Ag合金溅射靶及Ag合金溅射靶的制造方法技术

本发明专利技术的Ag合金溅射靶的特征在于，具有如下组成：在合计0.1质量％以上且1.5质量％以下的范围内包含In及Sn中的至少一种以上，且剩余部分为Ag及不可避免的杂质，在Ar气体压力0.1Pa、电流密度1.5W/cm

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】Ag合金溅射靶及Ag合金溅射靶的制造方法
本专利技术涉及一种在形成包含In及Sn中的至少一种以上且剩余部分由Ag和不可避免的杂质构成的Ag合金的薄膜时所使用的Ag合金溅射靶及该Ag合金溅射靶的制造方法。本申请主张基于2018年2月20日于日本申请的专利申请2018-028143号及2019年2月15日于日本申请的专利申请2019-025935号的优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
通常，对于显示器或LED等反射电极膜、触摸面板等配线膜、透明导电膜等使用电阻率低的Ag膜。例如，在专利文献1中，公开了使用以高效率反射光的Ag膜或Ag合金膜作为半导体发光元件的电极的构成材料。并且，在专利文献2中，公开了使用Ag合金膜作为触摸面板的引出配线。此外，在专利文献3中，公开了使用Ag合金作为有机EL元件的反射电极的构成材料。这些Ag膜及Ag合金膜通过利用由Ag或Ag合金构成的溅射靶进行溅射而成膜。近年来，随着制造有机EL元件时的玻璃基板的大型化，用于形成反射电极膜时的Ag合金溅射靶也正在大型化。但是，从提高生产率的观点考虑本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Ag合金溅射靶，其特征在于，/n具有如下组成：在合计0.1质量％以上且1.5质量％以下的范围内包含In及Sn中的至少一种以上，且剩余部分为Ag及不可避免的杂质，/n在Ar气体压力0.1Pa、电流密度1.5W/cm

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180220 JP 2018-028143;20190215 JP 2019-0259351.一种Ag合金溅射靶，其特征在于，
具有如下组成：在合计0.1质量％以上且1.5质量％以下的范围内包含In及Sn中的至少一种以上，且剩余部分为Ag及不可避免的杂质，
在Ar气体压力0.1Pa、电流密度1.5W/cm2、累计电量0.01kWh/cm2的条件下实施溅射后的靶溅射面的算术平均表面粗糙度Ra设为7μm以下。


2.根据权利要求1所述的Ag合金溅...

【专利技术属性】
技术研发人员：林雄二郎，小见山昌三，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP