本发明专利技术属于晶圆半导体技术领域，尤其是一种再生晶圆半导体加工装置，针对现有技术中对晶圆表现的抛光效果差的问题，现提出以下方案，包括底座，所述底座的顶部固定有放置座，所述底座顶部的一端固定有升降架，且升降架靠近放置座的一端连接有顶板，所述顶板的底部固定有竖直放置的驱动电机，且驱动电机的输出轴固定有水平放置的抛光座，抛光座的底部固定有抛光布，所述抛光座的底部开设有多个滑槽，且滑槽的顶部内壁固定有气缸。本发明专利技术中，利用气缸下降抵块将抛光布的局部位置下压，而使抛光座底部在同一水平面进行转动抛光时，下降抵块所处的弧面下压深度和抛光力度更大，从而提高实际对晶圆表面的抛光效果。
【技术实现步骤摘要】
一种再生晶圆半导体加工装置
本专利技术涉及晶圆半导体
，尤其涉及一种再生晶圆半导体加工装置。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品，晶圆是由硅晶棒经过切段、滚磨、切片、倒角、抛光、激光刻后制作而成。再生晶圆半导体加工的过程中，常将晶圆基体放置在圆盘座上，利用顶部的抛光机构对晶圆的表面进行抛光作业，一般在转盘底部固定有抛光垫，利用抛光垫与晶圆顶部接触进行抛光作业，但是实际晶圆表面的“纳米形貌”起伏，往往需要在晶圆表面的不同区域以不同下压力度进行抛光，而现有技术中仅利用平面的抛光垫，使得实际对晶圆表面的抛光效果差。
技术实现思路
基于现有技术中对晶圆表现的抛光效果差的技术问题，本专利技术提出了一种再生晶圆半导体加工装置。本专利技术提出的一种再生晶圆半导体加工装置，包括底座，所述底座的顶部固定有放置座，所述底座顶部的一端固定有升降架，且升降架靠近放置座的一端连接有顶板，所述顶板的底部固定有竖直放置的驱动电机，且驱动电机的输出轴固定有水平放置的抛光座，抛光座的底部固定有抛光布，所述抛光座的底部开设有多个滑槽，且滑槽的顶部内壁固定有气缸，气缸的底端固定有圆柱状结构的抵块，抵块的底端与抛光布之间接触，多个抵块与抛光座底部圆心之间的距离依次增加。优选地，相邻两个所述抵块与抛光座底部圆心之间的距离差小于抵块的半径，且相邻两个抵块与抛光座底部圆心之间的距离相同。优选地，所述放置座的顶部开设有截面为圆形的放置槽，且放置槽底部的中间位置开设有卡放槽，卡放槽的底部开设有穿槽，底座顶部与穿槽对应的位置固定有电动推杆，电动推杆的顶端固定有与卡放槽相适配的吸盘。优选地，所述放置槽的底部内壁固定有环状结构的橡胶垫，且橡胶垫的顶部开设有多个辅助槽。优选地，所述辅助槽沿着以抛光座圆心的弧线两侧设置成倾斜面，且辅助槽的截面设置成V型结构。优选地，所述顶板底部外壁的两侧均固定有连接件，且连接件的底端与抛光座的顶部滑动连接。优选地，所述连接件的底端固定有限位块，且抛光座顶部与限位块对应的位置开设有环状结构的连接槽，连接槽的底部开设有环状结构的限位槽，限位块的外壁与限位槽的内壁滑动连接，连接件的外壁与连接槽的内壁滑动连接，限位块的宽度大于连接槽的宽度。优选地，所述放置座顶部的两侧均固定有撑杆，且抛光座底部的外圈设置有环状结构的凹陷槽。优选地，所述撑杆的顶端转动连接有滚珠，且凹陷槽的顶部内壁开设有环状结构的定位槽，滚珠的外壁与定位槽的内壁滚动连接。与现有技术相比，本专利技术提供了一种再生晶圆半导体加工装置，具备以下有益效果：1、该一种再生晶圆半导体加工装置，通过设置有对应位置的放置座和抛光座，利用抛光座底部的抛光布对放置座内的晶圆进行抛光作业，并且装置在抛光座的底部设置有多个截面为圆形的抵块，多个抵块与抛光座底部圆形的距离依次增加，可利用气缸下降抵块将抛光布的局部位置下压，而使抛光座底部在同一水平面进行转动抛光时，抵块所处的弧面下压深度和抛光力度更大，从而可根据晶圆表面的实际起伏情况进行调整，而提高实际对晶圆表面的抛光效果，且相邻两个抵块与抛光座圆心之间的距离差小于抵块的半径，而可保证多个抵块分布的区域布满晶圆表面。2、该一种再生晶圆半导体加工装置，装置利用放置槽底部中间位置的吸盘将晶圆吸附固定，并且装置在放置槽的底部固定有环状结构的橡胶垫，且橡胶垫的顶部开设有多个辅助槽，辅助槽沿着弧线的两侧内壁均设置成倾斜面，使辅助槽的截面构成V型结构，从而可增加晶圆底部与放置座之间的摩擦力而提高晶圆的稳定性，避免晶圆随着抛光布发生旋转而影响实际抛光效果。3、该一种再生晶圆半导体加工装置，装置放置座顶部的两侧设置有撑杆，利用撑杆对抛光座进行限位，并且装置在撑杆的顶端转动连接有滚珠，使滚珠的外壁在抛光座底部环形结构的定位槽内滚动连接，在保证抛光座稳定性的同时减小摩擦力，降低驱动电机的负载。附图说明图1为本专利技术提出的一种再生晶圆半导体加工装置的整体结构示意图；图2为本专利技术提出的一种再生晶圆半导体加工装置的剖视结构示意图；图3为本专利技术提出的一种再生晶圆半导体加工装置的抵块分布结构示意图；图4为本专利技术提出的一种再生晶圆半导体加工装置的橡胶垫结构示意图；图5为本专利技术提出的一种再生晶圆半导体加工装置的撑杆结构示意图。图中：1底座、2放置座、3吸盘、4顶板、5驱动电机、6抛光座、7抛光布、8抵块、9气缸、10连接件、11限位块、12连接槽、13电动推杆、14橡胶垫、15辅助槽、16撑杆、17滚珠。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。实施例1参照图1-4，一种再生晶圆半导体加工装置，包括底座1，底座1的顶部固定有放置座2，底座1顶部的一端固定有升降架，且升降架靠近放置座2的一端连接有顶板4，顶板4的底部固定有竖直放置的驱动电机5，且驱动电机5的输出轴固定有水平放置的抛光座6，抛光座6的底部固定有抛光布7，抛光座6的底部开设有多个滑槽，且滑槽的顶部内壁固定有气缸9，气缸9的底端固定有圆柱状结构的抵块8，抵块8的底端与抛光布7之间接触，多个抵块8与抛光座6底部圆心之间的距离依次增加。本专利技术中，相邻两个抵块8与抛光座6底部圆心之间的距离差小于抵块8的半径，且相邻两个抵块8与抛光座6底部圆心之间的距离相同；放置座2的顶部开设有截面为圆形的放置槽，且放置槽底部的中间位置开设有卡放槽，卡放槽的底部开设有穿槽，底座1顶部与穿槽对应的位置固定有电动推杆13，电动推杆13的顶端固定有与卡放槽相适配的吸盘3，放置槽的底部内壁固定有环状结构的橡胶垫14，且橡胶垫14的顶部开设有多个辅助槽15，辅助槽15沿着以抛光座6圆心的弧线两侧设置成倾斜面，且辅助槽15的截面设置成V型结构；顶板4底部外壁的两侧均固定有连接件10，且连接件10的底端与抛光座6的顶部滑动连接，连接件10的底端固定有限位块11，且抛光座6顶部与限位块11对应的位置开设有环状结构的连接槽，连接槽的底部开设有环状结构的限位槽，限位块11的外壁与限位槽的内壁滑动连接，连接件10的外壁与连接槽的内壁滑动连接，限位块11的宽度大于连接槽的宽度，放置座2顶部的两侧均固定有撑杆16，且抛光座6底部的外圈设置有环状结构的凹陷槽。使用时，利用抛光座6底部的抛光布7对放置座2内的晶圆进行抛光作业本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种再生晶圆半导体加工装置，包括底座（1），所述底座（1）的顶部固定有放置座（2），所述底座（1）顶部的一端固定有升降架，且升降架靠近放置座（2）的一端连接有顶板（4），所述顶板（4）的底部固定有竖直放置的驱动电机（5），且驱动电机（5）的输出轴固定有水平放置的抛光座（6），抛光座（6）的底部固定有抛光布（7），其特征在于，所述抛光座（6）的底部开设有多个滑槽，且滑槽的顶部内壁固定有气缸（9），气缸（9）的底端固定有圆柱状结构的抵块（8），抵块（8）的底端与抛光布（7）之间接触，多个抵块（8）与抛光座（6）底部圆心之间的距离依次增加。/n
【技术特征摘要】
1.一种再生晶圆半导体加工装置，包括底座（1），所述底座（1）的顶部固定有放置座（2），所述底座（1）顶部的一端固定有升降架，且升降架靠近放置座（2）的一端连接有顶板（4），所述顶板（4）的底部固定有竖直放置的驱动电机（5），且驱动电机（5）的输出轴固定有水平放置的抛光座（6），抛光座（6）的底部固定有抛光布（7），其特征在于，所述抛光座（6）的底部开设有多个滑槽，且滑槽的顶部内壁固定有气缸（9），气缸（9）的底端固定有圆柱状结构的抵块（8），抵块（8）的底端与抛光布（7）之间接触，多个抵块（8）与抛光座（6）底部圆心之间的距离依次增加。
2.根据权利要求1所述的一种再生晶圆半导体加工装置，其特征在于，相邻两个所述抵块（8）与抛光座（6）底部圆心之间的距离差小于抵块（8）的半径，且相邻两个抵块（8）与抛光座（6）底部圆心之间的距离相同。
3.根据权利要求1或2所述的一种再生晶圆半导体加工装置，其特征在于，所述放置座（2）的顶部开设有截面为圆形的放置槽，且放置槽底部的中间位置开设有卡放槽，卡放槽的底部开设有穿槽，底座（1）顶部与穿槽对应的位置固定有电动推杆（13），电动推杆（13）的顶端固定有与卡放槽相适配的吸盘（3）。
4.根据权利要求3所述的一种再生晶圆半导体加工装置，其特征在于，所述放置槽的底部内壁固定有环状结构的橡胶垫（...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾骏，
申请(专利权)人：顾骏，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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