发光装置的制造方法、发光装置、或基部制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光装置的制造方法、发光装置、或基部，可以精度良好地安装发光装置。发光装置的制造方法包括：将第一半导体激光元件配置在配置面的工序，其将第一半导体激光元件配置在配置面，以使第一半导体激光元件的光的射出端面与基于在具有配置面的基部设置的多个对准标识而得到的第一直线平行；将第一光反射部件配置在配置面的工序，其将第一光反射部件配置在配置面，以使基于第一光反射部件的规定的区域得到的、配置第一光反射部件时成为位置对准的基准的基准线与使第一直线旋转规定的角度后的第二直线平行。

【技术实现步骤摘要】
发光装置的制造方法、发光装置、或基部
本专利技术涉及发光装置的制造方法、发光装置、或者可用于发光装置中的基部。
技术介绍
以往，已知一种方法，其在安装面安装发光元件等结构主要部件时，设有对准标识，并基于该对准标识进行安装。例如，在专利文献1中已经公开一种子基板，其在安装半导体发光元件的第一面形成有对准标识。现有技术文献专利文献专利文献1：(日本)特开2012-164737
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题专利文献1中，作为安装于安装面的结构主要部件，最好考虑一个半导体发光元件的安装精度。然而，在一个安装面安装多个结构主要部件来形成光学系统的情况下，希望从综合的角度出发，为了提高安装精度而进行设计。用于解决技术问题的技术方案在本说明书中公开的发光装置的制造方法包括：将所述第一半导体激光元件配置在配置面的工序，其将所述第一半导体激光元件配置在所述配置面，以使第一半导体激光元件的光的射出端面与基于在具有配置面的基部设置的多个对准标识而得到的第一直线平行；将所述第一光反射部件配置在所述配置面的工序，其将所述第一光反射部件配置在所述配置面，以使基于第一光反射部件的规定的区域得到的、配置所述第一光反射部件时成为位置对准的基准的基准线与使所述第一直线旋转规定的角度后的第二直线平行。另外，在本说明书中公开的发光装置具有：具有配置面且设有多个对准标识的基部、配置在所述配置面的半导体激光元件、以及配置在所述配置面的光反射部件，所述半导体激光元件及所述光反射部件在俯视中，配置在所述配置面、且连结多个所述对准标识的直线与所述半导体激光元件的光的射出端面平行，以使所述半导体激光元件的光的射出端面与所述光反射部件的光反射面的上端或下端形成为除去垂直及平行以外的规定的角度。另外，在本说明书中公开的基部具有：底面、在俯视中包围所述底面且形成长方形框的上表面、在所述上表面上自形成长方形框的四个边之中的第一边的区域至与所述第一边相交的第二边的区域设置的第一金属膜、以及自四个边之中的与所述第一边对置的第三边的区域至与所述第三边相交的第四边的区域设置的第二金属膜，所述第一金属膜在所述第一边的区域设有用于电连接的第一导通区域，在所述第二边的区域设有用于对准标识的第一对准区域，所述第二金属膜在所述第三边的区域设有用于电连接的第二导通区域，在所述第四边的区域设有用于对准标识的第二对准区域。专利技术的效果根据基于本说明书公开的专利技术，能够精度良好地安装发光装置。或者能够实现可精度良好地进行安装的发光装置。或者能够提供用于精度良好地安装的基部。附图说明图1是第一实施方式的发光装置的立体图。图2是与图1对应的俯视图。图3是图2的III-III线的发光装置的剖视图。图4是用于说明第一实施方式的发光装置的内部结构的立体图。图5是与图4对应的俯视图。图6是用于说明第一实施方式的发光装置的内部结构的立体图。图7是与图6对应的俯视图。图8是将图7中基部的底面(配置面)进行放大的俯视图。图9是将第一实施方式的透光性部件与波长转换部件进行接合的状态的立体图。图10是与图9对应的俯视图。图11是为了说明第一实施方式的透光性部件与波长转换部件的接合面而透过了波长转换部件的俯视图。图12是第一实施方式的波长转换部件的仰视图。图13是第二实施方式的发光装置的立体图。图14是与图13对应的俯视图。图15是用于说明第二实施方式的发光装置的内部结构的立体图。附图标记说明1，2发光装置；10，210基部；11上表面；111第一区域；112第二区域；113第三区域；114第四区域；12底面；13下表面；14内侧面；15外侧面；16台阶部；161第一台阶部；162，163第二台阶部；17金属膜；171金属膜(上表面)；172金属膜(底面)；173金属膜(第二台阶部)；18，19对准标识；181，191第一对准标识；182，192第二对准标识；183第三对准标识；184第四对准标识；20半导体激光元件；21射出端面；30子基板；40光反射部件；41光反射面；411第一反射面；412第二反射面；50保护元件；60温度测量元件；70配线；71第一配线；72第二配线；80透光性部件；90波长转换部件；91波长转换部；92包围部；93异常检测元件；100，101遮光部件。具体实施方式在本说明书或要求保护的范围中，关于三角形或四边形等多边形，也包括在多边形的边角实施了圆角、倒角、去角、去圆等加工的形状，称为多边形。另外，不限于边角(边的端部)，在边的中间部分实施了加工的形状也同样称为多边形。也就是说，以多边形为基础实施了加工的形状包含在本说明书及要求保护的范围中所述的“多边形”的解释中。另外，不限于多边形，针对梯形、圆形或凹凸等表示指定形状的用语也是同样的。另外，在对形成该形状的各边进行处理的情况下也是同样的。也就是说，在某边中，即使对边角或中间部分实施了加工，“边”的解释也包括被加工的部分。需要说明的是，在将未实施所希望的加工的“多边形”及“边”与被加工的形状进行区分的情况下，附加“严格意义上的”用词，例如，记为“严格意义上的四边形”等。另外，在本说明书或要求保护的范围中，关于某结构主要部件，在与之对应的部件存在多个、且分别区分进行表示的情况下，有时会在该结构主要部件的前方附记“第一”、“第二”加以区分。此时，当在本说明书与要求保护的范围中进行区分的目标及观点不同时，本说明书的附记方式与要求保护的范围的附记方式可能不一致。下面，参照附图，说明用于实施本专利技术的方式。但是，所表示的方式只是使本专利技术的技术思想具体化，并非对本专利技术的限定。另外，在如下的说明中，对于相同的名称、标记，表示相同或相同性质的部件，有时适当省略重复的说明。需要说明的是，各附图所表示的部件的大小及位置关系等为了明确地进行说明而有时有所夸张。＜第一实施方式＞图1是第一实施方式的发光装置1的立体图。图2是与图1对应的发光装置1的俯视图。图3是图2的III-III线的发光装置1的剖视图。图4是为了说明内部结构而从发光装置1拆除了遮光部件100后的状态的立体图。图5是与图4相同的状态的俯视图。图6是为了说明内部结构而从发光装置1进一步拆除透光性部件与波长转换部件后的状态的立体图。图7是与图6相同的状态的俯视图。图8是将图7中基部10的底面12(配置面)的区域进行放大后的俯视图。需要说明的是，在图8中，为了易于理解半导体激光元件20与光反射部件40的配置关系，在拆除了一部分结构主要部件的状态下进行表示。图9是将透光性部件80与波长转换部件90进行接合的状态的立体图。图10是与图9相同的状态的俯视图。图11是为了说明透光性部件80与波长转换部件90的接合面而透过了波长转换部件90后的俯视图。图12是第一实施方式的波长转换部件90的仰视图。发光装置1作为结构主要部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造方法，为发光装置的制造方法，其特征在于，包括：/n将第一半导体激光元件配置在配置面的工序，其将第一半导体激光元件配置在配置面，使所述第一半导体激光元件的光的射出端面与基于在具有所述配置面的基部设置的多个对准标识而得到的第一直线平行；/n将第一光反射部件配置在所述配置面的工序，其将第一光反射部件配置在所述配置面，使基于所述第一光反射部件的规定的区域得到的、配置所述第一光反射部件时成为位置对准的基准的基准线与使所述第一直线旋转规定的角度后的第二直线平行。/n

【技术特征摘要】
20190215 JP 2019-025299;20190924 JP 2019-1724441.一种制造方法，为发光装置的制造方法，其特征在于，包括：
将第一半导体激光元件配置在配置面的工序，其将第一半导体激光元件配置在配置面，使所述第一半导体激光元件的光的射出端面与基于在具有所述配置面的基部设置的多个对准标识而得到的第一直线平行；
将第一光反射部件配置在所述配置面的工序，其将第一光反射部件配置在所述配置面，使基于所述第一光反射部件的规定的区域得到的、配置所述第一光反射部件时成为位置对准的基准的基准线与使所述第一直线旋转规定的角度后的第二直线平行。


2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
所述规定的角度为10度以上、80度以下的角度。


3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，此外包括：
将第二半导体激光元件配置在所述配置面的工序，其将第二半导体激光元件配置在所述配置面，以基于所述第一直线与所述第二半导体激光元件的光的射出端面，使所述射出端面与所述第一直线平行，并且基于根据多个所述对准标识的位置指定的所述第一直线的中点CP，使所述第一半导体激光元件与所述第二半导体激光元件对称；
将第二光反射部件配置在所述配置面的工序，其将第二光反射部件配置在所述配置面，以基于所述第一直线与所述第二光反射部件的基准线，使所述基准线与所述第二直线平行，并且基于所述中点CP，使所述第一光反射部件与所述第二光反射部件对称。


4.如权利要求3所...

【专利技术属性】
技术研发人员：北岛忠征，田路知一，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP