显示面板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:25403233 阅读:30 留言:0更新日期:2020-08-25 23:07
本发明专利技术公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,所述显示面板包括基板、有源层、栅极绝缘层以及金属层,其中,所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层以及第二栅极绝缘层。所述显示面板的制备方法包括:提供一基板;在所述基板的上表面依次制备出有源层、栅极绝缘层以及金属层;其中,制备出栅极绝缘层以及金属层包括:刻蚀所述有源层上方的部分所述栅极绝缘层。本发明专利技术的技术效果在于,减小源漏极与遮光层之间的电容。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示领域,特别涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
顶栅自对准结构(Top-gateSelf-align)的OxideTFT技术,通常都会先做一层遮光层金属,另外栅极和源漏极会通过两道Photo制程实现。为了缩短制程时间,降低成本,可以通过一道Photo制程制作栅极,源极,漏极电极(可称为GSD技术),但是若采用这种技术源漏极与遮光层金属之间的栅极绝缘层厚度较小,薄膜晶体管器件以及金属层跨线区域的电容较大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,解决现有显示装置中薄膜晶体管以及金属层跨线区域的电容较大的技术问题。为实现上述目的,本专利技术提供一种显示面板,包括:基板;有源层,设于所述基板上;栅极绝缘层,设于所述基板上且覆盖所述有源层;金属层,设于所述栅极绝缘层上,所述金属层包括栅极以及源漏极,所述源漏极连接至所述有源层,所述栅极位于所述有源层的上方;其中,所述栅极绝缘层包括:第一栅极绝缘层,设于所述栅极下方;以及第二栅极绝缘层,设于所述源漏极下方;所述第一栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:/n基板;/n有源层,设于所述基板上;/n栅极绝缘层,设于所述基板上且覆盖所述有源层;/n金属层,设于所述栅极绝缘层上,所述金属层包括栅极以及源漏极,所述源漏极连接至所述有源层,所述栅极位于所述有源层的上方;/n其中,所述栅极绝缘层包括:/n第一栅极绝缘层,设于所述栅极下方;以及/n第二栅极绝缘层,设于所述源漏极下方;/n所述第一栅极绝缘层的厚度小于所述第二栅极绝缘层的厚度。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
有源层,设于所述基板上;
栅极绝缘层,设于所述基板上且覆盖所述有源层;
金属层,设于所述栅极绝缘层上,所述金属层包括栅极以及源漏极,所述源漏极连接至所述有源层,所述栅极位于所述有源层的上方;
其中,所述栅极绝缘层包括:
第一栅极绝缘层,设于所述栅极下方;以及
第二栅极绝缘层,设于所述源漏极下方;
所述第一栅极绝缘层的厚度小于所述第二栅极绝缘层的厚度。


2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一栅极绝缘层的厚度为1000埃米~3000埃米;
所述第二栅极绝缘层的厚度为2000埃米~10000埃米。


3.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一基板;
形成有源层于所述基板上;
形成栅极绝缘层于所述基板上且覆盖所述有源层;
提供一掩膜板,将所述掩膜板置于所述栅极绝缘层上;
对所述有源层所在区域的栅极绝缘层进行曝光,去除部分厚度的栅极绝缘层,并形成第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层以及贯穿所述栅极绝缘层的接触孔;
形成一金属层于所述栅极绝缘层上以及所述接触孔中,并对所述金属层进行图案化处理,形成源漏极以及栅极,其中所述源漏极通过所述接触孔连接至所述有源层,所述栅极下方的第一栅极绝缘层的厚度小于所述源漏极下方的第二栅极绝缘层的厚度。


4.如权利要求3所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述掩膜板包括:
第一部分,与所述有源层...

【专利技术属性】
技术研发人员:卓毅
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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