触摸传感器、包括该触摸传感器的窗口堆叠结构和图像显示设备制造技术

一种触摸传感器，包括基板层和设置在该基板层上的感测电极。在感测电极中包括蚀刻区域。蚀刻区域在感测电极中周期性地重复，并且蚀刻区域中各自的宽度在5μm至15μm的范围内。通过蚀刻区域，可以防止与图像显示设备的光学干涉，同时提高透射率。还提供了包括所述触摸传感器的窗口堆叠结构和图像显示设备。

【技术实现步骤摘要】
触摸传感器、包括该触摸传感器的窗口堆叠结构和图像显示设备
本专利技术涉及一种触摸传感器，包括该触摸传感器的窗口堆叠结构以及包括该触摸传感器的图像显示设备。更具体地，本专利技术涉及一种包括图案化感测电极的触摸传感器，以及包括该触摸传感器的窗口堆叠结构和图像显示设备。
技术介绍
随着信息技术的发展，对具有更薄尺寸、轻质、高功耗效率等的显示设备的各种需求正在增加。该显示设备可以包括平板显示设备，例如液晶显示(LCD)设备、等离子显示面板(PDP)设备、电致发光显示设备、有机发光二极管(OLED)显示设备等。还开发了能够通过使用手指或输入工具选择在屏幕上显示的指令来输入用户指示的触摸面板或触摸传感器。触摸面板或触摸传感器可以与显示设备结合，从而可以在一个电子设备中实现显示和信息输入功能。触摸传感器可以堆叠在显示面板上。当用户识别到触摸传感器的感测电极时，显示设备的图像质量可能劣化。此外，当感测电极与显示面板的电极和布线交叠时，用户可能会识别摩尔纹。例如，如在韩国专利申请公开第2014-0092366号中所公开的，最近已开发了与包括触摸传感器的触摸屏面板结合的各种图像显示设备。然而，仍需要开发与图像显示设备具有改善的兼容性的触摸传感器或触摸面板。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，提供了一种具有改善的光学性能的触摸传感器。根据本专利技术的一方面，提供了包括具有改善的光学性能的触摸传感器的窗口堆叠结构和图像显示设备。本专利技术构思的以上方面将通过以下特征或构造来实现：(1)一种触摸传感器，包括：基板层；以及感测电极，该感测电极设置在基板层上，在该感测电极中包括蚀刻区域，其中，该蚀刻区域在感测电极中周期性地重复，并且蚀刻区域中各自的宽度在5μm至15μm的范围内。(2)根据上述(1)所述的触摸传感器，其中，蚀刻区域具有形成在感测电极中的狭缝形状。(3)根据上述(1)所述的触摸传感器，其中，蚀刻区域具有选自由正弦曲线、余弦曲线、锥形区段、悬链线、追踪曲线、摆线、次摆线和心形线组成的组中的弯曲形状。(4)根据上述(1)所述的触摸传感器，其中，蚀刻区域具有在假想多边形的顶点之间延伸的水波形状。(5)根据上述(4)所述的触摸传感器，其中，蚀刻区域具有与一个周期相对应的水波的切割形状。(6)根据上述(1)所述的触摸传感器，其中，蚀刻区域相对于触摸传感器的宽度方向或长度方向以预定的倾斜角倾斜。(7)根据上述(6)所述的触摸传感器，其中，倾斜角在15°至75°的范围内。(8)根据上述(6)所述的触摸传感器，其中，倾斜角在30°至60°的范围内。(9)根据上述(1)所述的触摸传感器，其中，感测电极包括形成感测电极行的第一感测电极和形成感测电极列的第二感测电极，其中，蚀刻区域包括形成在第一感测电极中的第一蚀刻区域和形成在第二感测电极中的第二蚀刻区域。(10)根据上述(9)所述的触摸传感器，其中，感测电极行延伸成相对于触摸传感器的宽度方向以第一倾斜角倾斜，并且感测电极列延伸成相对于触摸传感器的长度方向以第二倾斜角倾斜。(11)根据上述(10)所述的触摸传感器，其中，第一倾斜角和第二倾斜角中的每个在15°至75°的范围内。(12)根据上述(10)所述的触摸传感器，其中，第一倾斜角和第二倾斜角中的每个在30°至60°的范围内。(13)根据上述(9)所述的触摸传感器，其中，感测电极列包括连接部分，该连接部分与相邻的第二感测电极一体连接，并且感测电极行包括桥电极，该桥电极将相邻的第一感测电极电连接。(14)根据上述(13)所述的触摸传感器，其中，连接部分包括形成在其中的第三蚀刻区域。(15)根据上述(14)所述的触摸传感器，其中，桥电极在平面视图中叠置在第三蚀刻区域上。(16)根据上述(9)所述的触摸传感器，还包括虚设图案，该虚设图案由在第一感测电极和第二感测电极的周边之间形成的分隔区域限定。(17)根据上述(16)所述的触摸传感器，其中，感测电极包括单位单元，该单位单元被蚀刻区域围绕，并且虚设图案具有与该单位单元的形状相同的形状。(18)一种窗口堆叠结构，包括：窗口基板；以及根据上述示例性实施方式所述的触摸传感器，该触摸传感器在窗口基板上。(19)一种图像显示设备，包括：显示面板；以及在该显示面板上的根据上述示例性实施方式所述的触摸传感器。(20)根据上述(19)所述的图像显示设备，其中，蚀刻区域被布置为相对于显示面板的宽度方向或长度方向以预定的倾斜角倾斜。在根据本专利技术示例性实施方式的触摸传感器中，感测电极可以在其中包括具有例如波浪形狭缝形状的蚀刻区域。可以包括该蚀刻区域以抑制或减少由于与布置在触摸传感器下方的显示面板的像素结构的规则交叠而引起的摩尔现象。因此，可以防止由于包含触摸传感器而导致的图像显示设备的图像质量劣化。在一些实施方式中，蚀刻区域可以相对于触摸传感器的长度方向或宽度方向以预定的倾斜角倾斜。另外，感测电极也可以沿以倾斜角倾斜的方向布置。因此，可以通过减少与像素结构的规则交叠来更有效地防止摩尔现象。此外，通过蚀刻区域可以提高感测电极的透射率，从而可以进一步提高图像显示设备的图像质量。附图说明图1和图2分别是示出触摸传感器的电极构造的示例的顶视平面图和横截面图。图3是示出触摸传感器的电极构造的示例的示意性横截面图。图4至图6是示出根据示例性实施方式的感测电极的图案结构的局部放大顶视平面图。图7是示出根据一些示例性实施方式的感测电极的图案结构的顶视平面图。图8至图15是示出根据一些示例性实施方式的感测电极的图案结构的顶视平面图。图16是示出根据示例性实施方式的窗口堆叠结构和图像显示设备的示意性横截面图。具体实施方式根据本专利技术的示例性实施方式，提供了一种触摸传感器，该触摸传感器包括感测电极，该感测电极具有形成在其中的蚀刻区域以具有改善的光学性能。此外，提供了一种包括该触摸传感器并且具有改善的图像质量的图像显示设备。在下文中，将参考附图详细描述本专利技术。然而，本领域技术人员将理解，参考附图描述的这种实施方式被提供以进一步理解本专利技术的精神，并且不限制如详细说明书和所附权利要求中所公开的要保护的主题。在附图中，平行于触摸传感器或相同平面(例如，基板层105的顶表面)并且彼此交叉的两个方向被称为第一方向和第二方向。例如，第一方向和第二方向彼此垂直。图1和图2分别是顶视平面图和横截面图，示出了触摸传感器的电极构造的示例。具体地，图2是在图1中指定的交叉区域C处的横截面图。图2示出了具有顶桥结构的触摸传感器。提供图1和图2以示出触摸传感器中的感测电极布置，并且本专利技术的特征和范围不受图1和图2的图示的限制或限定。例如，除了布置感测电极的方向和/或蚀刻区域的形成和布置之外，根据本专利技术示例性实施方式的触摸传感器可以包括如图1和图2所示的构造或元件。此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种触摸传感器，包括：/n基板层；以及/n感测电极，所述感测电极设置在所述基板层上，在所述感测电极中包括蚀刻区域，其中，所述蚀刻区域在所述感测电极中周期性地重复，并且所述蚀刻区域中各自的宽度在5μm至15μm的范围内。/n

【技术特征摘要】
20190214 KR 10-2019-0017312;20190214 KR 10-2019-001.一种触摸传感器，包括：
基板层；以及
感测电极，所述感测电极设置在所述基板层上，在所述感测电极中包括蚀刻区域，其中，所述蚀刻区域在所述感测电极中周期性地重复，并且所述蚀刻区域中各自的宽度在5μm至15μm的范围内。


2.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中，所述蚀刻区域具有形成在所述感测电极中的狭缝形状。


3.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中，所述蚀刻区域具有选自由正弦曲线、余弦曲线、锥形区段、悬链线、追踪曲线、摆线、次摆线和心形线组成的组中的弯曲形状。


4.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中，所述蚀刻区域具有在假想多边形的顶点之间延伸的水波形状。


5.根据权利要求4所述的触摸传感器，其中，所述蚀刻区域具有与一个周期相对应的水波的切割形状。


6.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中，所述蚀刻区域相对于所述触摸传感器的宽度方向或长度方向以预定的倾斜角倾斜。


7.根据权利要求6所述的触摸传感器，其中，所述倾斜角在15°至75°的范围内。


8.根据权利要求6所述的触摸传感器，其中，所述倾斜角在30°至60°的范围内。


9.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中，所述感测电极包括形成感测电极行的第一感测电极和形成感测电极列的第二感测电极，
其中，所述蚀刻区域包括形成在所述第一感测电极中的第一蚀刻区域和形成在所述第二感测电极中的第二蚀刻区域。


10.根据权利要求9所述的触摸传感器，其中，所述感测电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：权度亨，鲁圣辰，朴详辰，柳汉太，李俊九，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR