电子设备和管理闪存的读取电平的方法技术

提供了一种包括闪存和闪存控制器的电子设备。闪存控制器耦合到闪存，并用于管理对闪存的数据存取。闪存控制器包括定时器、存储器和耦合到定时器和存储器的微控制器。定时器用于产生时钟中断。存储器用于在预定时间段内保持被编程到闪存中的数据的条目列表。在每个时钟中断时，微控制器用于写入被编程到闪存中的数据的条目以更新条目列表。

【技术实现步骤摘要】
电子设备和管理闪存的读取电平的方法本申请是申请日为2019年4月30日，名称为“电子设备和管理闪存的读取电平的方法”，申请号为201980000771.1的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及半导体存储器，并且具体涉及管理闪存的读取电平的电子设备和方法。
技术介绍
闪存被广泛用于移动设备和消费电子产品中的非易失性数据存储。闪存通过将存储器单元编程到不同的阈值电压电平来将数据存储在存储器单元的阵列中。在单级单元(SLC，singlelevelcell)闪存中，存储器单元具有两个可能的标称阈值电压电平，并且在2位多级单元(MLC，multi-levelcell)闪存中，存储器单元具有四个可能的标称阈值电压电平。闪存可以采用对应于不同阈值电压电平的若干读取电平来从存储器单元读取数据。闪存可以通过浮栅技术或电荷捕获技术来实现。浮栅闪存可以将电荷存储在隔离的多晶硅导电层中，并且电荷捕获闪存可以将电荷保持俘获在非导电氮化硅绝缘层中。在过去几年中，由于降低了制造成本并提高了写入耐久性，电荷捕获闪存已经越过浮栅闪存得到普及。然而，电荷捕获闪存存在快速的初始电荷损失问题，其中浅捕获电荷在编程后几秒内从闪存单元中逸出，导致电荷随时间泄漏。因此，使用默认读取电平可能无法准确读取闪存单元中的数据，导致渐进的保持损失和读取性能的逐渐降低。因此，需要一种具有可靠读取性能和简单电路结构的闪存器件。
技术实现思路
在本专利技术的一个实施例中，提供了一种包括闪存和闪存控制器的电子设备。闪存控制器耦合到闪存，并用于管理对闪存的数据存取。闪存控制器包括定时器、存储器和耦合到定时器和存储器的微控制器。定时器用于产生时钟中断。存储器用于在预定时间段内保持被编程到闪存中的数据的条目列表。在每个时钟中断时，微控制器用于写入被编程到闪存中的数据的条目以更新条目列表。在本专利技术的另一个实施例中，公开了一种管理闪存的读取电平的方法。该方法由包括闪存和与闪存耦合的闪存控制器的电子设备采用。闪存控制器包括定时器、存储器和微控制器。该方法包括定时器产生时钟中断，存储器在预定的时间段内保持被编程到闪存中的数据的条目列表，并且在每个时钟中断时，微控制器写入被编程到闪存中的数据的条目以更新条目列表。在阅读了在各个图和图示中示出的优选实施例的以下详细描述之后，对本领域技术人员来说，本专利技术的这些和其他目的无疑将变得显而易见。附图说明结合在此并形成申请文件的部分的附图示出了本公开的实施例，并且与说明书一起进一步用于解释本公开的原理并使得相关领域的技术人员能够实现和使用本公开。图1示出了初始保持时段中的存储器单元组的阈值电压分布。图2示出了在初始保持时段之后的存储器单元组的阈值电压分布。图3是根据本专利技术的实施例的电子设备的框图。图4示出了图3中的电子设备采用的正常读取操作的时序图。图5示出了图3中的电子设备采用的最近编程的读取操作的时序图。图6是并入于图3中的闪存中的多路复用器的示意图。图7示出了图3中的最近编程的页面池的示例性数据结构。图8是并入于图3中的电子设备中的程序顺序标签管理(programordertagmanagement)过程的流程图。图9是图3中的电子设备采用的读取电平管理方法的流程图。具体实施方式在本专利技术中，在存储器单元被编程之后的不同时间段，使用不同的读取电平来从存储器单元读取数据，从而解决快速初始电荷损失问题并提供可靠的读取操作。图1和2描绘了根据本专利技术的实施例的管理闪存器件中的存储器单元组的读取电平的原理。特别地，图1示出了用于在编程之后的初始保持时段中使用的阈值电压分布10n和10(n+1)以及最近编程的读取电平Vrdn和Vrd(n+1)，阈值电压分布10n和10(n+1)分别表示在状态n和(n+1)下存储器单元组的阈值电压Vt的分布，并且最近编程的读取电平Vrdn和Vrd(n+1)分别表示用于读取存储器单元组的状态n和(n+1)的读取电平。同样，图2示出了用于初始保持时间段之后的阈值电压分布12n和12(n+1)以及默认读取电平Vrdn'和Vrd(n+1)'，阈值电压分布12n和12(n+1)分别表示在状态n和(n+1)下存储器单元组的阈值电压Vt的分布，并且默认读取电平Vrdn'和Vrd(n+1)'分别表示用于读取存储器单元组的状态n和(n+1)的读取电平。由于存储器单元的特性的差异，诸如硅结构中的缺陷或杂质浓度的变化，存储器单元组表现出阈值电压分布10n、10(n+1)、12n、12(n+1)。最近编程的读取电平Vrdn和Vrd(n+1)被设定为在阈值电压分布10n和10(n+1)之间进行区分，并且类似地，默认读取电平Vrdn'和Vrd(n+1)'被设定为在阈值电压分布12n和12(n+1)之间进行区分。数据检索是通过将读取电平Vrdn、Vrd(n+1)、Vrdn'或Vrd(n+1)'施加到存储器单元组来实现。例如，当最近编程的读取电平Vrd(n+1)被施加到存储器单元组时，状态n中的存储器单元将产生源电流，因为最近编程的读取电平Vrd(n+1)超过阈值电压分布10n中的阈值电压Vt，并且状态(n+1)中的存储器单元将不产生源电流，因为最近编程的读取电平Vrd(n+1)小于阈值电压分布10(n+1)中的阈值电压Vt。结果，通过感测源电流，可以将存储器单元中保持的数据识别为处于状态n或状态(n+1)中。图1和2示出了阈值电压分布随时间的漂移。在初始保持时段消逝之后，阈值电压分布10n和10(n+1)向左漂移以产生阈值电压分布12n和12(n+1)。相应地，读取电平适于补偿阈值电压分布的漂移。具体地，默认读取电平Vrdn'或Vrd(n+1)'分别被设定为比最近编程的读取电平Vrdn和Vrd(n+1)低。因此，在初始保持时段期间，可以采用较高的最近编程的读取电平Vrdn和Vrd(n+1)来读取数据，并且在初始保持时段过去之后，可以采用较低的默认读取电平Vrdn'或Vrd(n+1)'来读取数据，从而保证了用于存储器单元的充分时间的数据保持。可以通过图3中的电子设备3来实现如图1和2中描画的随时间的读取电平适应。电子设备3包括闪存控制器30、物理层收发器32和闪存34。闪存控制器30经由物理层收发器32耦合到闪存34。闪存34包括多个页面340至34n，并且每个页面340至34n包含多个存储器单元，该多个存储器单元布置成阵列用于数据存储。存储器单元可以是单级单元(SLC)或多级单元(MLC)。闪存控制器30可以控制对闪存34的数据存取并管理用于从闪存34读取数据的读取电平。物理层收发器32可以对闪存控制器30和闪存34之间的数据传输进行对接。闪存控制器30包括定时器300、微控制器302、直接存储器存取(DMA)304和存储器306。定时器300顺序地耦合到微控制器302、DMA304，然后耦合到存储器306。定时器300可以产生时钟中断并将其发送到微控制器302以执行需要周期性地处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子设备，包括：/n闪存；以及/n耦合到所述闪存的闪存控制器，被配置为管理对所述闪存的数据存取，并且包括：/n定时器，被配置为产生时钟中断；/n存储器，被配置为在预定时间段内保持被编程到所述闪存中的数据的条目列表；以及/n微控制器，耦合到所述定时器和所述存储器，并且被配置为在每个时钟中断时写入正被编程到所述闪存中的数据的条目以更新所述条目列表，/n其中，所述微控制器被配置为指示所述闪存执行读取操作，所述读取操作是最近编程的读取操作或正常读取操作，其中，执行所述最近编程的读取操作的读取电平超过执行所述正常读取操作的读取电平。/n

【技术特征摘要】
1.一种电子设备，包括：
闪存；以及
耦合到所述闪存的闪存控制器，被配置为管理对所述闪存的数据存取，并且包括：
定时器，被配置为产生时钟中断；
存储器，被配置为在预定时间段内保持被编程到所述闪存中的数据的条目列表；以及
微控制器，耦合到所述定时器和所述存储器，并且被配置为在每个时钟中断时写入正被编程到所述闪存中的数据的条目以更新所述条目列表，
其中，所述微控制器被配置为指示所述闪存执行读取操作，所述读取操作是最近编程的读取操作或正常读取操作，其中，执行所述最近编程的读取操作的读取电平超过执行所述正常读取操作的读取电平。


2.如权利要求1所述的电子设备，其中，所述微控制器还被配置为在从所述闪存读取数据之前从所述存储器读取所述条目列表，并且当所述数据与所述条目列表中的条目匹配时，将指示正被读取的数据是最近编程的数据的最近编程的读取命令发送到所述闪存并指示所述闪存执行所述最近编程的读取操作，并且当所述数据与所述条目列表中的所述条目不匹配时，将指示所述闪存执行所述正常读取操作，所述最近编程的数据被定义为编程之后的初始保持时段中的数据，所述最近编程的读取操作是采用最近编程的读取电平的读取操作，并且所述正常读取操作是采用默认读取电平的读取操作，所述最近编程的读取电平超过所述默认读取电平。


3.如权利要求2所述的电子设备，其中，在读取命令之前发送所述最近编程的读取命令，并且所述读取命令用于指示所述闪存获取其中的数据。


4.如权利要求3所述的电子设备，其中，所述闪存被配置为：存储所述最近编程的读取电平和所述默认读取电平；当接收到所述读取命令和所述最近编程的读取命令时，使用所述最近编程的读取电平来读取数据；并在接收到所述读取命令而不是所述最近编程的读取命令时，使用所述默认读取电平来读取数据。


5.如权利要求4所述的电子设备，其中，所述闪存包括耦合到所述闪存控制器的多路复用器，并且被配置为根据所述最近编程的读取命令在所述最近编程的读取电平和所述默认读取电平之间进行选择。


6.如权利要求1所述的电子设备，其中，所述微控制器还被配置为重置程序顺序标签，并且当所述程序顺序标签小于目标保持计数时，将所述程序顺序标签与所述条目相关联并在每个时钟中断时递增所述程序顺序标签。


7.如权利要求6所述的电子设备，其中，当所述程序顺序标签等于所述目标保持计数时，所述微控制器还被配置为将所述程序顺序标签与所述条目相关联，并在时钟中断时重置所述程序顺序标签。


8.如权利要求1所述的电子设备，其中，所述条目列表中的每个条目包括与所述闪存中的一条数据相对应的逻辑单元号地址、块地址、起始页面地址和结束页面地址。


9.如权利要求1所述的电子设备，其中，所述闪存控制器还包括直接存储器存取(DMA)控制器，所述直接存储器存取(DMA)控制器耦合在所述微控制器和所述存储器之间，并被配置为在所述微控制器和所述存储器之间传递数据的条目。


10...

【专利技术属性】
技术研发人员：张黄鹏，付祥，王颀，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42