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本发明公开了一种全ITO忆阻器及其制备方法，涉及存储器制造技术领域，全ITO忆阻器为双层结构，上层结构包括ITO电极，下层结构包括基底，所述ITO电极生长在基底上端面，基底的材质为ITO导电玻璃片，所述全ITO忆阻器的整体完全透明。本发明还...
该专利属于西南科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南科技大学授权不得商用。

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