一种显示电路和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示电路和显示装置，其中，所述显示电路包括以共阳极或共阴极方式连接的多个微器件，所述微器件的阴极连接有第一晶体管，所述微器件的阳极连接有第二晶体管；其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管配合产生一逆偏电压以对所述微器件进行初始化。本发明专利技术通过在共阳极或共阴极方式连接的微器件的阴极和阳极分别连接第一晶体管和第二晶体管，通过所述第一晶体管和所述第二晶体管配合产生一逆偏电压，以对所述微器件进行初始化，在需要操作的新时序发光下，排除上一操作时序残留下的电荷，避免了因残留下的电荷所产生的背景亮度，从而改善了低亮度质量，提高了对比度。

【技术实现步骤摘要】
一种显示电路和显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及的是一种显示电路和显示装置。
技术介绍
电激发光(Electroluminescence，EL)器件包括有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)、发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)等器件。近年来EL器件大量用于制作显示器产品,相较于传统阴极射线管显示器(CathodeRayTube，CRT)、液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)等,EL器件应用面展现了更好的光学特性,更低的功耗表现以及更好的产品型态可塑性。EL器件发光采用的共电极架构为最基底的显示器提供了重要驱动环境元素,最基底的显示器搭配共电极架构延伸开发出节电(PowerSaving)应用,对于产品导入终端市场成为一大重要优势。但是，如图1至图5所示，传统面板架构下,在经历一驱动操作后,信号的非理想效应反应在EL器件上使得器件在未进行下一操作时序前因为前一操作时序而遗留下的电荷产生一背景亮度,致使对比度下降。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种显示电路和显示装置，以解决因信号的非理想效应反应在EL器件上使得器件在未进行下一操作时序前因为前一操作时序遗留下的电荷产生一背景亮度而导致对比度下降的问题。本专利技术的技术方案如下：一种显示电路，该显示电路包括以共阳极或共阴极方式连接的多个微器件，所述微器件的阴极连接有第一晶体管，所述微器件的阳极连接有第二晶体管；其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管配合产生一逆偏电压以对所述微器件进行初始化。本专利技术的进一步设置，当所述微器件以共阴极的方式连接时，所述第一晶体管的栅极连接有第一共同扫描信号线，所述第二晶体管的栅极连接有第二共同扫描信号线；所述第一晶体管的漏极连接所述微器件的阴极，所述第一晶体管的源极连接共阴极电源信号线；所述第二晶体管的漏极连接所述微器件的直流源信号线，所述第二晶体管的源极连接所述微器件的阳极。本专利技术的进一步设置，所述微器件的阳极连接有灰阶控制信号线；其中，所述灰阶控制信号线包括红色灰阶控制信号线、绿色灰阶控制信号线和蓝色灰阶控制信号线。本专利技术的进一步设置，还包括多个子电路单元，所述子电路单元对应所述微器件设置；所述子电路单元的一端连接所述共阳极电源信号线，所述子电路单元的另一端连接所述微器件的阳极和所述第二晶体管的源极；所述灰阶控制信号线连接所述子电路单元；其中，所述子电路单元由第三晶体管和电容组成。本专利技术的进一步设置，所述显示电路包括多组微器件组件，所述微器件组件包括所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述微器件和所述子电路单元；所述共阳极电源信号线包括第一共阳极电源信号线、第二共阳极电源信号线、第三共阳极电源信号线以及第N共阳极电源信号线；所述子电路单元的一端分别对应连接所述第一共阳极电源信号线、第二共阳极电源信号线、第三共阳极电源信号线以及第N共阳极电源信号线，所述子电路单元的另一端连接所述微器件的阳极；其中，N为整数。本专利技术的进一步设置，当所述微器件以共阳极的方式连接时，所述第一晶体管的栅极连接有第二共同扫描信号线，所述第二晶体管的栅极连接有第一共同扫描信号线；所述第一晶体管的漏极连接所述微器件的阴极，所述第一晶体管的源极连接所述微器件的直流源信号线；所述第二晶体管的漏极连接有共阳极电源信号线，所述第二晶体管的源极连接所述微器件的阳极。本专利技术的进一步设置，所述微器件的阴极连接有灰阶控制信号线；其中，所述灰阶控制信号线包括红色灰阶控制信号线、绿色灰阶控制信号线和蓝色灰阶控制信号线。本专利技术的进一步设置，所述显示电路还包括多个子电路单元，所述子电路单元对应所述微器件设置；所述子电路单元的一端连接所述共阳极电源信号线，所述子电路单元的另一端连接所述微器件的阴极和所述第一晶体管的漏极；所述灰阶控制信号线连接所述子电路单元；其中，所述子电路单元由第三晶体管和电容组成。本专利技术的进一步设置，所述显示电路包括多组微器件组件，所述微器件组件包括所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述微器件和所述子电路单元；所述共阴极电源信号线包括第一共阴极电源信号线、第二共阴极电源信号线、第三共阴极电源信号线以及第N共阴极电源信号线；所述子电路单元的一端分别对应连接所述第一共阴极电源信号线、第二共阴极电源信号线、第三共阴极电源信号线以及第N共阳极电源信号线，所述子电路单元的另一端连接所述微器件的阴极；其中，N为整数。本专利技术的进一步设置，所述第一晶体管和所述第二晶体管为p-TFT、n-TFT、p-MOS和n-MOS中的一种或多种。本专利技术的进一步设置，所述微器件为电激发光器件。本专利技术还提供了一种显示装置，包括以上所述的显示电路。本专利技术所提供的一种显示电路和显示装置，其中，所述显示电路包括以共阳极或共阴极方式连接的多个微器件，所述微器件的阴极连接有第一晶体管，所述微器件的阳极连接有第二晶体管；其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管配合产生一逆偏电压以对所述微器件进行初始化。本专利技术通过在共阳极或共阴极方式连接的微器件的阴极和阳极分别连接第一晶体管和第二晶体管，通过所述第一晶体管和所述第二晶体管配合产生一逆偏电压，以对所述微器件进行初始化，在需要操作的新时序发光下，排除上一操作时序残留下的电荷，避免了因残留下的电荷所产生的背景亮度，从而改善了低亮度质量，提高了对比度。附图说明图1是传统技术中共用电极方式的面板架构图。图2是传统技术中面板架构共阴极的等效电路图。图3是传统技术中面板架构共阳极的等效电路图。图4是传统技术中面板架构共阴极的局部等效电路图。图5是传统技术中操作时序后的时序图。图6是本专利技术中显示电路的共阴极的等效电路图。图7是本专利技术中显示电路的共阳极的等效电路图。图8是本专利技术中显示电路的共阴极的局部等效电路图。图9是本专利技术中EL器件电性曲线图。图10是本专利技术中操作时序后的时序图。图11是本专利技术中显示电路共阴极架构下与子电路单元的等效电路图。图12是本专利技术中显示电路共阳极架构下与子电路单元的等效电路图。图13是图11中分解为多组EL器件的等效电路图。图14是图12中分解为多组EL器件的等效电路图。具体实施方式薄膜场效应晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)背板基底,通常使用低温多晶硅技术(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)或金属氧化物(MetalOxide)等类似可成型刚性玻璃(RigidGlass)或是柔性聚酰亚胺(FlexiblePolyimide)上的主动器件制程来制作,而利用此器件可建立出功能电路对于显示器本身提高其额外的特征优势。因EL器件发光采用的共电极架构作为基底元素,却并未在薄膜场效应晶体管(ThinFilmTransistor，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示电路，其特征在于，包括以共阳极或共阴极方式连接的多个微器件，所述微器件的阴极连接有第一晶体管，所述微器件的阳极连接有第二晶体管；其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管配合产生一逆偏电压以对所述微器件进行初始化。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示电路，其特征在于，包括以共阳极或共阴极方式连接的多个微器件，所述微器件的阴极连接有第一晶体管，所述微器件的阳极连接有第二晶体管；其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管配合产生一逆偏电压以对所述微器件进行初始化。


2.根据权利要求1所述的显示电路，其特征在于，当所述微器件以共阴极的方式连接时，所述第一晶体管的栅极连接有第一共同扫描信号线，所述第二晶体管的栅极连接有第二共同扫描信号线；所述第一晶体管的漏极连接所述微器件的阴极，所述第一晶体管的源极连接共阴极电源信号线；所述第二晶体管的漏极连接所述微器件的直流源信号线，所述第二晶体管的源极连接所述微器件的阳极。


3.根据权利要求2所述的显示电路，其特征在于，所述微器件的阳极连接有灰阶控制信号线；其中，所述灰阶控制信号线包括红色灰阶控制信号线、绿色灰阶控制信号线和蓝色灰阶控制信号线。


4.根据权利要求2至3任一项所述的显示电路，其特征在于，还包括多个子电路单元，所述子电路单元对应所述微器件设置；所述子电路单元的一端连接所述共阳极电源信号线，所述子电路单元的另一端连接所述微器件的阳极和所述第二晶体管的源极；所述灰阶控制信号线连接所述子电路单元；其中，所述子电路单元由第三晶体管和电容组成。


5.根据权利要求4所述的显示电路，其特征在于，所述显示电路包括多组微器件组件，所述微器件组件包括所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述微器件和所述子电路单元；所述共阳极电源信号线包括第一共阳极电源信号线、第二共阳极电源信号线、第三共阳极电源信号线以及第N共阳极电源信号线；所述子电路单元的一端分别对应连接所述第一共阳极电源信号线、第二共阳极电源信号线、第三共阳极电源信号线以及第N共阳极电源信号线，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑士嵩，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50