【技术实现步骤摘要】
制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路
本公开涉及半导体
,特别是涉及一种制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路。
技术介绍
硅光子技术利用光信号代替电信号来传输数据。它提供了高集成度、高传输速率、低功耗等优点,并且因此被认为是有前景的技术。基于互补金属化合物半导体(CMOS)工艺来开发面向硅光芯片的工艺是业内的主流研究方向。然而,CMOS工艺兼容的硅光工艺正面临一些挑战。例如,为了提供到光子器件的光学传输通道,需要利用开窗工艺来刻透硅光芯片中的多层介电材料层,导致硅光工艺的大规模应用变得困难。另外,为了实现电学性能(例如,微波损耗)的改善,可能需要牺牲硅光芯片其他方面的性能(例如,结构稳定性)。在硅光子器件集成技术中,也存在针对有源器件的特殊设计的需要。
技术实现思路
提供一种缓解、减轻或者甚至消除上述问题中的一个或多个的机制将是有利的。根据本公开的一些实施例,提供了一种制作半导体器件的方法。该包括:提供绝缘体上半导体衬底,所述绝缘体上半导体衬底包括第一衬底、所述第一衬底上的第一绝缘层以及所述第一绝缘层上的半导体层;对所述半导体层进行图案化以形成光栅耦合器以及有源器件的本体;在所述半导体层背离所述第一绝缘层的一侧形成彼此堆叠的至少一个功能层;在所述至少一个功能层背离所述半导体层的一侧,将所述至少一个功能层与载体衬底进行键合;完全移除所述第一衬底,以使得在所述光栅耦合器与所述半导体器件的位于所述第一绝缘层背离所述半导体层一侧的外部之间,经由所述第一绝缘层而 ...
【技术保护点】
1.一种制作半导体器件的方法,包括:/n提供绝缘体上半导体衬底,所述绝缘体上半导体衬底包括第一衬底、所述第一衬底上的第一绝缘层以及所述第一绝缘层上的半导体层;/n对所述半导体层进行图案化以形成光栅耦合器以及有源器件的本体;/n在所述半导体层背离所述第一绝缘层的一侧形成彼此堆叠的至少一个功能层;/n在所述至少一个功能层背离所述半导体层的一侧,将所述至少一个功能层与载体衬底进行键合;/n完全移除所述第一衬底,以使得在所述光栅耦合器与所述半导体器件的位于所述第一绝缘层背离所述半导体层一侧的外部之间,经由所述第一绝缘层而不经由所述第一衬底提供光学传输通道;/n形成多个通孔,所述多个通孔从所述第一绝缘层的背离所述半导体层的表面延伸至所述至少一个功能层中;以及/n在所述第一绝缘层的背离所述半导体层一侧形成金属布线层,所述金属布线层与所述多个通孔电连接,其中,所述金属布线层在所述载体衬底上的正交投影与所述光栅耦合器在所述载体衬底上的正交投影不重叠,以及其中,所述金属布线层和所述多个通孔部分地包围所述有源器件。/n
【技术特征摘要】
1.一种制作半导体器件的方法,包括:
提供绝缘体上半导体衬底,所述绝缘体上半导体衬底包括第一衬底、所述第一衬底上的第一绝缘层以及所述第一绝缘层上的半导体层;
对所述半导体层进行图案化以形成光栅耦合器以及有源器件的本体;
在所述半导体层背离所述第一绝缘层的一侧形成彼此堆叠的至少一个功能层;
在所述至少一个功能层背离所述半导体层的一侧,将所述至少一个功能层与载体衬底进行键合;
完全移除所述第一衬底,以使得在所述光栅耦合器与所述半导体器件的位于所述第一绝缘层背离所述半导体层一侧的外部之间,经由所述第一绝缘层而不经由所述第一衬底提供光学传输通道;
形成多个通孔,所述多个通孔从所述第一绝缘层的背离所述半导体层的表面延伸至所述至少一个功能层中;以及
在所述第一绝缘层的背离所述半导体层一侧形成金属布线层,所述金属布线层与所述多个通孔电连接,其中,所述金属布线层在所述载体衬底上的正交投影与所述光栅耦合器在所述载体衬底上的正交投影不重叠,以及其中,所述金属布线层和所述多个通孔部分地包围所述有源器件。
2.如权利要求1所述的方法,其中,所述多个通孔包括至少一个第一通孔和至少一个第二通孔,所述至少一个第一通孔关于所述有源器件的本体与所述至少一个第二通孔相对。
3.如权利要求2所述的方法,
其中,所述形成彼此堆叠的至少一个功能层包括:在所述半导体层的背离所述第一绝缘层一侧形成第二绝缘层,
其中,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层具有小于所述半导体层的折射率的折射率,以及
其中,所述有源器件的本体包括与所述光栅耦合器光学耦合的光波导。
4.如权利要求3所述的方法,其中,所述形成彼此堆叠的至少一个功能层还包括:
在所述第二绝缘层的背离所述半导体层一侧,形成所述有源器件的信号电极、所述有源器件的接地电极、与所述至少一个第一通孔电连接的第一偏置电极、以及与所述至少一个第二通孔电连接的第二偏置电极,
其中,所述信号电极在所述第一绝缘层上的正交投影位于所述至少一个第一通孔在所述第一绝缘层上的正交投影与所述至少一个第二通孔在所述第一绝缘层上的正交投影之间。
5.如权利要求4所述的方法,
其中,所述信号电极沿第一方向延伸,所述第一方向垂直于所述第一绝缘层的厚度方向,
其中,所述至少一个第一通孔包括:沿所述第一方向分布且彼此间隔开的多个第一通孔,以及
其中,所述至少一个第二通孔包括:沿所述第一方向分布且彼此间隔开的多个第二通孔。
6.如权利要求4所述的方法,其中,所述接地电极与所述第一偏置电极和第二偏置电极中的至少一个一体地形成,以使得所述接地电极与所述第一偏置电极和第二偏置电极电连接。
7.如权利要求4所述的方法,其中,所述接地电极与所述第一偏置电极和第二偏置电极分立地形成,以使得所述接地电极不与所述第一偏置电极和第二偏置电极电连接。
8.如权利要求4所述的方法,还包括:
在所述形成彼此堆叠的至少一个功能层之前,对所述半导体层的分别位于所述光波导两侧的第一区域和第二区域中的至少其中之一进行掺杂,
其中,所述第一区域和第二区域在所述第一绝缘层上的正交投影与所述光波导在所述第一绝缘层上的正交投影毗连且不重叠,以及
其中,所述第一区域和第二区域通过相应的接触孔分别与所述信号电极和所述接地电极电连接。
9.如权利要求3所述的方法,其中,所述形成彼此堆叠的至少一个功能层还包括:
在所述第二绝缘层的背离所述半导体层的一侧,形成所述有源器件的加热电阻;以及
在所述加热电阻的背离所述第二绝缘层一侧,形成与所述至少一个第一通孔电连接的第一偏置电极、以及与所述至少一个第二通孔电连接的第二偏置电极,
其中,所述加热电阻在所述第一绝缘层上的正交投影与所述光波导在所述第一绝缘层上的正交投影至少部分地重叠。
10.如权利要求9所述的方法,
其中,所述加热电阻沿第一方向延伸,所述第一方向垂直于所述第一绝缘层的厚度方向,
其中,所述至少一个第一通孔包括:沿所述第一方向分布且彼此间隔开的多个第一通孔,以及
其中,所述至少一个第二通孔包括:沿所述第一方向分布...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱继光,胡志朋,
申请(专利权)人:联合微电子中心有限责任公司,
类型:发明
国别省市:重庆;50
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