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一种减少或者消除声能横向传播的微加工的超声换能器（ＭＵＴ）基片，其包括形成在基片上并邻近ＭＵＴ元件孔，该孔通常称作通孔。ＭＵＴ基片中的通孔减少或者消除横向移动的声能在ＭＵＴ基片中的传播。通孔可掺有杂质，以便在ＭＵＴ元件和存在于集成电路基片表...
该专利属于皇家菲利浦电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过皇家菲利浦电子有限公司授权不得商用。

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