【技术实现步骤摘要】
一种基于磁模式Fano共振的折射率传感器及其制备方法
本专利技术涉及小型传感器件，具体涉及一种基于磁模式Fano共振的折射率传感器及其制备方法。技术背景折射率传感器在材料鉴别、水质监测、医疗诊断等领域具有重要的潜在应用价值，正成为一个新的研究热点。折射率传感器根据工作原理，大致可以分为两类，分别是电学折射率传感器及光学折射率传感器。期中，光学折射率传感器因抗电磁干扰能力强、灵敏度高、容易集成等优点收到广泛关注。光学Fano共振由于损耗小、品质因子高、对环境折射率敏感等优点常成为光学折射率传感器采用的共振模式，通过对Fano共振波长变化的测定，获得环境折射率的变动情况。Fano共振根据电磁辐射的性质，又可以分为电模式的Fano共振及磁模式的Fano共振。目前，基于Fano共振的折射率传感器多部分是利用的电模式的Fano共振，与磁模式的Fano共振比较，存在损耗相对较高、共振线宽较宽、灵敏度较低的缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种基于磁模式Fano共振的折射率传感器，克服基于电模式...
【技术保护点】
1.一种折射率传感器，其特征在于，具有以下结构：/n①七聚体纳米天线；所述的七聚体纳米天线由位于中心的大圆盘与均匀环绕中心大圆盘的六个小圆盘组成，大圆盘的直径为160纳米，小圆盘的直径为100纳米，大圆盘与小圆盘的圆心距离为210纳米，大圆盘与小圆盘的厚度均为50纳米，大圆盘与小圆盘的材质均为金；/n②电介质层；所述的电介质层厚度为150纳米，材质为三氧化二铝，所述的电介质层的上表面与①中所述七聚体纳米天线的下表面重合；/n③耦合层；所述的耦合层为一层平整的金属膜，材质为金，厚度为200纳米，所述的耦合层上表面与②中所述电介质层的下表面重合，所述的耦合层可与①中所述七聚体纳...
【技术特征摘要】
1.一种折射率传感器，其特征在于，具有以下结构：
①七聚体纳米天线；所述的七聚体纳米天线由位于中心的大圆盘与均匀环绕中心大圆盘的六个小圆盘组成，大圆盘的直径为160纳米，小圆盘的直径为100纳米，大圆盘与小圆盘的圆心距离为210纳米，大圆盘与小圆盘的厚度均为50纳米，大圆盘与小圆盘的材质均为金；
②电介质层；所述的电介质层厚度为150纳米，材质为三氧化二铝，所述的电介质层的上表面与①中所述七聚体纳米天线的下表面重合；
③耦合层；所述的耦合层为一层平整的金属膜，材质为金，厚度为200纳米，所述的耦合层上表面与②中所述电介质层的下表面重合，所述的耦合层可与①中所述七聚体纳米天线发生耦合，提供其电磁镜像。
2.根据权利要求1所述的折射率传感器，其特征在于，利用磁模式的Fano共振随环境折射率的变化进行工作。
3.一种制备如权利要求1所述的折射率传感器的方法，其特征在于，包含以下步骤：
①硅片清洗：将边长为2厘米的方形硅片放入体积分数为50%的乙醇与去离子水混合溶液中，超声清洗15分钟，放入鼓风干燥箱中烘干，烘干温度优选50摄氏...
【专利技术属性】
技术研发人员：王宗鹏，钟文武，申士杰，林志萍，
申请(专利权)人：台州学院，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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