一种全ITO忆阻器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种全ITO忆阻器及其制备方法，涉及存储器制造技术领域，全ITO忆阻器为双层结构，上层结构包括ITO电极，下层结构包括基底，所述ITO电极生长在基底上端面，基底的材质为ITO导电玻璃片，所述全ITO忆阻器的整体完全透明。本发明专利技术还提出一种全ITO忆阻器的制备方法，包括以下步骤，首先准备ITO玻璃，将ITO玻璃切成方形大小，分别在丙酮、酒精、去离子水中超声30min并使用氮气吹干，然后对吹干的ITO玻璃进行真空退火，随后采用电子束蒸镀方法在退火后的ITO玻璃的介质层上制备ITO电极；形成全ITO忆阻器,最后对全ITO忆阻器进行氩气退火处理，本方法能耗低，设备简单，耗时少，操作简单，得到的忆阻器性能优良。

【技术实现步骤摘要】
一种全ITO忆阻器及其制备方法
本专利技术涉及存储器制造
，具体为一种全ITO忆阻器及其制备方法。
技术介绍
随着信息技术的不断发展，以电阻为量纲的忆阻器作为第四种电路元件受到广泛的关注，并以其结构简单、尺寸可缩小性好，读写速度快、擦写耐受力高、数据保持时间长，具备多维和多级存储能力等优点，成为了存储行业的研发重点。忆阻器的主要特征是对其施加电压时其电阻值会呈非线性转变，基于这一特点忆阻器在信息存储和模拟神经突触方面可以被广泛应用。忆阻器的基本结构一般为金属/绝缘层/金属(MIM)三明治结构。传统的绝缘性材料和金属氧化等和各金属电极材料是当前主要研究对象，研究历史较长，技术成熟度较高，其忆阻介质层主要包括二元金属氧化物、钙钛矿型复杂氧化物等绝缘体材料。然而由于材料本身在机械、光学等方面的局限性，难以满足未来柔性、透明等方面的应用要求，同时还面临着器件结构尺寸、稳定性和工作电压等诸多挑战。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术材料本身在机械、光学等方面的局限性，难以满足未来柔性、透明等方面的应用要求，同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种全ITO忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一：准备ITO玻璃，将ITO玻璃切成方形大小，分别在丙酮、酒精、去离子水中超声30min并使用氮气吹干；/n步骤二：对吹干的ITO玻璃进行退火；/n步骤三：采用电子束蒸镀方法在退火后的ITO玻璃的介质层上制备ITO电极；形成全ITO忆阻器；/n步骤四：对全ITO忆阻器进行退火处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种全ITO忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：准备ITO玻璃，将ITO玻璃切成方形大小，分别在丙酮、酒精、去离子水中超声30min并使用氮气吹干；
步骤二：对吹干的ITO玻璃进行退火；
步骤三：采用电子束蒸镀方法在退火后的ITO玻璃的介质层上制备ITO电极；形成全ITO忆阻器；
步骤四：对全ITO忆阻器进行退火处理。


2.根据权利要求1所述的一种全ITO忆阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，ITO玻璃采用厚度为2mm，方块电阻为30Ω的2cm×2cm的商用ITO导电玻璃。


3.根据权利要求1所述的一种全ITO忆阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤二中，ITO玻璃在真空环境下，400℃退火30min。


4.根据权利要求1所述的一种全ITO忆阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤三中，ITO玻璃上面覆盖有电极尺寸为30um×30um掩膜板，...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏贤华，耿晓颖，王雨晨，
申请(专利权)人：西南科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51