半导体装置以及相关控制逻辑组合件、控制逻辑装置、电子系统及方法制造方法及图纸

一种半导体装置包括包括叠组的堆叠结构，所述叠组各自包括包括存储器元件的存储器元件层级及与存储器元件层级电连通且包括控制逻辑装置的控制逻辑层级。所述叠组中的一或多者的所述控制逻辑层级的所述控制逻辑装置中的至少一者包括至少一个装置，所述至少一个装置展现由其相邻竖直晶体管共享的栅电极。还描述控制逻辑组合件、控制逻辑装置、电子系统、形成控制逻辑装置的方法以及操作半导体装置的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及相关控制逻辑组合件、控制逻辑装置、电子系统及方法优先权要求本申请案要求2017年12月29日申请的第15/858,188号美国专利申请案“半导体装置以及相关控制逻辑组合件、控制逻辑装置、电子系统及方法(SEMICONDUCTORDEVICES,ANDRELATEDCONTROLLOGICASSEMBLIES,CONTROLLOGICDEVICES,ELECTRONICSYSTEMS,ANDMETHODS)”的申请日的权益。
本公开的实施例涉及半导体装置设计及制造领域。更具体地说，本公开的实施例涉及包含共享栅电极的控制逻辑、包含所述控制逻辑装置的控制逻辑组合件及半导体装置、形成所述控制逻辑装置的方法、操作所述半导体装置的方法以及包含所述半导体装置的电子系统。
技术介绍
半导体装置设计师通常希望通过减小个别特征的尺寸及通过减小相邻特征之间的分隔距离来增大半导体装置内的特征的集成度或密度。另外，半导体装置设计师通常希望设计不仅紧凑而且提供性能优势以及简化设计的架构。半导体装置的一个实例为存储器装置。存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：/n包括叠组的堆叠结构，所述叠组各自包括：/n存储器元件层级，其包括存储器元件；以及/n控制逻辑层级，其与所述存储器元件层级电连通且包括控制逻辑装置，所述叠组中的一或多者的所述控制逻辑层级的所述控制逻辑装置中的至少一者包括至少一个装置，所述至少一个装置展现由其相邻竖直晶体管共享的栅电极。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171229 US 15/858,1881.一种半导体装置，其包括：
包括叠组的堆叠结构，所述叠组各自包括：
存储器元件层级，其包括存储器元件；以及
控制逻辑层级，其与所述存储器元件层级电连通且包括控制逻辑装置，所述叠组中的一或多者的所述控制逻辑层级的所述控制逻辑装置中的至少一者包括至少一个装置，所述至少一个装置展现由其相邻竖直晶体管共享的栅电极。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括与所述堆叠结构电连通且包括额外控制逻辑装置的基底控制逻辑结构。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中：
所述堆叠结构的所述叠组中的每一者的所述控制逻辑层级的所述控制逻辑装置包括本地叠组解码器、列解码器、行解码器、感测放大器、字线驱动器、修复装置、存储器测试装置、多路复用器、错误检查及校正装置以及自刷新装置中的一或多者；且
所述基底控制逻辑结构的所述额外控制逻辑装置包括电荷泵、延迟锁定环路装置及漏极供应电压调节器中的一或多者。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述堆叠结构的所述叠组中的每一者的所述控制逻辑层级展现与所述堆叠结构的所述叠组中的每一其它者的所述控制逻辑层级的配置大体上相同的配置。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述至少一个装置包括反相器、双输入NAND门、平衡反相器、平衡发射导通门及平衡双输入NAND门中的一或多者。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述至少一个装置包括至少一个电路，所述至少一个电路包括具有N型沟道区的至少一个竖直晶体管及具有P型沟道区的至少一个额外竖直晶体管，所述至少一个竖直晶体管与所述至少一个额外竖直晶体管共享其至少一个栅电极。


7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述至少一个装置的所述相邻竖直晶体管的半导电结构在第一侧向方向上彼此对准；且
所述栅电极在大体上垂直于所述第一侧向方向的第二侧向方向上侧向介入于所述相邻竖直晶体管的所述半导电结构之间。


8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述至少一个装置进一步展现不由其相邻竖直晶体管共享的一或多个额外栅电极。


9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述控制逻辑装置中的所述至少一者包括：
竖直晶体管，其包括：
半导电结构，且包括源极区、漏极区及在所述源极区与所述漏极区之间的沟道区；以及
共享栅电极；以及
另一竖直晶体管，其包括：
另一半导电结构，其包括另一源极区、另一漏极区及在所述另一源极区与所述另一漏极区之间的另一沟道区；以及
所述共享栅电极，所述共享栅电极侧向介入于所述半导电结构的所述沟道区与所述另一半导电结构的所述另一沟道区之间。


10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中：
所述竖直晶体管的所述半导电结构包括N型源极区、N型漏极区及竖直处于所述N型源极区与所述N型漏极区之间的P型沟道区；且
所述另一竖直晶体管的所述另一半导电结构包括P型源极区、P型漏极区及竖直处于所述P型源极区与所述P型漏极区之间的N型沟道区。


11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中：
所述竖直晶体管的所述半导电结构包括P型源极区、P型漏极区及竖直处于所述P型源极区与所述P型漏极区之间的N型沟道区；且
所述另一竖直晶体管的所述另一半导电结构包括额外P型源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·D·拜格尔，S·E·西里斯，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US