阵列基板及其制备方法技术

本申请提供一种阵列基板及其制备方法，该阵列基板包括依次设置的基底、遮光结构层、缓冲层、有源层、介电绝缘层和源漏极金属层。遮光结构层设置在基底上。遮光结构层包括依次设置的第一遮光层和第二遮光层。第一遮光层的材料为第一金属氧化物。第二遮光层的材料为第一铜合金。其中，第一金属氧化物至少包括氧化铝。第一铜合金至少包括铜和铝。本申请解决了遮光层在基底上的附着力较差的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法
本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
目前电视机等大型显示器正在往大型化、高画质和高功能化方向发展，显示器内部的金属配线也相应趋向于低面阻化。因此，以铜代替铝作为金属配线的制程技术已经成为未来的技术发展趋势。通常情况下，阵列基板中的一些膜层如遮光层以铜为金属材料制备而得，由于铜在一些基底如玻璃基板或氧化硅基体上的附着力较差，进而大大降低了遮光层在基底上的附着力，致使遮光层易从基底上脱落，严重影响了遮光层的性能。
技术实现思路
本申请提供一种阵列基板及其制备方法，以解决遮光层在基底上的附着力较差的技术问题。本申请提供一种阵列基板，其包括：基底；遮光结构层，所述遮光结构层设置在所述基底上，所述遮光结构层包括依次设置的第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层的材料为第一金属氧化物，所述第二遮光层的材料为第一铜合金；缓冲层，所述缓冲层设置在所述遮光结构层上；有源层，所述有源层设置在所述缓冲层上；介电绝缘层，所述介电绝缘层设置在所述有源层上；以及源漏极金属层，所述源漏极金属层设置在所述介电绝缘层上；其中，所述第一金属氧化物至少包括氧化铝，所述第一铜合金至少包括铜和铝。在本申请所述的阵列基板中，所述第一铜合金还包括镁，所述第一金属氧化物还包括氧化镁。在本申请所述的阵列基板中，所述阵列基板还包括依次设置的栅极绝缘层和栅极结构层，所述栅极绝缘层设置在所述有源层上，所述介电绝缘层设置在所述栅极结构层上；所述栅极结构层包括依次设置的第一层和第二层，所述第一层的材料为第二金属氧化物，所述第二层的材料为第二铜合金；其中，所述第二金属氧化物至少包括氧化铝，所述第二铜合金至少包括铜和铝。在本申请所述的阵列基板中，所述第二铜合金还包括镁，所述第二金属氧化物还包括氧化镁。在本申请所述的阵列基板中，所述第一遮光层的厚度介于50埃-500埃之间，所述第二遮光层的厚度介于2000埃-10000埃之间。在本申请所述的阵列基板中，所述第一层的厚度介于50埃-500埃之间，所述第二层的厚度介于2000埃-10000埃之间。本申请还提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底和一铜合金靶材，所述基底和所述铜合金靶材置于一腔体内，所述铜合金靶材至少包括铜和铝；向所述腔体内通入氧气；所述铜合金靶材中的铝粒子脱落，所述铝粒子和所述氧气反应生成氧化铝，所述氧化铝沉积在所述基底上以形成第一遮光层；停止通入所述氧气，所述铜合金靶材中的铜粒子和铝粒子脱落，所述铜粒子和所述铝粒子沉积在所述第一遮光层上以形成第二遮光层，所述第一遮光层和所述第二遮光层形成遮光结构层；在所述遮光结构层上依次形成缓冲层、有源层、介电绝缘层和源漏极金属层。在本申请所述的阵列基板的制备方法中，所述铜合金靶材还包括镁，在所述形成第一遮光层的步骤中，还包括：所述铜合金靶材中的镁粒子脱落，所述镁粒子和所述氧气反应生成氧化镁，所述氧化镁和所述氧化铝共同沉积在所述基底上以形成所述第一遮光层。在本申请所述的阵列基板的制备方法中，在所述遮光结构层上形成所述有源层的步骤之后，还包括：在所述有源层上形成栅极绝缘层；向所述腔体内通入氧气；所述铜合金靶材中的铝粒子脱落，所述铝粒子和所述氧气反应生成氧化铝，所述氧化铝沉积在所述栅极绝缘层上以形成第一层；停止通入所述氧气，所述铜合金靶材中的铜粒子和铝粒子脱落，所述铜粒子和所述铝粒子沉积在所述第一层上以形成第二层，所述第一层和所述第二层形成栅极结构层。在本申请所述的阵列基板的制备方法中，所述铜合金靶材还包括镁，在所述形成第一层的步骤中，还包括：所述铜合金靶材中的镁粒子脱落，所述镁粒子和所述氧气反应生成氧化镁，所述氧化镁和所述氧化铝共同沉积在所述栅极绝缘层上以形成所述第一层。相较于现有技术中的阵列基板，本申请的阵列基板通过将遮光结构层中的第一遮光层的材料设置为金属氧化物，该金属氧化物至少包括氧化铝，第二遮光层的材料设置为铜合金，该铜合金至少包括铜和铝，由于金属氧化物中的氧化铝在基底上具有较好的附着力，从而大大增强了遮光结构层在基底上的附着力。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图；图2是本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的流程示意图；图3A-3I是本申请实施例提供的阵列基板的制备方法中步骤S201至步骤S206依次得到的结构示意图；图4是本申请实施例提供的阵列基板的制备方法中步骤S205的部分流程示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n基底；/n遮光结构层，所述遮光结构层设置在所述基底上，所述遮光结构层包括依次设置的第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层的材料为第一金属氧化物，所述第二遮光层的材料为第一铜合金；/n缓冲层，所述缓冲层设置在所述遮光结构层上；/n有源层，所述有源层设置在所述缓冲层上；/n介电绝缘层，所述介电绝缘层设置在所述有源层上；以及/n源漏极金属层，所述源漏极金属层设置在所述介电绝缘层上；/n其中，所述第一金属氧化物至少包括氧化铝，所述第一铜合金至少包括铜和铝。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基底；
遮光结构层，所述遮光结构层设置在所述基底上，所述遮光结构层包括依次设置的第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层的材料为第一金属氧化物，所述第二遮光层的材料为第一铜合金；
缓冲层，所述缓冲层设置在所述遮光结构层上；
有源层，所述有源层设置在所述缓冲层上；
介电绝缘层，所述介电绝缘层设置在所述有源层上；以及
源漏极金属层，所述源漏极金属层设置在所述介电绝缘层上；
其中，所述第一金属氧化物至少包括氧化铝，所述第一铜合金至少包括铜和铝。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一铜合金还包括镁，所述第一金属氧化物还包括氧化镁。


3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括依次设置的栅极绝缘层和栅极结构层，所述栅极绝缘层设置在所述有源层上，所述介电绝缘层设置在所述栅极结构层上；
所述栅极结构层包括依次设置的第一层和第二层，所述第一层的材料为第二金属氧化物，所述第二层的材料为第二铜合金；
其中，所述第二金属氧化物至少包括氧化铝，所述第二铜合金至少包括铜和铝。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二铜合金还包括镁，所述第二金属氧化物还包括氧化镁。


5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光层的厚度介于50埃-500埃之间，所述第二遮光层的厚度介于2000埃-10000埃之间。


6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一层的厚度介于50埃-500埃之间，所述第二层的厚度介于2000埃-10000埃之间。


7.一种阵列基板的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁錾，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44