鳍状结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种鳍状结构及其制造方法，该鳍状结构包含有一基底，具有一第一鳍状结构位于一第一区，以及一第二鳍状结构位于一第二区，其中第二鳍状结构包含一阶梯状的剖面结构部分。本发明专利技术也提供二种形成此鳍状结构的方法。例如，提供一基底，具有一第一鳍状结构以及一第二鳍状结构。接着，进行一处理制作工艺，将第二鳍状结构的顶部的一外表面改质，而形成一改质部。其后，进行一移除制作工艺，经由对于第一鳍状结构以及第二鳍状结构与对于改质部的高移除选择比，而移除改质部，因而形成具有一阶梯状的剖面结构部分的第二鳍状结构。

【技术实现步骤摘要】
鳍状结构及其制造方法本专利技术是中国专利技术专利申请(申请号：201410454915.X，申请日：2014年09月09日，专利技术名称：鳍状结构及其制造方法)的分案申请。
本专利技术涉及一种鳍状结构及其制造方法，且特别是涉及一种具有一阶梯状的剖面结构的鳍状结构及其制造方法。
技术介绍
随着半导体元件尺寸的缩小，维持小尺寸半导体元件的效能是目前业界的主要目标。为了提高半导体元件的效能，目前已逐渐发展出各种多栅极场效晶体管元件(multi-gateMOSFET)。多栅极场效晶体管元件包含以下几项优点。首先，多栅极场效晶体管元件的制作工艺能与传统的逻辑元件制作工艺整合，因此具有相当的制作工艺相容性；其次，由于立体结构增加了栅极与基底的接触面积，因此可增加栅极对于通道区域电荷的控制，从而降低小尺寸元件带来的漏极引发的能带降低(DrainInducedBarrierLowering，DIBL)效应以及短通道效应(shortchanneleffect)；此外，由于同样长度的栅极具有更大的通道宽度，因此也可增加源极与漏极间的电流量。更进一步本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成鳍状结构的方法，包含有：/n提供基底，具有第一鳍状结构，位于第一区；以及第二鳍状结构位于第二区；/n形成第一栅极跨设该第一鳍状结构，以及第二栅极跨设该第二鳍状结构，其中该第一栅极依序包含第一介电层以及第一牺牲栅极覆盖该第一鳍状结构，且该第二栅极依序包含第二介电层以及第二牺牲栅极覆盖该第二鳍状结构；/n移除该第一牺牲栅极以及该第二牺牲栅极，因而暴露出该第一介电层以及该第二介电层；/n覆盖掩模于该第一区但暴露出该第二区；/n进行移除制作工艺，移除该第二鳍状结构的顶部的外表面；以及/n移除该掩模。/n

【技术特征摘要】
1.一种形成鳍状结构的方法，包含有：
提供基底，具有第一鳍状结构，位于第一区；以及第二鳍状结构位于第二区；
形成第一栅极跨设该第一鳍状结构，以及第二栅极跨设该第二鳍状结构，其中该第一栅极依序包含第一介电层以及第一牺牲栅极覆盖该第一鳍状结构，且该第二栅极依序包含第二介电层以及第二牺牲栅极覆盖该第二鳍状结构；
移除该第一牺牲栅极以及该第二牺牲栅极，因而暴露出该第一介电层以及该第二介电层；
覆盖掩模于该第一区但暴露出该第二区；
进行移除制作工艺，移除该第二鳍状结构的顶部的外表面；以及
移除该掩模。


2.如权利要求1所述的形成鳍状结构的方法，在移除掩模之后，还包含：
形成介电层覆盖该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构。


3.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈文骏，傅思逸，吴彦良，刘家荣，洪裕祥，张仲甫，吕曼绫，陈意维，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71