减少声能横向传播的微加工的超声换能器和方法技术

一种减少或者消除声能横向传播的微加工的超声换能器（ＭＵＴ）基片，其包括形成在基片上并邻近ＭＵＴ元件孔，该孔通常称作通孔。ＭＵＴ基片中的通孔减少或者消除横向移动的声能在ＭＵＴ基片中的传播。通孔可掺有杂质，以便在ＭＵＴ元件和存在于集成电路基片表面上的电路之间提供电连接，ＭＵＴ基片装接在该集成电路基片上。用以在ＭＵＴ元件和存在于集成电路基片表面上的电路之间提供电连接，ＭＵＴ基片装接在集成电路基片的上面。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种超声换能器，其包括：　　　　多个形成在第一基片上的微加工的超声换能器元件，该第一基片包括第一表面和第二表面；和　　　　多个与每一个该微加工的超声换能器元件相关的通孔，其中该通孔减少在该第一基片中横向移动的声能的传播。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：DG米勒，
申请(专利权)人：皇家菲利浦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]