一种防止曝光不足的过孔结构及电路产品制造技术

本实用新型专利技术公开了一种防止曝光不足的过孔结构，包括下层透明电极、设于所述下层透明电极上的第一透明绝缘层和设于所述第一透明绝缘层上的上层电极，所述第一透明绝缘层开设有至少一过孔，所述上层电极从所述第一透明绝缘层的过孔处与所述下层透明电极搭接导通；所述下层透明电极对应于所述过孔处的下方设有光反射层。该过孔结构可防止曝光时出现曝光不足的情况，提高产品良率。本实用新型专利技术还公开了一种电路产品。

【技术实现步骤摘要】
一种防止曝光不足的过孔结构及电路产品
本技术涉及过孔曝光技术，尤其涉及一种防止曝光不足的过孔结构及电路产品产品。
技术介绍
在光电显示以及半导体
中，产品由于电路复杂，常常需要使用上下层电路甚至多层电路进行走线，相邻层电路之间通过绝缘层隔开以避免短路，但是各层电路之间又需要在特定位置进行搭接导通以形成整体电路，因此便会在绝缘层上开设过孔，上层电路通过绝缘层上的过孔与下层电路搭接导通。目前，一般通过对绝缘层上的特定位置进行光掩模刻蚀的方式来开设过孔，因工艺能力和设备精度等原因，过孔的实际值与设计值之间往往存在较大偏差，甚至由于曝光量的不足，过孔无法形成，导致产品的不良。
技术实现思路
为了解决上述现有技术的不足，本技术提供一种过孔结构，可防止曝光时出现曝光不足的情况，提高产品良率。本技术还提供一种电路产品。本技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：一种防止曝光不足的过孔结构，包括下层透明电极、设于所述下层透明电极上的第一透明绝缘层和设于所述第一透明绝缘层上的上层电极，所述第一透明绝缘层开设有至少一过孔，所述上层电极从所述第一透明绝缘层的过孔处与所述下层透明电极搭接导通；所述下层透明电极对应于所述过孔处的下方设有光反射层。进一步地，所述光反射层为绝缘反射层或金属反射层。进一步地，所述金属反射层采用铝、钛或钼金属或含有该金属的金属氧化物或合金制作。进一步地，所述下层透明电极采用ITO材料制作。进一步地，所述上层电极为透明电极或金属电极。<br>进一步地，所述第一透明绝缘层为氮氧化合物。进一步地，所述下层透明电极和光反射层之间设有第二透明绝缘层。进一步地，所述第二透明绝缘层为氮氧化合物。一种电路产品，包括上述的过孔结构。进一步地，该电路产品为触摸屏、显示屏、电路板或半导体芯片。本技术具有如下有益效果：该过孔结构通过所述下层透明电极对应于所述过孔处的下方增设光反射层，在对所述第一透明绝缘层进行以刻蚀出所述过孔前的曝光步骤中，所述光反射层能够将透射过来的曝光光线反射回去，相当于二次曝光，增加了曝光处的光积量，可改善曝光不足的情况。附图说明图1为本技术提供的过孔结构的示意图；图2为本技术提供的过孔曝光的示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术进行详细的说明。实施例一如图1所示，一种防止曝光不足的过孔结构，包括下层透明电极3、设于所述下层透明电极3上的第一透明绝缘层4和设于所述第一透明绝缘层4上的上层电极5，所述第一透明绝缘层4开设有至少一过孔41，所述上层电极5从所述第一透明绝缘层4的过孔41处与所述下层透明电极3搭接导通；所述下层透明电极3对应于所述过孔41处的下方设有光反射层6。该过孔结构通过所述下层透明电极3对应于所述过孔41处的下方增设光反射层6，在对所述第一透明绝缘层4进行刻蚀前的曝光步骤中，所述光反射层6能够将透射过来的曝光光线反射回去，相当于二次曝光，增加了曝光处的光积量，可改善曝光不足的情况。所述光反射层6可以为绝缘反射层，比如采用高分子反光材料制作，也可以为金属反射层，比如采用铝、钛或钼等金属或含有该金属的金属氧化物或合金制作；若所述光反射层6为金属反射层，则所述下层透明电极3和光反射层6之间设有第二透明绝缘层2，以将所述下层透明电极3和光反射层6相隔开。该过孔结构还包括一衬底基板1，所述光反射层6、第二透明绝缘层2、下层透明电极3、第一透明绝缘层4和上层电极5依次制作于所述衬底基板1上。所述下层透明电极3采用ITO材料制作；所述上层电极5为透明电极或金属电极，若为透明电极，则优选采用ITO材料制作，若为金属电极，则优选采用铝、钛或钼等金属或含有该金属的金属氧化物或合金制作。所述第一透明绝缘层4和/或第二透明绝缘层2可以但不限于采用氮氧化合物制作，比如氮氧化硅。如图2所示，该过孔结构在制作时，先在所述衬底基板1上依次制作所述光反射层6、第二透明绝缘层2、下层透明电极3和第一透明绝缘层4，然后在所述第一透明绝缘层4上再涂覆一层光刻胶7，将曝光光线透过掩膜板8照射在所述光刻胶7上，以对所述光刻胶7的局部区域（过孔41处）进行曝光，部分透过所述光刻胶7的曝光光线会被所述光反射层6反射回所述光刻胶7上，增加所述光刻胶7在曝光区域的光积量，改善所述光刻胶7曝光不足的问题；完成曝光后就可以对所述光刻胶7进行显影以去除被曝光部分，然后透过所述光刻胶7对所述第一透明绝缘层4进行刻蚀以制作出所述过孔41；刻蚀出所述过孔41后，再对剩余的光刻胶7进行剥离，以在所述第一透明绝缘层4上制作所述上层电极5。实施例二一种电路产品，包括实施例一所述的过孔结构。其中，该电路产品可以但不限于为触摸屏、显示屏、电路板或半导体芯片等产品。以上所述实施例仅表达了本技术的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防止曝光不足的过孔结构，包括下层透明电极、设于所述下层透明电极上的第一透明绝缘层和设于所述第一透明绝缘层上的上层电极，所述第一透明绝缘层开设有至少一过孔，所述上层电极从所述第一透明绝缘层的过孔处与所述下层透明电极搭接导通；其特征在于，所述下层透明电极对应于所述过孔处的下方设有光反射层。/n

【技术特征摘要】
1.一种防止曝光不足的过孔结构，包括下层透明电极、设于所述下层透明电极上的第一透明绝缘层和设于所述第一透明绝缘层上的上层电极，所述第一透明绝缘层开设有至少一过孔，所述上层电极从所述第一透明绝缘层的过孔处与所述下层透明电极搭接导通；其特征在于，所述下层透明电极对应于所述过孔处的下方设有光反射层。


2.根据权利要求1所述的防止曝光不足的过孔结构，其特征在于，所述光反射层为绝缘反射层或金属反射层。


3.根据权利要求1所述的防止曝光不足的过孔结构，其特征在于，所述下层透明电极采用ITO材料制作。


4.根据权利要求1所述的防止曝光不足的过孔结构，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳发霖，张东琪，张泽鹏，马亮，
申请(专利权)人：信利仁寿高端显示科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51