基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质，能够提高基板上所形成的膜的基板面内膜厚分布的控制性。基板处理装置的气体供给系统具备：将第一处理气体暂时性地贮留的第一贮留部、将第一处理气体暂时性地贮留的第二贮留部、使第一贮留部内贮留的第一处理气体从基板的外周向朝向基板的中心的方向供给的第一气体供给口、以及构成为将第二贮留部内贮留的第一处理气体从基板的外周向比从基板的外周向朝向基板的中心的方向靠基板的外周侧的方向供给的第二气体供给口。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质
本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质。
技术介绍
作为半导体装置的制造工序的一工序，有时进行在基板上形成膜的工序。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本公开的目的在于，提供一种能够提高基板上所形成的膜的基板面内膜厚分布的控制性的技术。用于解决课题的方案根据本公开的一方案，提供如下的技术，其具备：处理室，其容纳基板；第一气体供给系统，其向所述处理室内供给含有预定元素的第一处理气体；第二气体供给系统，其向所述处理室内供给化学结构与所述第一处理气体不同的第二处理气体；排气系统，其对所述处理室内进行排气；以及控制部，其构成为以非同时地执行预定次数第一处理和第二处理而在所述基板上形成含有所述预定元素的膜的方式对所述第一气体供给系统、所述第二气体供给系统、所述排气系统进行控制，其中，该第一处理是向所述处理室内的基板供给所述第一处理气体，该第二处理是向所述处理室内的所述基板供给所述第二处理气体，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：/n处理室，其容纳基板；/n第一气体供给系统，其向所述处理室内供给含有预定元素的第一处理气体；/n第二气体供给系统，其向所述处理室内供给化学结构与所述第一处理气体不同的第二处理气体；/n排气系统，其对所述处理室内进行排气；以及/n控制部，其构成为以非同时地执行预定次数第一处理和第二处理而在所述基板上形成含有所述预定元素的膜的方式对所述第一气体供给系统、所述第二气体供给系统、所述排气系统进行控制，其中，该第一处理是向所述处理室内的基板供给所述第一处理气体，该第二处理是向所述处理室内的所述基板供给所述第二处理气体，/n所述第一气体供给系统具备：/n第一贮留部...

【技术特征摘要】
20190213 JP 2019-0233801.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
处理室，其容纳基板；
第一气体供给系统，其向所述处理室内供给含有预定元素的第一处理气体；
第二气体供给系统，其向所述处理室内供给化学结构与所述第一处理气体不同的第二处理气体；
排气系统，其对所述处理室内进行排气；以及
控制部，其构成为以非同时地执行预定次数第一处理和第二处理而在所述基板上形成含有所述预定元素的膜的方式对所述第一气体供给系统、所述第二气体供给系统、所述排气系统进行控制，其中，该第一处理是向所述处理室内的基板供给所述第一处理气体，该第二处理是向所述处理室内的所述基板供给所述第二处理气体，
所述第一气体供给系统具备：
第一贮留部，其在每次进行所述第一处理时暂时性地贮留所述第一处理气体；
第二贮留部，其在每次进行所述第一处理时暂时性地贮留所述第一处理气体；
第一气体供给口，其构成为从所述基板的外周向所述基板的中心供给所述第一贮留部内贮留的所述第一处理气体；以及
第二气体供给口，其构成为从所述基板的外周向比从所述基板的外周朝向所述基板的中心的方向靠所述基板的外周侧供给所述第二贮留部内贮留的所述第一处理气体。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二气体供给口构成为向从所述第二气体供给口朝向所述基板的中心的方向和从所述第二气体供给口朝向所述基板的外周的方向之间的预定的方向供给所述第二贮留部内贮留的所述第一处理气体。


3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一气体供给口和所述第二气体供给口在所述基板的外周方向上设置于彼此相邻的位置。


4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二气体供给口构成为相对于从所述第二气体供给口朝向所述基板的中心的方向，朝向所述基板的外周侧且向24°以上且30°以下的范围内的预定角度的方向供给所述第二贮留部内贮留的所述第一处理气体。


5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二气体供给口构成为朝向比与从所述第一气体供给口供给所述第一处理气体的方向平行的方向靠所述基板的外周侧的方向供给所述第二贮留部内贮留的所述第一处理气体。


6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为按以下方式对所述第一气体供给系统和所述排气系统进行控制，即：
在所述第一处理中，在对所述处理室内进行排气之后，在使所述排气系统封闭的状态下，将所述第一贮留部内贮留的所述第一处理气体以及所述第二贮留部内贮留的所述第一处理气体分别向所述处理室内供给。


7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为以对所述第一贮留部内贮留的所述第一处理气体的量和所述第二贮留部内贮留的所述第一处理气体的量分别独立地进行调整的方式控制所述第一气体供给系统。


8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为以所述第一贮留部内贮留的所述第一处理气体的量与所述第二贮留部内贮留的所述第一处理气体的量的比率成为预定比率的方式控制所述第一气体供给系统。


9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为以使所述第一贮留部内贮留的所述第一处理气体的量与所述第二贮留部内贮留的所述第一处理气体的量的比率变化的方式控制所述第一气体供给系统，从而调整形成在所述基板上的膜的面内膜厚分布。


10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述处理室内以预定的间隔堆积并容纳多个所述基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥田和幸，樱井修三，井之口泰启，南政克，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP