体(Active-matrixorganiclightemittingdiode,缩写为AMOLED)显示设备是一种自发光显示设备。与传统液晶显示器相比,AMOLED显示设备具有更宽的视角、更高的刷新率和更薄的尺寸,AMOLED技术逐渐成为下一代显示技术。AMOLED显示设备中,其显示基板中的像素电路可包括多个子像素结构(比如2T1C、4T2C等)。然而,在实际产品中,显示基板中各薄膜晶体管结构(ThinFilmTransistor,TFT)的阈值电压存在差异,且在产品使用一段时间后TFT的阈值电压会出现漂移等现象,而且由于受电源线上IR降的影响,显示设备的基板上不同位置处各子像素电路中所输入的电压不同,这些都会对AMOLED显示设备造成不利影响,比如导致显示设备的显示效果不均一等。
技术实现思路
本专利技术提供补偿电路及其补偿方法、像素电路以及显 ...
【技术保护点】
1.一种补偿电路,其特征在于,包括电荷存储模块(8)、驱动模块(7)、第一开关模块(1)、第二开关模块(2)、第三开关模块(3)、第四开关模块(4)、第五开关模块(5)以及第六开关模块(6);/n所述电荷存储模块(8)的第一端、第二端分别与第一节点(N1)、第二节点(N2)电连接;/n所述驱动模块(7)的第一端、第二端、第三端分别与第二节点(N2)、第三节点(N3)、第四节点(N4)电连接;/n所述第一开关模块(1)的第一端用于与第一开关控制信号端(S1)电连接,所述第一开关模块(1)的第二端、第三端分别与第二节点(N2)、第四节点(N4)电连接;/n所述第二开关模块(2) ...
【技术特征摘要】
1.一种补偿电路,其特征在于,包括电荷存储模块(8)、驱动模块(7)、第一开关模块(1)、第二开关模块(2)、第三开关模块(3)、第四开关模块(4)、第五开关模块(5)以及第六开关模块(6);
所述电荷存储模块(8)的第一端、第二端分别与第一节点(N1)、第二节点(N2)电连接;
所述驱动模块(7)的第一端、第二端、第三端分别与第二节点(N2)、第三节点(N3)、第四节点(N4)电连接;
所述第一开关模块(1)的第一端用于与第一开关控制信号端(S1)电连接,所述第一开关模块(1)的第二端、第三端分别与第二节点(N2)、第四节点(N4)电连接;
所述第二开关模块(2)的第一端、第二端分别用于与第二开关控制信号端(S3)、数据信号端(VData)电连接,所述第二开关模块(2)的第三端与第三节点(N3)电连接;
所述第三开关模块(3)的第一端、第二端分别用于与第一开关控制信号端(S1)、初始信号端(Vr)电连接,所述第三开关模块(3)的第三端与第一节点(N1)电连接;
所述第四开关模块(4)的第一端、第二端分别用于与第四开关控制信号端(S4)、第一电压端(VDD)电连接,所述第四开关模块(4)的第三端与第一节点电连接;
所述第五开关模块(5)的第一端、第二端分别用于与第三开关控制信号端(S2)、第一电压端(VDD)电连接,所述第五开关(5)的第三端与第三节点(N3)电连接;
所述第六开关模块(6)的第一端用于与第三开关控制信号端(S2)电连接,所述第六开关模块(6)的第二端与第四节点电连接,所述第六开关模块(6)的第三端与工作端电连接。
2.如权利要求1所述的补偿电路,其特征在于,所述电荷存储模块(8)包括电容(Cst);
所述电容(Cst)的第一极、第二极,分别作为所述电荷存储模块(8)的第一端和第二端。
3.如权利要求1所述的补偿电路,其特征在于,所述驱动模块(7)包括第七晶体管(TD);
所述第七晶体管(TD)的控制极、第一极、第二极,分别作为所述驱动模块(7)的第一端、第二端、第三端。
4.如权利要求1所述的补偿电路,其特征在于,所述第一开关模块(1)包括第一晶体管(T1),所述第一晶体管(T1)的控制极、第一极、第二极,分别作为所述第一开关模块(1)的第一端、第二端、第三端;
所述第二开关模块(2)包括第二晶体管(T2),所述第二晶体管(T2)的控制极、第一极、第二极,分别作为所述第二开关模块(2)的第一端、第二端、第三端;
所述第三开关模块(3)包括第三晶体管(T3),所述第三晶体管(T3)的控制极、第一极、第二极,分别作为所述第三开关模块(3)的第一端、第二端、第三端;
所述第四开关模块(4)包括第四晶体管(T4),所述第四晶体管(T4)的控制极、第一极、第二极,分别作为所述第四开关模块(4)的第一端、第二端、第三端;
所述第五开关模块(5)包括第五晶体管(Ts),所述第五晶体管(Ts)的控制极、第一极、第二极,分别作为所述第五开关模块(5)的第一端、第二端、第...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭怡彤,王志良,孙拓,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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