一种制备(222)强织构ITO薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备(222)强织构ITO薄膜的方法，包括以下步骤：(1)清洗硅基片并安装于磁控溅射设备的腔室中；(2)将靶材放置于磁控溅射设备的腔室内，调整靶材和硅基片之间的距离；(3)对腔室进行抽真空处理；(4)对硅基片进行加热处理；(5)向腔室通入氩气和氧气；(6)开启磁控溅射设备，对硅基片进行溅射；(7)溅射完成后，得到(222)晶面高度择优取向的ITO薄膜。本发明专利技术通过实现了在普通单晶Si(100)基底上制备(222)晶面高度择优取向的ITO薄膜，无需引入种子层，利于高质量电子陶瓷薄膜在Si上的集成，具有结晶性良好，工艺简便，易于工业化的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种制备(222)强织构ITO薄膜的方法
本专利技术属于一种半导体导电薄膜制备
，具体涉及一种制备(222)强织构ITO薄膜的方法。
技术介绍
ITO(氧化铟锡)薄膜是一种备受关注的半导体材料，由于它具有出色的光电性能，可以作为透明导电氧化物(TCO)材料，通过在沉积过程中对工艺参数的调整，以获得用于特定应用的材料。由于这些特性，ITO膜可用于开发高性能光电和光伏设备，而为了将ITO薄膜用于光伏应用，需要具有可复制特性的样品。制备ITO薄膜的方法有化学溶液沉积、磁控溅射、脉冲激光沉积等方法，在众多的ITO薄膜制备方法中，射频磁控溅射应用最为广泛，它具有效率高，并可大面积均匀成膜等特点，但目前采用射频磁控溅射制备的ITO薄膜大多是在玻璃等非晶态基底上沉积，而在普通单晶硅(100)上易制备出多晶取向或(400)择优取向的ITO薄膜。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种制备(222)强织构ITO薄膜的方法，以实现高质量电子陶瓷薄膜在Si上的集成。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为：一种制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备(222)强织构ITO薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：/n(1)清洗硅基片并安装于磁控溅射设备的腔室中；/n(2)将靶材放置于磁控溅射设备的腔室内，调整靶材和硅基片之间的距离；/n(3)对腔室进行抽真空处理；/n(4)对硅基片进行加热处理；/n(5)向腔室通入氩气和氧气；/n(6)开启磁控溅射设备，对硅基片进行溅射；/n(7)溅射完成后，得到(222)晶面高度择优取向的ITO薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种制备(222)强织构ITO薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)清洗硅基片并安装于磁控溅射设备的腔室中；
(2)将靶材放置于磁控溅射设备的腔室内，调整靶材和硅基片之间的距离；
(3)对腔室进行抽真空处理；
(4)对硅基片进行加热处理；
(5)向腔室通入氩气和氧气；
(6)开启磁控溅射设备，对硅基片进行溅射；
(7)溅射完成后，得到(222)晶面高度择优取向的ITO薄膜。


2.根据权利要求1所述的制备(222)强织构ITO薄膜的方法，其特征在于：所述步骤(1)中，硅基片清洗的具体步骤为：依次用丙酮、无水乙醇、去离子水各超声波清洗15min，清洗处理完成后用高纯氮气吹干。


3.根据权利要求1所述的制备(222)强织构ITO薄膜的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，调整靶材和硅基片之间的距离为60...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟，姜智艺，鲍建秋，胡芳仁，张雪花，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32