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本发明公开了基于高度场的纹理模拟方法，包括以下步骤：步骤S4，标定粒子堆积；步骤S5，标定粒子塌陷；其中，具体包括以下步骤：S401，确定接触区域被清空的粒子数量；S402，正态分布表示截面处堆积的粒子增加的高度和；S403，选用数值正态分...
该专利属于北京林业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京林业大学授权不得商用。

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