一种多晶硅还原炉及其进气喷嘴制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多晶硅还原炉及其进气喷嘴，具有直筒型喷腔，还具有螺旋型喷腔，一部分气体通过直筒型喷腔沿着直线轨迹喷入到炉筒内，一部分气体通过螺旋型喷腔沿着螺旋轨迹喷入到炉筒内。从直筒型喷腔中喷出的气体直线进入到炉筒的上部。从螺旋型喷腔中喷出的气体会螺旋上升，气体既有轴向的位移，也有径向的位移，即从螺旋喷腔喷出的气体会边向上移动边向径向上扩散，从而避免了炉筒下部气体浓度较低，确保了硅棒下部稳定地生长。另外，本实用新型专利技术将进气喷嘴的材质优选为氮化硅，氮化硅材质的进气喷嘴具有优良的耐磨性，因此不会被气体冲刷变形，从而规避了部分气体偏流而影响硅棒的生长。本实用新型专利技术还公开了一种多晶硅还原炉。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅还原炉及其进气喷嘴
本技术涉及多晶硅生产领域，更具体地说，涉及一种多晶硅还原炉及其进气喷嘴。
技术介绍
多晶硅还原炉包括底盘、炉筒以及进气喷嘴。炉筒罩设在底盘上，进气喷嘴设置在底盘上。底盘上布置有多根硅棒。在现有技术中，进气喷嘴的喷腔为直筒型，且喷腔的开口朝上。气体通过喷嘴的喷腔向上喷入到炉筒内。但是，由于喷出的气体的速度较高，大部分的气体都是进入炉筒的上部，炉筒下部的气体浓度较低，从而造成硅棒下部生长不稳定。因此，如何避免炉筒下部的气体浓度较低，从而确保硅棒的下部稳定生长，是本领域技术人员亟待解决的关键性问题。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种进气喷嘴，该进气喷嘴能够避免炉筒下部的气体浓度较低，从而确保硅棒的下部稳定生长。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种进气喷嘴，具有直筒型喷腔，还具有螺旋型喷腔，一部分气体通过所述直筒型喷腔沿着直线轨迹喷入到炉筒内，一部分气体通过所述螺旋型喷腔沿着螺旋轨迹喷入到炉筒内。优选地，所述螺旋型喷腔为多个。优选地，多个所述螺旋型喷腔围绕所述直筒本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种进气喷嘴，具有直筒型喷腔，其特征在于，还具有螺旋型喷腔，一部分气体通过所述直筒型喷腔沿着直线轨迹喷入到炉筒内，一部分气体通过所述螺旋型喷腔沿着螺旋轨迹喷入到炉筒内。/n

【技术特征摘要】
1.一种进气喷嘴，具有直筒型喷腔，其特征在于，还具有螺旋型喷腔，一部分气体通过所述直筒型喷腔沿着直线轨迹喷入到炉筒内，一部分气体通过所述螺旋型喷腔沿着螺旋轨迹喷入到炉筒内。


2.根据权利要求1所述的进气喷嘴，其特征在于，所述螺旋型喷腔为多个。


3.根据权利要求2所述的进气喷嘴，其特征在于，多个所述螺旋型喷腔围绕所述直筒型喷腔设置。


4.根据权利要求3所述的进气喷嘴，其特征在于，所述螺旋型喷腔为四个。...

【专利技术属性】
技术研发人员：余涛，周维维，杨鹏程，代晓涛，
申请(专利权)人：四川永祥多晶硅有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51