半导体芯片切割专用保护胶带制造技术

本实用新型专利技术公开了半导体芯片切割专用保护胶带，包括基层，所述基层的一侧涂覆有粘接层，所述基层远离粘接层的一侧涂覆有防粘层，耐高温180℃防粘有机硅涂树脂通过涂布机在特殊的耐高温180℃浅蓝色70微米厚聚氯乙烯薄膜的外表面上涂布成膜，干燥厚度控制为0.005mm。然后在特殊的耐高温180℃浅蓝色70微米厚聚氯乙烯薄膜的内表面涂布特殊耐高温180℃轻剥离的丙烯酸树脂粘合剂，涂布干燥厚度：0.010mm。制成的胶带收卷切割成胶带，制成成品。本实用新型专利技术中通过多层结构的设置，使胶带的耐高温和粘接性能得到了提升，从而提升了胶带在芯片切割时的保护效果。

【技术实现步骤摘要】
半导体芯片切割专用保护胶带
本技术涉及半导体
，尤其涉及半导体芯片切割专用保护胶带。
技术介绍
在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓（砷化镓有毒，所以一些劣质电路板不要好奇分解它），锗等半导体材料。但是现有的半导体切割专用保护胶带组成结构较为简单，胶带的耐高温和粘接性能较差，从而影响胶带在芯片切割时的保护效果。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中半导体切割专用保护胶带组成结构较为简单，胶带的耐高温和粘接性能较差的问题，而提出的半导体芯片切割专用保护胶带。为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：半导体芯片切割专用保护胶带，包括基层，所述基层的一侧涂覆有粘接层，所述基层远离粘接层的一侧涂覆有防粘层。优选地，所述基层为聚氯乙烯薄膜层。优选地，所述聚氯乙烯薄膜层为浅蓝色，且厚度为70μm。优选地，所述防粘层为有机硅涂层树脂层。优选地，所述粘接层为丙烯酸树脂粘合剂层。优选地，所述丙烯酸树脂粘合剂层的剥离力要求为1.0±0.2N/20mm。优选地，所述基层、粘接层和防粘层均可以耐高温180℃。有益效果：1.耐高温180℃防粘有机硅涂层树脂，该有机硅树脂配置采用两种组分有机树脂，并采用催化固化反应助剂调配，涂布高温固化成型；特殊的耐高温180℃浅蓝色70微米厚聚氯乙烯薄膜采用耐高温增塑剂和阻燃剂、高聚合度聚录乙烯树脂流延成膜；特殊耐高温轻剥离的丙烯酸树脂粘合剂调配采用高聚合度丙烯酸树脂、添加耐高温金属固化剂和阻燃剂调配而成，并且粘合剂剥离力要求：1.0±0.2N/20mm，本技术中通过多层结构的设置，使胶带的耐高温和粘接性能得到了提升，从而提升了胶带在芯片切割时的保护效果；2.耐高温180℃防粘有机硅涂树脂通过涂布机在特殊的耐高温180℃浅蓝色70微米厚聚氯乙烯薄膜的外表面上涂布成膜，干燥厚度控制为0.005mm。然后在特殊的耐高温180℃浅蓝色70微米厚聚氯乙烯薄膜的内表面涂布特殊耐高温180℃轻剥离的丙烯酸树脂粘合剂，涂布干燥厚度：0.010mm。制成的胶带收卷切割成胶带，制成成品。附图说明图1为本技术提出的半导体芯片切割专用保护胶带的结构示意图。图中：1基层、2粘接层、3防粘层。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。参照图1，半导体芯片切割专用保护胶带，包括基层1，基层1的一侧涂覆有粘接层2，用于起到粘接作用，基层1远离粘接层2的一侧涂覆有防粘层3，用于起到防粘作用。本实施例中，基层1为聚氯乙烯薄膜层，聚氯乙烯薄膜层为浅蓝色，且厚度为70μm，能确保半导体芯片在激光或者刀刻切割加工过程中不收缩、不变形，防粘层3为有机硅涂层树脂层，能在高温切割芯片下不损坏，粘接层2为丙烯酸树脂粘合剂层，丙烯酸树脂粘合剂层的剥离力要求为1.0±0.2N/20mm，基层1、粘接层2和防粘层3均可以耐高温180℃。本实施例中，耐高温180℃防粘有机硅涂层树脂，该有机硅树脂配置采用两种组分有机树脂，并采用催化固化反应助剂调配，涂布高温固化成型；特殊的耐高温180℃浅蓝色70微米厚聚氯乙烯薄膜采用耐高温增塑剂和阻燃剂、高聚合度聚录乙烯树脂流延成膜；特殊耐高温轻剥离的丙烯酸树脂粘合剂调配采用高聚合度丙烯酸树脂、添加耐高温金属固化剂和阻燃剂调配而成，并且粘合剂剥离力要求：1.0±0.2N/20mm；本实施例中，耐高温180℃防粘有机硅涂树脂通过涂布机在特殊的耐高温180℃浅蓝色70微米厚聚氯乙烯薄膜的外表面上涂布成膜，干燥厚度控制为0.005mm，然后在特殊的耐高温180℃浅蓝色70微米厚聚氯乙烯薄膜的内表面涂布特殊耐高温180℃轻剥离的丙烯酸树脂粘合剂，涂布干燥厚度：0.010mm，制成的胶带收卷切割成胶带，制成成品。以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体芯片切割专用保护胶带，包括基层(1)，其特征在于：所述基层(1)的一侧涂覆有粘接层(2)，所述基层(1)远离粘接层(2)的一侧涂覆有防粘层(3)，所述粘接层(2)为丙烯酸树脂粘合剂层，所述丙烯酸树脂粘合剂层的剥离力要求为1.0±0.2N/20mm，所述基层(1)、粘接层(2)和防粘层(3)均可以耐高温180℃。/n

【技术特征摘要】
1.半导体芯片切割专用保护胶带，包括基层(1)，其特征在于：所述基层(1)的一侧涂覆有粘接层(2)，所述基层(1)远离粘接层(2)的一侧涂覆有防粘层(3)，所述粘接层(2)为丙烯酸树脂粘合剂层，所述丙烯酸树脂粘合剂层的剥离力要求为1.0±0.2N/20mm，所述基层(1)、粘接层(2)和防粘层(3)均可以耐高温180℃。


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【专利技术属性】
技术研发人员：郭平生，陈维林，
申请(专利权)人：北京清鸿光科科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11