【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光模块及半导体激光模块的制造方法
本专利技术涉及半导体激光模块及半导体激光模块的制造方法，特别涉及具备多个半导体激光元件的半导体激光模块。
技术介绍
以往，作为这种半导体激光模块，已知一种将多个半导体激光元件呈台阶状安装而成的模块(例如，参照专利文献1)。例如，如图1所示，这种半导体激光模块900具备多个半导体激光元件910、和安装这些半导体激光元件910的台阶状的安装部901。这里，半导体激光元件910分别包括：射出激光的半导体芯片911；和向半导体芯片911供给电力的电极焊盘912。另外，安装部901包括：为了安装多个半导体激光元件910而配置成台阶状的安装面904；和连结邻接的安装面904的阶梯差面905。根据这种结构，能够将多个激光带阶梯差地射出，通过对上述多个激光进行聚光而能够实现高输出化。然而，在这种结构的半导体激光模块900中，若电极焊盘912与阶梯差面905的间隔G短，则存在对半导体激光模块900施加电压时在电极焊盘912与阶梯差面905之间引起绝缘破坏的情况。因此，在这种半导体激光模块900...
【技术保护点】
1.一种半导体激光模块，其中，/n具备：/n光纤，将激光输出至外部；/n多个半导体激光元件，分别包括射出所述激光的射出部、向所述射出部供给电力的导电部、以及载置所述射出部和所述导电部的支架；/n安装部，供所述多个半导体激光元件各自的所述支架安装的多个安装面形成为台阶状；以及/n光学系统，使来自所述射出部的所述激光与所述光纤的入射端面耦合，/n所述多个半导体激光元件包括在所述安装部的阶梯差方向上相互邻接的上侧半导体激光元件和下侧半导体激光元件，/n所述上侧半导体激光元件的一部分从所述安装面向所述下侧半导体激光元件侧伸出。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180104 JP 2018-0000691.一种半导体激光模块，其中，
具备：
光纤，将激光输出至外部；
多个半导体激光元件，分别包括射出所述激光的射出部、向所述射出部供给电力的导电部、以及载置所述射出部和所述导电部的支架；
安装部，供所述多个半导体激光元件各自的所述支架安装的多个安装面形成为台阶状；以及
光学系统，使来自所述射出部的所述激光与所述光纤的入射端面耦合，
所述多个半导体激光元件包括在所述安装部的阶梯差方向上相互邻接的上侧半导体激光元件和下侧半导体激光元件，
所述上侧半导体激光元件的一部分从所述安装面向所述下侧半导体激光元件侧伸出。
2.根据权利要求1所述的半导体激光模块，其中，
在所述上侧半导体激光元件的所述一部分的下方形成有抑制空间，该抑制空间抑制在所述安装部与所述下侧半导体激光元件的所述导电部之间产生绝缘破坏。
3.根据权利要求2所述的半导体激光模块，其中，
以所述抑制空间中的从所述安装部至所述下侧半导体激光元件的所述导电部为止的最短分离距离成为抑制在该导电部与所述安装部之间产生绝缘破坏的抑制距离以上的方式形成所述抑制空间。
4.根据权利要求3所述的半导体激光模块，其中，
若将所述半导体激光模块的要求耐受电压设为P，将所述抑制空间的绝缘电阻值设为R，则所述抑制距离Lc根据下式计算，即：
Lc≥P/R，
其中，P的单位为kV，R的单位为kV/mm，Lc的单位为mm。
5.根据权利要求4所述的半导体激光模块，其中，
所述抑制空间由空气形成，
所述抑制距离Lc根据下式计算，即：
Lc≥P/3。
6.根据权利要求2～5中的任一项所述的半导体激光模块，其中，
所述安装部还具备定位构造，该定位构造以形成所述抑制空间的方式对所...
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