一种宽频低涡流损耗的人工导体制造技术

一种宽频低涡流损耗的人工导体，属于射频器件及集成电路技术领域。所述人工导体为金属薄膜层和铁磁薄膜层交替层叠形成的金属薄膜层/(铁磁薄膜层/金属薄膜层)

【技术实现步骤摘要】
一种宽频低涡流损耗的人工导体
本专利技术涉及射频器件及集成电路
，具体涉及一种宽频带低涡流损耗的人工导体及其制备方法，可以应用于需要在较高频率下工作且要求涡流损耗低的射频器件及集成电路中，例如高频电感的线圈，以及共面波导、微带线等射频互连线。
技术介绍
随着微电子和通信设备工作频率的不断提高，集成射频无源器件的一个主要缺点是容易产生明显的涡流损耗。高频下的涡流效应主要是受到了趋肤效应的影响，不仅会造成RC延迟，而且会导致射频电感等器件品质因数差，功耗高。人们引入一个趋肤深度δ来描述涡流损耗的程度，此深度的电流密度大小恰好为表面电流密度的1/e倍。其中，f为工作频率，μ0为真空磁导率，μr为金属导体的相对磁导率(≈1)，σ为金属的电导率。专利ZL201410415806.7提出了一种采用FM/Cu(铁磁层/铜层)多层膜结构的射频互连线，利用了具有单轴各向异性的铁磁薄膜(ZL201711091911.X)在高频下的负磁导率补偿铜层的正磁导率，使得相对磁导率μr趋于零，趋肤深度趋于无穷大，从而获得涡流损耗的抑制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种宽频低涡流损耗的人工导体，其特征在于，所述人工导体为金属薄膜层和铁磁薄膜层交替层叠形成的金属薄膜层/(铁磁薄膜层/金属薄膜层)

【技术特征摘要】
1.一种宽频低涡流损耗的人工导体，其特征在于，所述人工导体为金属薄膜层和铁磁薄膜层交替层叠形成的金属薄膜层/(铁磁薄膜层/金属薄膜层)n的周期性多层膜结构，其中，第1～n/2层铁磁薄膜层的材料为铁磁材料A，第(n/2+1)～n层铁磁薄膜层的材料为铁磁材料B。


2.根据权利要求1所述的宽频低涡流损耗的人工导体，其特征在于，所述宽频低涡流损耗的人工导体的厚度为3～50微米。


3.根据权利要求1所述的宽频低涡流损耗的人工导体，其特征在于，所述铁磁薄膜层的厚度为50～150nm，金属薄膜层与铁磁薄膜层的厚度比根据需要抑制涡流损耗的频率范围确定。


4.根据权利要求1所述的宽频低涡流损耗的人工导体，其特征在于，所述金属薄膜层和...

【专利技术属性】
技术研发人员：白飞明，黄铭贤，金立川，张怀武，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51