阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板通过使得导体化部分的宽度大于空白部分的宽度，且使得第一导体化区域与第二导体化区域接触的区域的宽度，等于导体化部分与空白部分的宽度的差值，导体化部分的宽度与空白部分的宽度的差值大于预设值，使得在空白部分被刻蚀时，导体化部分由于宽度大于空白部分，导体化部分仍然能够从空白部分两侧导通，第一导体化区域和第二导体化区域仍然能够导通，从而增大了源漏极与导体化部分的搭接面积，使得side contact达成率增大，从而使得GSD TFT正常工作，解决了现有GSD TFT存在源漏极层与IGZO搭接面积较小，导致side contact成功率较低，导致GSD TFT良率较低的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板
本申请涉及显示
，尤其是涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
现有GSDTFT(Gate，Source，DrainoneLayerThinFilmTransistor，栅极、源极、漏极位于同一层的薄膜晶体管)由于相较于现有的顶栅型薄膜晶体管少了一次金属成膜/光刻/蚀刻及层间绝缘层，降低成本，被广泛应用于显示器件中，但在GSDTFT中，由于GSD的材料为低阻抗金属，无法使用干刻形成，在进行湿刻时，金属蚀刻液会与IGZO(indiumgalliumzincoxide，铟镓锌氧化物)有源层接触，导致IGZO被腐蚀，从而影响到源漏极与IGZO的导通，因此GSDTFT中源漏极与IGZO导通主要是依靠sidecontact，即边缘连接实现，但由于sidecontact路径有限，需要依靠IGZO导体化时内部扩散实现，但IGZO导体化的扩散能力有限，使得会出现无法形成sidecontact，从而导致源漏极与IGZO无法导通的问题，使得GSDTFT无法正常工作。所以，现有GSDTFT存在源漏极层与IGZO搭接面积较小，导致sidecontact成功率较低，导致GSDTFT良率较低的技术问题。
技术实现思路
本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，用以解决现有GSDTFT存在源漏极层与IGZO搭接面积较小，导致sidecontact成功率较低，导致GSDTFT良率较低的技术问题。本申请实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括：衬底；有源层，设置于所述衬底上；所述有源层包括第一导体化区域和第二导体化区域，所述第一导体化区域包括导体化部分和空白部分；栅极绝缘层，设置于所述有源层上，所述栅极绝缘层刻蚀形成有过孔；金属层，设置于所述栅极绝缘层上，所述金属层图案化形成有源极、栅极和漏极，所述源极和漏极穿过所述过孔与所述有源层连接；其中，在所述金属层图案化时，所述有源层被刻蚀形成有空白部分，在所述导体化部分与所述空白部分接触的区域，所述导体化部分的宽度大于所述空白部分的宽度，所述第一导体化区域和所述第二导体化区域接触，且所述第一导体化区域和所述第二导体化区域接触的区域的宽度，等于所述导体化部分与所述空白部分的宽度的差值，所述导体化部分的宽度与所述空白部分的宽度的差值大于预设值。在一些实施例中，所述导体化部分包括与源极连接的第一导体化部分、以及与漏极连接的第二导体化部分，所述第一导体化部分的宽度大于空白部分的宽度，所述第二导体化部分的宽度等于所述空白部分的宽度。在一些实施例中，所述导体化部分包括与源极连接的第一导体化部分、以及与漏极连接的第二导体化部分，所述第一导体化部分的宽度等于空白部分的宽度，所述第二导体化部分的宽度大于所述空白部分的宽度。在一些实施例中，所述导体化部分包括与源极连接的第一导体化部分、以及与漏极连接的第二导体化部分，所述第一导体化部分的宽度大于空白部分的宽度，所述第二导体化部分的宽度大于所述空白部分的宽度。在一些实施例中，所述第一导体化部分的形状包括正方形和梯形中的一种，所述空白部分的形状包括正方形和三角形中的一种。在一些实施例中，所述阵列基板还包括遮光层，所述遮光层刻蚀形成有遮光板和第一电容极板，所述金属层刻蚀形成有第二电容极板，所述第一电容极板与所述第二电容极板形成有存储电容。在一些实施例中，所述阵列基板还包括氧化铟锡层，所述氧化铟锡层刻蚀形成有第一电容极板，所述金属层刻蚀形成有第二电容极板，所述第一电容极板与所述第二电容极板形成有存储电容。在一些实施例中，所述预设值的范围为所述导体化部分的宽度的三分之一至三分之二。同时，本申请实施例提供一种阵列基板制备方法，该阵列基板制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成有源层；在所述有源层上形成栅极绝缘层；对所述栅极绝缘层进行第一次刻蚀形成过孔；根据所述过孔的位置，对所述有源层进行第一次导体化形成第一导体化区域；所述第一导体化区域包括导体化部分和空白部分，所述导体化部分与所述空白部分接触的区域，所述导体化部分的宽度大于所述空白部分的宽度；在所述栅极绝缘层上形成金属层，并刻蚀所述金属层形成源极、漏极和栅极；对所述栅极绝缘层进行第二次刻蚀得到栅极绝缘层图案；对有源层进行第二次导体化形成第二导体化区域；所述第一导体化区域和所述第二导体化区域接触的区域的宽度，等于所述导体化部分与所述空白部分的宽度的差值，所述导体化部分的宽度与所述空白部分的宽度的差值大于预设值；在所述金属层上形成钝化层。同时，本申请实施例提供一种显示面板，该显示面板包括：阵列基板，所述阵列基板包括衬底、有源层、栅极绝缘层、金属层，所述有源层设置于所述衬底上；所述有源层包括第一导体化区域和第二导体化区域，所述第一导体化区域包括导体化部分和空白部分；所述栅极绝缘层设置于所述有源层上，所述栅极绝缘层刻蚀形成有过孔；所述金属层设置于所述栅极绝缘层上，所述金属层图案化形成有源极、栅极和漏极，所述源极和漏极穿过所述过孔与所述有源层连接；其中，在所述金属层图案化时，所述有源层被刻蚀形成有空白部分，在所述导体化部分与所述空白部分接触的区域，所述导体化部分的宽度大于所述空白部分的宽度，所述第一导体化区域和所述第二导体化区域接触，且所述第一导体化区域和所述第二导体化区域接触的区域的宽度，等于所述导体化部分与所述空白部分的宽度的差值，所述导体化部分的宽度与所述空白部分的宽度的差值大于预设值；像素电极层，设置于所述阵列基板上；像素定义层，设置于所述像素电极层上；发光材料层，设置于所述像素定义层定义出的像素区域；公共电极层，设置于所述发光材料层上；封装层，设置于所述公共电极层上。有益效果：本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板包括衬底、有源层、栅极绝缘层、金属层，所述有源层设置于所述衬底上，所述有源层包括第一导体化区域和第二导体化区域，所述第一导体化区域包括导体化部分和空白部分，所述栅极绝缘层设置于所述有源层上，所述栅极绝缘层刻蚀形成有过孔，所述金属层设置于所述栅极绝缘层上，所述金属层刻蚀形成有源极、栅极和漏极，所述源极和漏极穿过所述过孔与所述有源层连接，其中，在所述金属层图案化时，所述有源层被刻蚀形成有空白部分，在所述导体化部分与所述空白部分接触的区域，所述导体化部分的宽度大于所述空白部分的宽度，所述第一导体化区域和所述第二导体化区域接触，且所述第一导体化区域和所述第二导体化区域接触的区域的宽度，等于所述导体化部分与所述空白部分的宽度的差值，所述导体化部分的宽度与所述空白部分的宽度的差值大于预设值；通过使得导体化部分的宽度大于空白部分的宽度，且使得第一导体化区域与第二导体化区域接触的区域的宽度，等于导体化部分与空白部分的宽度的差值，导体化部分的宽度与空白部分的宽度的差值大于预设值，使得在空白部分被刻蚀时，导体化部分由于宽度大于空本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底；/n有源层，设置于所述衬底上；所述有源层包括第一导体化区域和第二导体化区域，所述第一导体化区域包括导体化部分和空白部分；/n栅极绝缘层，设置于所述有源层上，所述栅极绝缘层刻蚀形成有过孔；/n金属层，设置于所述栅极绝缘层上，所述金属层图案化形成有源极、栅极和漏极，所述源极和漏极穿过所述过孔与所述有源层连接；/n其中，在所述金属层图案化时，所述有源层被刻蚀形成有空白部分，在所述导体化部分与所述空白部分接触的区域，所述导体化部分的宽度大于所述空白部分的宽度，所述第一导体化区域和所述第二导体化区域接触，且所述第一导体化区域和所述第二导体化区域接触的区域的宽度，等于所述导体化部分与所述空白部分的宽度的差值，所述导体化部分的宽度与所述空白部分的宽度的差值大于预设值。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
有源层，设置于所述衬底上；所述有源层包括第一导体化区域和第二导体化区域，所述第一导体化区域包括导体化部分和空白部分；
栅极绝缘层，设置于所述有源层上，所述栅极绝缘层刻蚀形成有过孔；
金属层，设置于所述栅极绝缘层上，所述金属层图案化形成有源极、栅极和漏极，所述源极和漏极穿过所述过孔与所述有源层连接；
其中，在所述金属层图案化时，所述有源层被刻蚀形成有空白部分，在所述导体化部分与所述空白部分接触的区域，所述导体化部分的宽度大于所述空白部分的宽度，所述第一导体化区域和所述第二导体化区域接触，且所述第一导体化区域和所述第二导体化区域接触的区域的宽度，等于所述导体化部分与所述空白部分的宽度的差值，所述导体化部分的宽度与所述空白部分的宽度的差值大于预设值。


2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导体化部分包括与源极连接的第一导体化部分、以及与漏极连接的第二导体化部分，所述第一导体化部分的宽度大于空白部分的宽度，所述第二导体化部分的宽度等于所述空白部分的宽度。


3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导体化部分包括与源极连接的第一导体化部分、以及与漏极连接的第二导体化部分，所述第一导体化部分的宽度等于空白部分的宽度，所述第二导体化部分的宽度大于所述空白部分的宽度。


4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导体化部分包括与源极连接的第一导体化部分、以及与漏极连接的第二导体化部分，所述第一导体化部分的宽度大于空白部分的宽度，所述第二导体化部分的宽度大于所述空白部分的宽度。


5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导体化部分的形状包括正方形和梯形中的一种，所述空白部分的形状包括正方形和三角形中的一种。


6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括遮光层，所述遮光层刻蚀形成有遮光板和第一电容极板，所述金属层刻蚀形成有第二电容极板，所述第一电容极板与所述第二电容极板形成有存储电容。


7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括氧化铟锡层，所述氧化铟锡层刻蚀形成有第一电容极板，所述金属层刻蚀形成有第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐甲，徐源竣，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44