【技术实现步骤摘要】
一种电流传感器
本专利技术涉及电流传感器
，尤其涉及一种基于垂直霍尔效应的电流传感器。
技术介绍
用于测量电流大小的电流传感器广泛应用于各种电子设备中。传统的基于平面霍尔效应的电流传感器，对于载流导体连接部外侧的霍尔传感器单元，从电流到磁场的耦合常数很小，使得电流传感器的灵敏度很低，从而降低了探测精度。因此，有必要提出一种技术方案来克服上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种电流传感器，其可以提升电流的探测精度。根据本专利技术的一个方面，本专利技术提供一种电流传感器，其包括：载流导体，其用于为被测定电流提供流经通道；磁传感器，其包括结构相同的第一磁传感器单元和第二磁传感器单元，所述磁传感器单元包括第一导电类型衬底、沿第一导电类型衬底的上表面向下延伸至第一导电类型衬底内的第二导电类型阱，以及沿第二导电类型阱的上表面向下延伸至第二导电类型阱内的若干个第二导电类型端口。进一步的，所述载流导体包括第一腿部、第二腿部，以及位于所述第一腿部和第二腿部之间的连...
【技术保护点】
1.一种电流传感器，其特征在于，其包括：/n载流导体，其用于为被测定电流提供流经通道；/n磁传感器，其包括结构相同的第一磁传感器单元和第二磁传感器单元，所述磁传感器单元包括第一导电类型衬底、沿第一导电类型衬底的上表面向下延伸至第一导电类型衬底内的第二导电类型阱，以及沿第二导电类型阱的上表面向下延伸至第二导电类型阱内的若干个第二导电类型端口。/n
【技术特征摘要】
1.一种电流传感器，其特征在于，其包括：
载流导体，其用于为被测定电流提供流经通道；
磁传感器，其包括结构相同的第一磁传感器单元和第二磁传感器单元，所述磁传感器单元包括第一导电类型衬底、沿第一导电类型衬底的上表面向下延伸至第一导电类型衬底内的第二导电类型阱，以及沿第二导电类型阱的上表面向下延伸至第二导电类型阱内的若干个第二导电类型端口。
2.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，
所述载流导体包括第一腿部、第二腿部，以及位于所述第一腿部和第二腿部之间的连接部；
所述第一磁传感器单元设置于所述第一腿部的周围，所述第二磁传感器单元设置于第二腿部的周围；
所述第一磁传感器单元和所述第二磁传感器单元形成差分输出。
3.根据权利要求2所述的电流传感器，其特征在于，
所述第一磁传感器单元和第二磁传感器单元分别位于第一腿部的上方和第二腿部的上方：或
所述第一磁传感器单元和第二磁传感器单元分别位于第一腿部的下方和第二腿部的下方。
4.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，
所述第一导电类型衬底为p型衬底；
所述第二导电类型阱为n阱；
所述第二导电类型端口为n+端口。
5.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，
所述第一导电类型衬底为n型衬底；
所述第二导电类型阱为p阱...
【专利技术属性】
技术研发人员：李大来，蒋乐跃，
申请(专利权)人：新纳传感系统有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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