【技术实现步骤摘要】
单芯片电流传感器及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件的制造领域，尤其涉及一种单芯片电流传感器及其制造方法。
技术介绍
用于测量电流大小的电流传感器广泛应用于各种电子设备中。但是，传统的电流传感器，通过封装工艺将信号处理电路、磁电阻传感器和电流走线组装在一起。缺点是，集成度低，成本高。因此，有必要提出一种技术方案来克服上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种单芯片电流传感器及其制造方法，其具有高集成性和低成本。根据本专利技术的一个方面，本专利技术提供一种单芯片电流传感器，其包括：基于同一个衬底形成的信号处理电路、磁传感器和电流走线，其中，所述信号处理电路与所述磁传感器通过过孔金属电性相连。进一步的，所述过孔金属是由沉积的第一金属层图形化制得的；所述电流走线是由沉积的第二金属层图形化制得的；所述磁传感器是由沉积的磁性化薄膜图形化制得的。进一步的，所述信号处理电路位于所述衬底上；所述磁传感器位于所述信号处理电路的上方；所述电流走线位于所述磁传感器的...
【技术保护点】
1.一种单芯片电流传感器，其特征在于，其包括：/n基于同一个衬底形成的信号处理电路、磁传感器和电流走线，/n其中，所述信号处理电路与所述磁传感器通过过孔金属电性相连。/n
【技术特征摘要】
1.一种单芯片电流传感器，其特征在于，其包括：
基于同一个衬底形成的信号处理电路、磁传感器和电流走线，
其中，所述信号处理电路与所述磁传感器通过过孔金属电性相连。
2.根据权利要求1所述的单芯片电流传感器，其特征在于，
所述过孔金属是由沉积的第一金属层图形化制得的；
所述电流走线是由沉积的第二金属层图形化制得的；
所述磁传感器是由沉积的磁性化薄膜图形化制得的。
3.根据权利要求2所述的单芯片电流传感器，其特征在于，
所述信号处理电路位于所述衬底上；
所述磁传感器位于所述信号处理电路的上方；
所述电流走线位于所述磁传感器的上方。
4.根据权利要求3所述的单芯片电流传感器，其特征在于，其还包括：
第一绝缘介质层，其位于所述磁传感器和所述信号处理电路之间，所述过孔金属穿过所述第一绝缘介质层；
第二绝缘介质层，其位于所述电流走线和所述磁传感器之间。
5.根据权利要求4所述的单芯片电流传感器，其特征在于，
所述第一绝缘介质层内形成有贯穿其厚度的第一通孔，所述第一通孔底部暴露所述信号处理电路；
所述过孔金属填充所述第一接触孔且覆盖所述第一接触孔的顶部。
6.根据权利要求5所述的单芯片电流传感器，其特征在于，其还包括第三绝缘介质层，所述第三绝缘层位于所述第一绝缘介质层和所述过孔金属上方，且位于所述磁传感器下方，
所述第三绝缘介质层内形成有贯穿其厚度的第二通孔，所述第二通孔底部暴露所述过孔金属，
所述磁传感器的部分连接端填充所述第二通孔，以与所述过孔金属电性连接。
7.根据权利要求1-6任一所述的单芯片电流传感器，其特征在于，
所述电流走线为U型走线，其包括第一腿部，第二腿部，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李大来，蒋乐跃，
申请(专利权)人：新纳传感系统有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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