气体流速校验系统和方法技术方案

本发明专利技术提供一种气体流速校验设备，它可以在多工具半导体处理平台中共用。此气体流速校验设备用来测量测试体积内的压力增长速率和温度，以确定相应的气体流速。此设备包括第一和第二体积，其中第二体积大于第一体积。此设备还包括第一和第二压力测量装置，其中第二压力测量装置能测量较高的压力。根据要测量的目标气体流速，可以选择第一或第二体积作为测试体积，并可选择第一或第二压力测量装置来测量测试体积内的压力。此设备的构造使它能够在较短时间内精确测量很宽范围的气体流速。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】气体流速校—验系统和方法专利技术背景有些现代半导体晶片制造过程要求给反应室提供精心控制的处理气体， 这种处理气体被用来支持或完成该半导体晶片的处理。举例来说，在等离子 体刻蚀过程中，为刻蚀室提供一种处理气体，这种刻蚀气体被转化为刻蚀晶 片表面材料的等离子体。在大多数情况下，半导体晶片制造过程要求所提供 的处理气体是经过精心控制的。更具体地说，反应室处理气体的流速需要维 持在由制造过程清单所规定的范围内。通常处理气体的流速由反应室上游的质量流控制器(MFC)来控制。因此，处理气体流速的控制精度一般由处理 气体要通过的MFC的精度决定。应该了解，MFC装置是一种复杂而灵敏的仪器，它具有取决于很多因 素的现实气体流速控制精度。在MFC装置制造过程中，由MFC提供的气体 流速控制应经过校-验，确定它是处于规定的MFC设计指标误差以内。这种 在制造过程中的MFC校验， 一般是在使用N2气的受控实验室环境中进行 的。因此，这种在制造过程中的MFC校验的环境条件不一定是MFC的实际 工作条件。此外，将使用&气的MFC校验结果转变为代表实际气体的相应 校验结果，牵涉到一些转换因素。应该知道，这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体流速校验设备，包括：限定在第一室内的第一体积；限定在第二室内的第二体积，第二体积大于第一体积；第一压力测量装置，它在结构上与第一体积或第二体积，或者第一和第二体积两者，通过流体联通连接；第二压力测量装 置，它在结构上与第一体积或第二体积，或者第一和第二体积两者，通过流体联通连接，第二压力测量装置能比第一压力测量装置测量更高的压力；其中第一体积和第二体积中的每一个，或第一和第二体积两者，可选为测量气体流速的测试体积；其中第一 压力测量装置或第二压力测量装置的每一个，可选择来测量测试体积内的压力。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：V王，RJ迈内克，
申请(专利权)人：兰姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]