基于高度场的纹理模拟方法技术

本发明专利技术公开了基于高度场的纹理模拟方法，包括以下步骤：步骤S4，标定粒子堆积；步骤S5，标定粒子塌陷；其中，具体包括以下步骤：S401，确定接触区域被清空的粒子数量；S402，正态分布表示截面处堆积的粒子增加的高度和；S403，选用数值正态分布函数来确定粒子对应位置粒子的堆积高度；S501，确定粒子塌陷；S502，减少相邻高度差来获取粒子塌陷。本发明专利技术通过基于高度场的纹理模拟方法，在实时图形中进行实时渲染生成，加快图形渲染速度，不仅可以缩短计算时间，在进行生成纹理的过程中，可以减少大量矢量粒子的计算，同时相比与二维的矢量场和线性场技术，增加了三维空间的叠加状态，增强了纹理的真实感，增添了纹理的应用效果，观察起来更接近真实效果。

【技术实现步骤摘要】
基于高度场的纹理模拟方法
本专利技术涉及纹理模拟
，具体来说，涉及基于高度场的纹理模拟方法。
技术介绍
纹理模拟是计算机图形学的重要组成成分，在进行图形学绘制的过程中，使用好的纹理模拟算法可以增强绘制的真实性，增强计算机图形的现实可感。目前行业普遍使用有限元算法对材质进行生成，这种方法存在的问题是计算速度较慢，大量的粒子点没法在短时间进行生成，效率低下且不能进行实时展示，渲染时间较长。针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
针对相关技术中的问题，本专利技术提出基于高度场的纹理模拟方法，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。本专利技术的技术方案是这样实现的：基于高度场的纹理模拟方法，包括以下步骤：步骤S4，标定粒子堆积；步骤S5，标定粒子塌陷；其中，具体包括以下步骤：S401，确定接触区域被清空的粒子数量；S402，正态分布表示截面处堆积的粒子增加的高度和；S403，选用数值正态分布函数来确定粒子对应位置粒子的堆积本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于高度场的纹理模拟方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S4，标定粒子堆积；/n步骤S5，标定粒子塌陷；/n其中，具体包括以下步骤：/nS401，确定接触区域被清空的粒子数量；/nS402，正态分布表示截面处堆积的粒子增加的高度和；/nS403，选用数值正态分布函数来确定粒子对应位置粒子的堆积高度；/nS501，确定粒子塌陷；/nS502，减少相邻高度差来获取粒子塌陷。/n

【技术特征摘要】
1.基于高度场的纹理模拟方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S4，标定粒子堆积；
步骤S5，标定粒子塌陷；
其中，具体包括以下步骤：
S401，确定接触区域被清空的粒子数量；
S402，正态分布表示截面处堆积的粒子增加的高度和；
S403，选用数值正态分布函数来确定粒子对应位置粒子的堆积高度；
S501，确定粒子塌陷；
S502，减少相邻高度差来获取粒子塌陷。


2.根据权利要求1所述的基于高度场的纹理模拟方法，其特征在于，还包括以下步骤：
步骤S1，定义材质生成大小颜色类型；
步骤S2，采用三维柱状图来描述粒子堆积的高度；
步骤S3，采用方向场描述粒子运动轨迹。


3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨猛，胡梦洁，李卓远，雷蕾，苏琪，徐嘉佑，黄欣竹，
申请(专利权)人：北京林业大学，
类型：发明
国别省市：北京;11