长线驱动电路以及方法、电子设备技术

技术编号:25438374 阅读:117 留言:0更新日期:2020-08-28 22:26
本发明专利技术公开了一种长线驱动电路以及方法、电子设备,所述长线驱动电路包括第一放大器、第一开关电路、第二开关电路、第二放大器以及预充电电路;第一放大器用于在第一正相信号和第一反相信号之间的电压差为预设电压差时对所述预设电压差进行放大,获得第二正相信号和第二反相信号;第一开关电路和第二开关电路依次串联在所述第一放大器和所述第二放大器之间,以使所述第二放大器接收第三正相信号和第三反相信号;第二放大器用于在所述第三正相信号和所述第三反相信号之间的电压差为所述预设电压差时对所述预设电压差进行放大,获得第四正相信号和第四反相信号。本发明专利技术公开的长线驱动电路以及方法、电子设备,能够降低数据在数据线上翻转的功耗。

【技术实现步骤摘要】
长线驱动电路以及方法、电子设备
本专利技术涉及集成电路
,具体涉及一种长线驱动电路以及方法、电子设备。
技术介绍
读写数据总线驱动电路被广泛应用于存储器的读写操作,主要作用在于实现存储阵列与数据通路之间的数据传输。在对存储器进行写操作时,数据通路上的数据通过第一级写驱动器和第二级写驱动器被传送至主数据线,主数据线上的数据被写入存储阵列;在对存储器进行读操作时,存储阵列中的数据被读至主数据线上,主数据线上的数据通过灵敏放大器、第一级读驱动器以及第二级读驱动器被传送至数据通路。图1是现有的一种读写数据总线驱动电路的结构示意图,所述读写数据总线驱动电路包括第一级读驱动器FRD、第二级读驱动器SRD、第一级写驱动器FWD、第二级写驱动器SWD以及读写数据线RWDL,其中,所述第一级读驱动器FRD的输出端和所述第二级写驱动器SWD的输入端连接所述读写数据线RWDL的一端,所述第二级读驱动器SRD的输入端和所述第一级写驱动器FWD的输出端连接所述读写数据线RWDL的另一端;所述第一级读驱动器FRD的输入端连接第一放大器SA的输出端,所述第二级本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种长线驱动电路,其特征在于,包括第一放大器、第一开关电路、第二开关电路、第二放大器以及预充电电路;/n所述第一放大器用于在第一正相信号和第一反相信号之间的电压差为预设电压差时对所述预设电压差进行放大,获得第二正相信号和第二反相信号,所述第二正相信号和所述第二反相信号之间的电压差为电源电压;/n所述第一开关电路和所述第二开关电路依次串联在所述第一放大器和所述第二放大器之间,以使所述第二放大器接收第三正相信号和第三反相信号;/n所述第二放大器用于在所述第三正相信号和所述第三反相信号之间的电压差为所述预设电压差时对所述预设电压差进行放大,获得第四正相信号和第四反相信号,所述第四正相信号和所述第...

【技术特征摘要】
1.一种长线驱动电路,其特征在于,包括第一放大器、第一开关电路、第二开关电路、第二放大器以及预充电电路;
所述第一放大器用于在第一正相信号和第一反相信号之间的电压差为预设电压差时对所述预设电压差进行放大,获得第二正相信号和第二反相信号,所述第二正相信号和所述第二反相信号之间的电压差为电源电压;
所述第一开关电路和所述第二开关电路依次串联在所述第一放大器和所述第二放大器之间,以使所述第二放大器接收第三正相信号和第三反相信号;
所述第二放大器用于在所述第三正相信号和所述第三反相信号之间的电压差为所述预设电压差时对所述预设电压差进行放大,获得第四正相信号和第四反相信号,所述第四正相信号和所述第四反相信号之间的电压差为所述电源电压;
所述预充电电路用于将所述第一放大器的输入端、所述第二放大器的输入端以及数据线预充电至所述电源电压,所述数据线为所述第一开关电路和所述第二开关电路之间的连接线。


2.根据权利要求1所述的长线驱动电路,其特征在于,所述第一放大器包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管以及第三NMOS晶体管;
所述第一PMOS晶体管的源极和所述第二PMOS晶体管的源极用于接收所述电源电压,所述第一PMOS晶体管的栅极连接所述第一NMOS晶体管的栅极、所述第二PMOS晶体管的漏极以及所述第二NMOS晶体管的漏极并作为所述第一放大器的同相输入端和所述第一放大器的同相输出端;
所述第二PMOS晶体管的栅极连接所述第二NMOS晶体管的栅极、所述第一PMOS晶体管的漏极以及所述第一NMOS晶体管的漏极并作为所述第一放大器的反相输入端和所述第一放大器的反相输出端;
所述第一NMOS晶体管的源极连接所述第二NMOS晶体管的源极和所述第三NMOS晶体管的漏极,所述第三NMOS晶体管的栅极用于接收第一使能信号,所述第三NMOS晶体管的源极连接公共接地端。


3.根据权利要求1所述的长线驱动电路,其特征在于,所述第一开关电路包括第一CMOS传输门和第二CMOS传输门;
所述第一CMOS传输门的输入端连接所述第一放大器的反相输出端,所述第一CMOS传输门的输出端连接所述第二开关电路的一个输入端,所述第一CMOS传输门的一个控制端用于接收第一开关控制信号,所述第一CMOS传输门的另一个控制端用于接收所述第一开关控制信号的反相信号;
所述第二CMOS传输门的输入端连接所述第一放大器的同相输出端,所述第二CMOS传输门的输出端连接所述第二开关电路的另一个输入端,所述第二CMOS传输门的一个控制端用于接收所述第一开关控制信号,所述第二CMOS传输门的另一个控制端用于接收所述第一开关控制信号的反相信号。


4.根据权利要求1所述的长线驱动电路,其特征在于,所述第二开关电路包括第三CMOS传输门和第四CMOS传输门;
所述第三CMOS传输门的输入端连接所述第一开关电路的一个输出端,所述第三CMOS传输门的输出端连接所述第二放大器的反相输入端,所述第三CMOS传输门的一个控制端用于接收第二开关控制信号,所述第三CMOS传输门的另一个控制端用于接收所述第二开关控制信号的反相信号;
所述第四CMOS传输门的输入端连接所述第一开关电路的另一个输出端,所述第四CMOS传输门的输出端连接所述第二放大器的同相输入端,所述第四CMOS传输门的一个控制端用于接收所述第二开关控制信号,所述第四CMOS传输门的另一个控制端用于接收所述第二开关控制信号的反相信号。


5.根据权利要求1所述的长线驱动电路,其特征在于,所述第二放大器包括第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第四NMO...

【专利技术属性】
技术研发人员:熊保玉张颖王斌
申请(专利权)人:西安紫光国芯半导体有限公司
类型:发明
国别省市:陕西;61

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