具有立体电感的半导体结构及其制造方法技术

一种具有立体电感的半导体结构具有第一横向电感、纵向电感及第二横向电感，该第一横向电感形成于第一基板，该第二横向电感及该纵向电感形成于第二基板，接合该第一基板及该第二基板以连接该第一横向电感及该纵向电感，使该第一横向电感、该纵向电感及该第二横向电感构成立体电感。

【技术实现步骤摘要】
具有立体电感的半导体结构及其制造方法
本专利技术关于一种半导体结构，特别是一种具有立体电感的半导体结构。
技术介绍
现有习知电感多为平面电感，形成于半导体结构的基板表面，然而为了产生足够的电感量，必须增加平面电感尺寸，使得半导体结构尺寸难以缩小，无法满足现今半导体结构微细化的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种具有立体电感的半导体结构，借由纵向电感连接分别位于两个基板的放射状横向电感，以构成立体电感。本专利技术的一种具有立体电感的半导体结构包含：第一基板，具有第一导接垫及第二导接垫；第一横向电感，位于该第一基板上，该第一横向电感具有多个第一电感部，所述第一电感部放射状排列于该第一基板，其中之一该第一电感部连接该第一导接垫，另一该第一电感部连接该第二导接垫，各该第一电感部具有第一外侧端及第一内侧端；纵向电感，位于该第一横向电感上，该纵向电感具有支撑层、多个外侧电感部及多个内侧电感部，该支撑层具有多个外侧开口及多个内侧开口，所述外侧电感部位于所述外侧开口，所述内侧电感部位于所述内侧开口；第二横向电感，位于该本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于其包含：/n第一基板，具有第一导接垫及第二导接垫；/n第一横向电感，位于该第一基板上，该第一横向电感具有多个第一电感部，所述第一电感部放射状排列于该第一基板，其中之一该第一电感部连接该第一导接垫，另一该第一电感部连接该第二导接垫，各该第一电感部具有第一外侧端及第一内侧端；/n纵向电感，位于该第一横向电感上，该纵向电感具有支撑层、多个外侧电感部及多个内侧电感部，该支撑层具有多个外侧开口及多个内侧开口，所述外侧电感部位于所述外侧开口，所述内侧电感部位于所述内侧开口；/n第二横向电感，位于该纵向电感上，该第二横向电感具有绝缘层及多个第二电感部，该绝缘层具有多个呈放射状排...

【技术特征摘要】
20190219 TW 1081054471.一种半导体结构，其特征在于其包含：
第一基板，具有第一导接垫及第二导接垫；
第一横向电感，位于该第一基板上，该第一横向电感具有多个第一电感部，所述第一电感部放射状排列于该第一基板，其中之一该第一电感部连接该第一导接垫，另一该第一电感部连接该第二导接垫，各该第一电感部具有第一外侧端及第一内侧端；
纵向电感，位于该第一横向电感上，该纵向电感具有支撑层、多个外侧电感部及多个内侧电感部，该支撑层具有多个外侧开口及多个内侧开口，所述外侧电感部位于所述外侧开口，所述内侧电感部位于所述内侧开口；
第二横向电感，位于该纵向电感上，该第二横向电感具有绝缘层及多个第二电感部，该绝缘层具有多个呈放射状排列的开口，所述第二电感部位于所述开口且呈放射状排列，各该第二电感部具有第二外侧端及第二内侧端，其中各该外侧电感部的两端分别连接该第一电感部的该第一外侧端及该第二电感部的该第二外侧端，各该内侧电感部的两端分别连接该第一电感部的该第一内侧端及该第二电感部的该第二内侧端，且连接相同该第二电感部的该外侧电感部及该内侧电感部分别连接两相邻的该第一电感部；以及
第二基板，位于该第二横向电感上。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：其中两相邻的该第一电感部分别连接该第一导接垫及该第二导接垫。


3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：其中两相邻的该第一电感部经由该第一外侧端分别连接该第一导接垫及该第二导接垫。


4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：其中连接相同该外侧电感部的该第一电感部及该第二电感部之间的第一重叠面积大于连接相同该内侧电感部的该第一电感部及该第二电感部之间的第二重叠面积。


5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：其中该第一外侧端的宽度大于该第一内侧端的宽度，该第二外侧端的宽度大于该第二内侧端的宽度。


6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：其中两相邻的该第一外侧端的间距大于两相邻的该第一内侧端的间距。


7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：其中该外侧电感部的高度实质上等于该内侧电感部的高度，该外侧电感部的该高度大于该第二电感部的高度。


8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：其另包含焊料层，该焊料层具有多个外侧接合部及多个内侧接合部，各该外侧接合部连接该外侧电感部及该第一电感部的该第一外侧端，各该内侧接合部连接该内侧电感部及该第一电感部的该第一内侧端。


9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：其另包含保护层，该保护层位于该第一基板及该纵向电感之间，该保护层具有多个第一显露开口及多个第二显露开口，所述第一显露开口显露所述第一电感部的该第一外侧端，所述第二显露开口显露所述第一电感部的该第一内侧端。


10.一种半导体结构的制造方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：施政宏，杨念慈，陈奕丞，杨尚展，
申请(专利权)人：颀邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71