【技术实现步骤摘要】
一种多尺寸复合的纳米银膏及其制备方法
本专利技术属于电子封装材料
,尤其涉及一种多尺寸复合的纳米银膏及其制备方法。
技术介绍
以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料具有禁带宽度大、热导率高、临界击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高等物理特性,工作温度可达到500℃以上,是制造高温、高频、抗辐射、大功率电子电力器件极为理想的半导体材料。为了使SiC的优异性能得到充分发挥,用于新型功率半导体器件的封装材料,尤其是芯片键合材料,必须能够承受极其恶劣的服役环境,并且具有出色的散热性能以及良好的冷热循环稳定性。银作为一种具有高导热和高导电的金属,在解决功率芯片的散热和电传输方面具有显著的优势。当银颗粒的尺寸降低到纳米级别时,物理特性会发生很大变化。纳米银具有较大的比表面积和表面能,可以在远低于熔点的温度下烧结互连,并且烧结体可以达到接近块体银的性能,能够在高温服役。但是由于纳米银的表面能很高,制备过程中必须用有机物分散和包覆纳米银颗粒,以防止银颗粒团聚。往往纳米银颗粒尺寸越小,包覆层越厚,银膏中有机物的相对含量越 ...
【技术保护点】
1.一种多尺寸复合的纳米银膏的制备方法,其特征在于,其包括以下步骤:/n步骤S1,制备纳米银籽晶;/n步骤S2,将步骤S1得到的纳米银籽晶分散到乙二醇溶液中,加入硝酸银的乙二醇溶液,并加热反应,反应结束后加入丙酮进行絮凝、离心,倒掉上清液后清洗、离心,得到多尺寸复合的纳米银颗粒;/n步骤S3,将步骤S2得到的多尺寸复合的纳米银颗粒与有机溶剂混合均匀,得到银膏预备体,然后将银膏预备体加热,去除多余的溶剂,再经过搅拌,得到多尺寸复合的纳米银膏。/n
【技术特征摘要】
1.一种多尺寸复合的纳米银膏的制备方法,其特征在于,其包括以下步骤:
步骤S1,制备纳米银籽晶;
步骤S2,将步骤S1得到的纳米银籽晶分散到乙二醇溶液中,加入硝酸银的乙二醇溶液,并加热反应,反应结束后加入丙酮进行絮凝、离心,倒掉上清液后清洗、离心,得到多尺寸复合的纳米银颗粒;
步骤S3,将步骤S2得到的多尺寸复合的纳米银颗粒与有机溶剂混合均匀,得到银膏预备体,然后将银膏预备体加热,去除多余的溶剂,再经过搅拌,得到多尺寸复合的纳米银膏。
2.根据权利要求1所述的多尺寸复合的纳米银膏及其制备方法,其特征在于:步骤S1包括以下步骤:
将硝酸银溶解到乙二醇中得到硝酸银溶液,将聚乙烯吡咯烷酮溶解到乙二醇中得到聚乙烯吡咯烷酮溶液,将硝酸银溶液加入到聚乙烯吡咯烷酮溶液中搅拌,加热反应,反应结束后加入丙酮进行絮凝、离心,倒掉上清液后清洗、离心,获得小尺寸纳米银籽晶。
3.根据权利要求2所述的多尺寸复合的纳米银膏及其制备方法,其特征在于:步骤S1中,所述聚乙烯吡咯烷酮的分子量为24000-360000。
4.根据权利要求3所述的多尺寸复合的纳米银膏及其制备方法,其特征在于:步骤S1的反应中,所述硝酸银与聚乙烯吡咯烷酮的质量比为1:0.1~0.5。
5.根据权利要求4所述的多尺寸复合的纳米银膏及其制备方法,其特征在于:步骤S1中,所述硝酸银溶液中硝酸银的质量分...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨帆,吴炜祯,李明雨,
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学深圳哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院,
类型:发明
国别省市:广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。