【技术实现步骤摘要】
一种GF2结构触摸屏及其制造方法
本专利技术涉及电容式触摸屏领域,具体是涉及一种GF2结构触摸屏及其制造方法。
技术介绍
ITO薄膜(IndiumTinOxidefilm)是一种n型半导体材料,具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。它是液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、电致发光显示器(EL/OLED)、触摸屏(TouchPanel)、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料。现有的电容触控屏的制作工艺中,其中一种为G+G(Glas+Glass)结构,即使用玻璃盖板贴合玻璃功能片,使用该结构的触摸屏就会有两层玻璃材质,整体效果一定是有厚重感,不适合轻薄化产品;随后出现了GFF(Glass+film+film)结构,即使用薄膜功能片替代玻璃的功能片,相对玻璃更好解决轻薄化问题;还有一种将功能片制作在玻璃盖板上,即OGS(OneGlassSolution)结构,其厚度上有优势,但体验性能和强度性能很难达到盖板玻璃的性能,没有GFF结构好;同时,有出现单层的方案如GFM(单层多点解决方案)和GF(单层膜解决方案)的触摸屏结构,都有欠缺;中高端手机比较热衷的触摸屏结构是ON-cell和IN-cell结构,其不同之处在于将触摸屏的功能片集中制作在显示模组LCM上,该结构触摸屏厚度是降低了,但生产成本较高,且线性度和精度性能一般,应用受限。从轻薄化、应用性能及价格成本考虑,GFF触摸屏结构是最具有发展前景的。但目前还不能将GFF结构的触摸屏做的更加轻薄,限制了GFF结构触摸屏的发 ...
【技术保护点】
1.一种GF2结构触摸屏,其特征在于,包括依次连接的玻璃盖板(1)、第一OCA光学胶层(2)和双面ITO薄膜层(5),所述双面ITO薄膜层(5)包括第一ITO导电层(5a)、中线路基材层(5b)和第二ITO导电层(5c),沿所述中线路基材层(5b)厚度方向上的两个端面分别设有所述第一ITO导电层(5a)和所述第二ITO导电层(5c),第一ITO导电层(5a)其中一端面与中线路基材层(5b)连接,中线路基材层(5b)的另一端面与第一OCA光学胶层(2)连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种GF2结构触摸屏,其特征在于,包括依次连接的玻璃盖板(1)、第一OCA光学胶层(2)和双面ITO薄膜层(5),所述双面ITO薄膜层(5)包括第一ITO导电层(5a)、中线路基材层(5b)和第二ITO导电层(5c),沿所述中线路基材层(5b)厚度方向上的两个端面分别设有所述第一ITO导电层(5a)和所述第二ITO导电层(5c),第一ITO导电层(5a)其中一端面与中线路基材层(5b)连接,中线路基材层(5b)的另一端面与第一OCA光学胶层(2)连接。
2.根据权利要求1所述的一种GF2结构触摸屏,其特征在于,所述第二ITO导电层(5c)其中一端面用于中线路基材层(5b)连接,第二ITO导电层(5c)的另一端面连接有第二OCA光学胶层(3),所述第二OCA光学胶层(3)其中一端面与第二ITO导电层(5c)连接,第二OCA光学胶层(3)的另一端面连接有线路保护层(4)。
3.根据权利要求2所述的一种GF2结构触摸屏,其特征在于,所述线路保护层(4)为LCD显示屏或者PET光学膜。
4.根据权利要求3所述的一种GF2结构触摸屏,其特征在于,双面ITO薄膜层(5)上设有呈现交叉网格状设置的ITO线路,所述ITO线路包括X方向ITO线路和Y方向ITO线路,第一ITO导电层(5a)上设有所述X方向交叉线路或所述Y方向交叉线路,第二ITO导电层(5c)上设有Y方向ITO线路或X方向ITO线路,当第一ITO导电层(5a)上设有X方向ITO线路时,第二ITO导电层(5c)上对应设有Y方向ITO线路,当第一ITO导电层(5a)上设有Y方向ITO线路时,第二ITO导电层(5c)上对应设有X方向ITO线路。
5.根据权利要求4所述的一种GF2结构触摸屏,其特征在于,Y方向ITO线路包括一体化成型的Y方向电极线和Y方向引出线。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的一种GF2结构触摸屏的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
在中线路基材层(5b)其中一端面制作第一ITO导电层(5a),并在第一ITO导电层(5a)上形成X方向ITO线路/Y方向ITO线路;
在第一ITO导电层(5a)远离中线路基材层(5b)的一端面贴合上第一OCA光学胶层(2);
在中线路基材层(5b)远离第一ITO导电层(5a)的一端面制作第二ITO导电层(5c),并在第一ITO导电层(5a)上形成Y方向ITO线路/X方向ITO线路;
将第一OCA光学胶层(2)远离中线路基材层(5b)的一端面贴合上玻璃盖板(1)。
7.根据权利要求6所述的一种GF2结构触摸屏的制造方法,其特征在于,在中线路基材层(5b)其中一端面制作第一ITO导电层(5a),并在第一ITO导电层(5a)上形成X方向ITO线路...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘小军,丁永生,
申请(专利权)人:芜湖伦丰电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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