一种板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法技术

本发明专利技术提供一种板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法，其特征在于，包括：步骤1，对板式PECVD设备中的反应仓进行检漏；步骤2，设定符合镀膜要求的反应仓和单管的反应条件的参数值；步骤3，空运行一遍石墨框，并等待反应仓和单管的反应条件的参数值稳定；步骤4，测试第一根单管，调整石墨框的传输速度；步骤5，重复步骤3；步骤6，将石墨框装上待镀膜硅片送入反应仓进行镀膜；步骤7，重复步骤4‑6，依次完成多根单管对硅片的镀膜；步骤8，分析每一根单管镀膜后的镀膜效果。根据本发明专利技术实施例提供的板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法，能够可以精确检测每根单管的镀膜效果，快速找出镀膜异常的单管，解决了板式PECVD设备检修发现问题用时久。

【技术实现步骤摘要】
一种板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法
本专利技术主要涉及光伏电池领域，具体涉及一种板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法。
技术介绍
目前，板式PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学的气相沉积法)是太阳能电池制作过程中重要的一道工序，其目的是在硅片表面形成一层减反射膜。该反射膜对颜色、膜厚和折射率均有一定的要求。在链式PECVD设备镀膜过程中，由于石英单管之间反应气体氨气和硅烷流量的不同，加上温度、时间的区别，导致电池片镀膜的颜色、膜厚和折射率有差异，电池片的镀膜效果不一致，达不到设计要求，同时影响了电池转换效率。沉积氮化硅薄膜时，板式PECVD机台反应仓中每根管对应一套独立的镀膜系统(石英管、氨气气路、硅烷气路、氨气流量、硅烷流量、电源)，每根管的镀膜出现异常都会影响整体的镀膜效果。传统对板式PECVD设备进行检修的主要方式是：凭借经验对设备进行维修，也就是打开反应仓进行清理并查找问题，这种检测方式不能精准的判断具体哪根石英管在镀膜过程中出现了异常影响整体镀膜效果，发现问题用时过长，会造成产量降低，进而导致生产成本升高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法，可精确检测每根单管的镀膜效果，可以快速检验出镀膜异常位置，针对性解决了板式PECVD设备检修问题排查难，用时久，导致产量降低，成本升高的问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：根据本专利技术第一方面实施例的板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法，包括：步骤1，对板式PECVD设备中的反应仓进行检漏，以确保反应仓无漏点；步骤2，设定所述反应仓的镀膜的反应条件的参数值，以及设定所述单管镀膜时的反应条件的参数值，所述反应仓的反应条件的参数值和所述单管的反应条件的参数值符合镀膜的参数要求；步骤3，在石墨框为空的状态时，运行所述反应仓和所述单管，将所述石墨框传入至所述反应仓，并从所述反应仓内输出，并等待所述反应仓和所述单管的反应条件的参数值稳定；步骤4，测试第一根所述单管，关闭其余所述单管的运行，保持第一根所述单管处于镀膜的运行状态，且所述单管的反应条件的参数值不变，调整用于运输所述石墨框传输带的运行速度；步骤5，重复步骤3；步骤6，将第一根所述单管对应的一排所述石墨框上的一排子框格装上待镀膜硅片，将所述待镀膜硅片送入所述反应仓进行镀膜；步骤7，重复步骤4-6，依次完成余下单管对硅片的镀膜；步骤8，分析每一根单管镀膜后的硅片，以判断每根单管的镀膜效果。优选地，分析每一根单管镀膜后的硅片，包括：对经过每一根单管镀膜后的硅片进行检测，以确定每一根单管的是否满足镀膜的要求。优选地，对经过每一根单管镀膜后的硅片进行检测，以确定每一根单管的是否满足镀膜的要求，包括：将硅片镀膜的厚度与标准值比较，判断是否符合镀膜标准；将硅片镀膜的折射率与标准值比较，判断是否符合镀膜标准。优选地，当测量得到的所述硅片的镀膜的厚度和折射率中的至少一项不满足镀膜的要求时，则该硅片对应的单管异常，并进行检修。优选地，所述对板式PECVD设备中的反应仓进行检漏包括：关闭所述反应仓，将所述反应仓内抽真空，当所述反应仓的内压力低于第一压力值后停止抽真空；测试所述反应仓的压力，计算出漏率值，若所述漏率值大于等于第一漏率值，排查所述反应仓的漏气位置，直至确定反应仓无漏点，其中所述反应仓无漏点表征所述反应仓的漏率值小于所述第一漏率值。优选地，所述第一压力值为0.05mbar。优选地，所述反应仓的第一漏率值为0.75mbar*L/S。优选地，所述反应仓的反应条件的参数值为：所述反应仓的第二压力值为0.2～0.3mbar；所述反应仓的第一温度值为300～500℃；所述反应仓运行的第一带速为200～300cm/min。优选地，所述单管的反应条件的参数值为：所述单管氨气流量的第一流量为500～700sccm；所述单管硅烷流量的第二流量为100～300sccm；所述单管相位的第一相位为50；所述单管功率的第一功率为3000～4000W。本专利技术的上述技术方案至少具有如下有益效果之一：根据本专利技术实施例的板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法，能够可以精确检测每根单管的镀膜效果，快速找出镀膜异常的单管，避免加工时硅片镀膜异常，针对性解决了板式PECVD设备检问题排查难，用时久，导致产量降低，成本升高的问题，有效的提高生产效率。附图说明图1为本专利技术实施例的板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法的流程图。具体实施方式下面首先结合附图具体描述根据本专利技术第一方面实施例的板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法。如图1所示，根据本专利技术实施例的板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法，包括以下步骤：步骤S1，对板式PECVD设备中的反应仓进行检漏，以确保反应仓无漏点。其中，如果反应仓有漏点，先排查反应仓的漏气位置，并进行设备修理，如果反应仓没有漏点，继续下面步骤，通过单管对硅片镀膜，并检测硅片的镀膜效果。步骤S2，设定反应仓的反应条件的参数值，以及设定单管的反应条件的参数值，反应仓的反应条件的参数值和单管的反应条件的参数值符合镀膜的参数要求。可以理解的是，为了得到准确的每根单管镀膜效果的比较结果，在不同单管进行镀膜反应时，应该设定反应仓的反应条件的参数值一致，且单管的反应条件的参数值与其他单管相同，避免了硅片镀膜时反应条件不同造成镀膜检测结果不准确，检修设备时产生误判。步骤S3，在石墨框为空的状态时，将石墨框传入至反应仓，并从反应仓内输出，并等待反应仓和单管的反应条件的参数值稳定。也就是说，在上一步骤设定好反应仓和单管的反应条件的参数值后，不需要将硅片装入石墨框，而是将空的石墨框传入至反应仓内，停留1.5-2.5分钟后，将石墨框输出反应仓，其中，石墨框以1500～2000cm/min的速度输出反应仓。由此，保证了硅片镀膜时反应仓和单管的反应条件一致。步骤S4，测试第一根单管，关闭其余单管的运行，保持第一根单管处于镀膜的运行状态，且该单管的反应条件的参数值不变，调整用于运输所述石墨框的传输带的运行速度。其中，第一根单管的反应条件的参数值与步骤2设定的一致，减慢所述石墨框的传输速度为40～60cm/min，这样，可以保证单管对石墨框中装的硅片镀膜充分，避免了石墨框运行速度过快造成的硅片镀膜不充分。步骤S5，重复步骤S3。也就是说，每测试完一根单管，需要重新将空的石墨框传入至反应仓内，停留1.5-2.5分钟后，将石墨框输出反应仓，等待反应仓和单管的反应条件的参数值稳定，即达到相同的镀膜反应条件，再进行下面步骤的测试，避免了不同的镀膜反应条件下取得镀膜结果的分析不准确。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法，其特征在于，包括：/n步骤1，对板式PECVD设备中的反应仓进行检漏，以确保反应仓无漏点；/n步骤2，设定所述反应仓的镀膜的反应条件的参数值，以及设定所述单管镀膜时的反应条件的参数值，所述反应仓的反应条件的参数值和所述单管的反应条件的参数值符合镀膜的参数要求；/n步骤3，在石墨框为空的状态时，运行所述反应仓和所述单管，将所述石墨框传入至所述反应仓，并从所述反应仓内输出，并等待所述反应仓和所述单管的反应条件的参数值稳定；/n步骤4，测试第一根所述单管，关闭其余所述单管的运行，保持第一根所述单管处于镀膜的运行状态，且所述单管的反应条件的参数值不变，调整用于运输所述石墨框的传输带的运行速度；/n步骤5，重复步骤3；/n步骤6，将第一根所述单管对应的所述石墨框上的一排子框格装上待镀膜硅片，将所述待镀膜硅片送入所述反应仓进行镀膜；/n步骤7，重复步骤4-6，依次完成余下单管对硅片的镀膜；/n步骤8，分析每一根单管镀膜后的硅片，以判断每根单管的镀膜效果。/n

【技术特征摘要】
1.一种板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法，其特征在于，包括：
步骤1，对板式PECVD设备中的反应仓进行检漏，以确保反应仓无漏点；
步骤2，设定所述反应仓的镀膜的反应条件的参数值，以及设定所述单管镀膜时的反应条件的参数值，所述反应仓的反应条件的参数值和所述单管的反应条件的参数值符合镀膜的参数要求；
步骤3，在石墨框为空的状态时，运行所述反应仓和所述单管，将所述石墨框传入至所述反应仓，并从所述反应仓内输出，并等待所述反应仓和所述单管的反应条件的参数值稳定；
步骤4，测试第一根所述单管，关闭其余所述单管的运行，保持第一根所述单管处于镀膜的运行状态，且所述单管的反应条件的参数值不变，调整用于运输所述石墨框的传输带的运行速度；
步骤5，重复步骤3；
步骤6，将第一根所述单管对应的所述石墨框上的一排子框格装上待镀膜硅片，将所述待镀膜硅片送入所述反应仓进行镀膜；
步骤7，重复步骤4-6，依次完成余下单管对硅片的镀膜；
步骤8，分析每一根单管镀膜后的硅片，以判断每根单管的镀膜效果。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分析每一根单管镀膜后的硅片，包括：
对经过每一根单管镀膜后的硅片进行检测，以确定每一根单管的是否满足镀膜的要求。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对经过每一根单管镀膜后的硅片进行检测，以确定每一根单管的是否满足镀膜的要求，包括：
将硅片镀膜的厚度与标准值比较，判断是否符合镀膜标准；
将硅片镀膜的折射率与标准值比较，判断是否符合...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵环，王贵梅，张福庆，
申请(专利权)人：晶澳太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13