振荡器和成像设备制造技术

公开了振荡器和成像设备。一种振荡器，包括：共振器，包括负电阻元件；电压偏置电路，被配置成跨负电阻元件施加电压；以及第一分流元件，在该第一分流元件中电阻器和电容器串联电连接，其中，负电阻元件和第一分流元件并联地电连接到电压偏置电路。

【技术实现步骤摘要】
振荡器和成像设备
本技术涉及振荡器和成像设备。
技术介绍
包括诸如共振隧穿二极管(RTD)之类的负电阻元件的振荡电路(共振器)可以被用作生成太赫兹波的小型振荡器，该太赫兹波是在30GHz至30THz的频带中的预定电磁波。该振荡电路连接到电压偏置电路，该电压偏置电路例如向负电阻元件施加电压值，以使负电阻元件能够具有负电阻特性。注意的是，负电阻元件具有在宽频带中的增益以及预定的电磁波频率(预定频率)。因此，将负电阻元件与电压偏置电路连接会在比预定频率低的共振点处引起电磁波的振荡(在下文中被称为“寄生振荡”)，这应该被抑制。在这方面，日本专利No.5717336和日本专利No.5612842公开了一种振荡器，该振荡器包括具有负电阻元件101的振荡电路100，并且还包括电压偏置电路200。如图15A中所示，日本专利No.5717336公开了一种配置，在该配置中电阻元件301(分流电阻元件；电阻器)与负电阻元件101并联布置以抑制寄生振荡。另一方面，如图15B中所示，日本专利No.5612842公开了一种配置，在该配置中电容元件302(分流电容元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种振荡器，包括：/n共振器，包括负电阻元件；/n电压偏置电路，被配置成跨负电阻元件施加电压；以及/n第一分流元件，在所述第一分流元件中电阻器和电容器串联电连接，其中/n负电阻元件和第一分流元件并联地电连接到电压偏置电路。/n

【技术特征摘要】
20190220 JP 2019-0282421.一种振荡器，包括：
共振器，包括负电阻元件；
电压偏置电路，被配置成跨负电阻元件施加电压；以及
第一分流元件，在所述第一分流元件中电阻器和电容器串联电连接，其中
负电阻元件和第一分流元件并联地电连接到电压偏置电路。


2.根据权利要求1所述的振荡器，其中，连接负电阻元件和第一分流元件的线具有不大于由共振器产生的电磁波的波长的1/4的长度。


3.根据权利要求1所述的振荡器，其中，共振器和第一分流元件在同一芯片上形成。


4.根据权利要求1所述的振荡器，还包括一个或多个第二分流元件，其中
所述一个或多个第二分流元件中的每个第二分流元件都包括电容器，并且
所述一个或多个第二分流元件中的每个第二分流元件、负电阻元件和第一分流元件并联地电连接到电压偏置电路。


5.根据权利要求4所述的振荡器，其中，连接所述一个或多个第二分流元件中的至少一个第二分流元件和负电阻元件的线具有不大于由共振器产生的电磁波的波长的1/4的长度。


6.根据权利要求4所述的振荡器，其中，第一分流元件和所述一个或多个第二分流元件各自通过具有不大于与高频侧的截止频率相对应的波长的1/4的长度的线连接到负电阻元件。


7.根据权利要求4所述的振荡器，其中，当用于连接到负电阻元件的线较短时，第一分流元件和所述一个或多个第二分流元件各自抑制在较高频带中的电磁波的振荡。


8.根据权利要求4所述的振荡器，其中，共振器和所述一个或多个第二分流元件中的一个第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：香取笃史，海部纪之，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP