基于光谱型椭偏仪的线宽标准样片量值确定方法技术

本发明专利技术提供了一种基于光谱型椭偏仪的线宽标准样片量值确定方法，属于微纳米测量仪器计量技术领域，包括选取系列量值的纳米级线宽标准样片对光谱型椭偏仪进行校准，实现椭偏仪入射角、光源波长及椭圆偏振角的修正，确保光谱型椭偏仪的量值准确可靠；采用陪片法建立基于多层膜沉积工艺的椭圆偏振测量模型；使用修正后的光谱型椭偏仪对多层膜沉积工艺沉积的薄膜厚度进行测量并给出测量结果及测量不确定度。本发明专利技术提供的基于光谱型椭偏仪的线宽标准样片量值确定方法，是基于多层膜沉积技术制备的线宽标准样片，在介质薄膜沉积工艺过程中，采用光谱型椭偏仪测量薄膜的厚量值，作为最终线宽标准样片的线宽量值，实现线宽量值的准确测量和确定。

【技术实现步骤摘要】
基于光谱型椭偏仪的线宽标准样片量值确定方法
本专利技术属于微纳米测量仪器计量
，更具体地说，是涉及一种基于光谱型椭偏仪的线宽标准样片量值确定方法。
技术介绍
线宽标准样片广泛应用于半导体和微电子领域中扫描电子显微镜、透射电子显微镜等微纳米测量仪器的校准，线宽标准样片量值的准确与否直接影响测量仪器校准结果的可靠性。线宽标准样片的定值通常采用电镜法和原子力显微镜法，当线宽量值达到纳米量级后，电镜法给出的线宽量值的测量不确定度较大，通常为3nm左右；而原子力显微镜由于存在探针效应，无法实现纳米量级线宽量值的测量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基于光谱型椭偏仪的线宽标准样片量值确定方法，旨在解决现有的测量仪器对纳米级线宽测量不准确的问题。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：提供一种基于光谱型椭偏仪的线宽标准样片量值确定方法，包括以下步骤：选取系列量值的纳米级线宽标准样片对光谱型椭偏仪进行校准，实现椭偏仪入射角、光源波长及椭圆偏振角的修正，确保光谱型椭偏仪的量值准确可靠；采用陪片法建本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于光谱型椭偏仪的线宽标准样片量值确定方法，其特征在于，包括以下步骤：/n选取系列量值的纳米级线宽标准样片对光谱型椭偏仪进行校准，实现椭偏仪入射角、光源波长及椭圆偏振角的修正，确保光谱型椭偏仪的量值准确可靠；/n采用陪片法建立基于多层膜沉积工艺的椭圆偏振测量模型；/n使用修正后的所述光谱型椭偏仪对多层膜沉积工艺沉积的薄膜厚度进行测量并给出测量结果及测量不确定度。/n

【技术特征摘要】
1.基于光谱型椭偏仪的线宽标准样片量值确定方法，其特征在于，包括以下步骤：
选取系列量值的纳米级线宽标准样片对光谱型椭偏仪进行校准，实现椭偏仪入射角、光源波长及椭圆偏振角的修正，确保光谱型椭偏仪的量值准确可靠；
采用陪片法建立基于多层膜沉积工艺的椭圆偏振测量模型；
使用修正后的所述光谱型椭偏仪对多层膜沉积工艺沉积的薄膜厚度进行测量并给出测量结果及测量不确定度。


2.如权利要求1所述的基于光谱型椭偏仪的线宽标准样片量值确定方法，其特征在于，所述采用陪片法建立基于多层膜沉积工艺的椭圆偏振测量模型，具体包括：
准备多片硅晶圆片，分别作为标准样片、第一陪片和第二陪片，采用磁控溅射工艺，在所述标准样片和所述第一陪片上同时生长用于刻蚀的刻蚀介质膜层，使用所述光谱型椭偏仪测量所述第一陪片上的所述刻蚀介质膜层的厚度和色散参数，并保存测得的参数；
采用磁控溅射工艺，在所述标准样片和所述第二陪片上同时生长用作标准线宽的线宽介质膜层，使用所述椭偏仪测量所述第二陪片上的线宽介质膜层的厚度和色散参数，并保存测得的参数；
使用测量得到的所述刻蚀介质膜层和所述线宽介质膜层的参数，建立多层膜厚样片测量模型，并进行保存。


3.如权利要求2所述的基于光谱型椭偏仪的线宽标准样片量值确定方法，其特征在于，所述标准样片上依次沉积刻蚀介质膜层、线宽介质膜层和刻蚀介质膜层，然后键合或胶合硅晶圆片；再划片、刻蚀，制成线宽标准样片。


4.如权利要求2所述的基于光谱型椭偏仪的线宽标准样片量值确定方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩志国，李锁印，梁法国，冯亚南，张晓东，赵琳，许晓青，吴爱华，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13