晶圆缺陷检测设备制造技术

一种晶圆缺陷检测设备，包括：晶圆载台，用于固定待检测晶圆；图像获取模块，所述图像获取模块包括摄像头阵列，所述图像获取模块通过摄像头阵列一次拍摄获得待检测晶圆整个表面对应的检测图像；缺陷判断模块，所述缺陷判断模块根据图像获取模块获得的检测图像，判断待检测晶圆的表面是否存在缺陷。本发明专利技术的晶圆缺陷检测设备提高了缺陷检测的效率，减小了晶圆缺陷检测设备占据的体积，并减小功耗，降低成本。

【技术实现步骤摘要】
晶圆缺陷检测设备
本专利技术涉及晶圆缺陷检测领域，尤其涉及一种高速晶圆检测设备。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的存储量以及更多的功能，半导体芯片向更高集成度方向发展；而半导体芯片的集成度越高，则半导体器件的临界尺寸(CD，CriticalDimension)越小。光刻是半导体集成制作中最重要的工艺，集成电路制作时需要进行多层工艺，每一层都要准确对准，因此为了让各层光刻之间的图案的叠放能够准确无误，在显影工艺完成后必须对芯片进行显影后检查(AfterDevelopInspection，ADI)，显影后检查可以发现光刻制程中的错误并及时纠正，这是芯片制造过程中少有的可以纠正的步骤之一。一旦形成有缺陷的光刻胶的晶圆被送到下一个图形形成的步骤(刻蚀)，极易带来晶圆的报废。具体的，显影后检查一般包括对光刻胶的覆盖、对准、曝光、显影等一一进行检查，并判断光刻胶性能是否满足工艺的要求。现有的显影后检查通过检测设备进行，具体在检测设备上的通过光学放大镜扫描式来检测，现有的这种检测和扫描方式检测效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆缺陷检测设备，其特征在于，包括：/n晶圆载台，用于固定待检测晶圆；/n图像获取模块，所述图像获取模块包括摄像头阵列，所述图像获取模块通过摄像头阵列一次拍摄获得所述待检测晶圆整个表面对应的检测图像；/n缺陷判断模块，所述缺陷判断模块根据所述图像获取模块获得的检测图像，判断所述待检测晶圆的表面是否存在缺陷。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆缺陷检测设备，其特征在于，包括：
晶圆载台，用于固定待检测晶圆；
图像获取模块，所述图像获取模块包括摄像头阵列，所述图像获取模块通过摄像头阵列一次拍摄获得所述待检测晶圆整个表面对应的检测图像；
缺陷判断模块，所述缺陷判断模块根据所述图像获取模块获得的检测图像，判断所述待检测晶圆的表面是否存在缺陷。


2.如权利要求1所述的晶圆缺陷检测设备，其特征在于，所述图像获取模块还包括一平面基板，若干个摄像头呈阵列方式排布在所述平面基板上，形成所述摄像头阵列，所述摄像头的个数大于等于5。


3.如权利要求2所述的晶圆缺陷检测设备，其特征在于，所述摄像头阵列的尺寸与所述待检测晶圆的尺寸对应。


4.如权利要求2所述的晶圆缺陷检测设备，其特征在于，所述摄像头阵列中所有摄像头的尺寸相同，放大倍率相同，所述放大倍率为10～250倍。


5.如权利要求4所述的晶圆缺陷检测设备，其特征在于，所述图像获取模块还包括图像拼接单元，所述图像拼接单元用于将所述摄像头阵列中的所有摄像头在同一倍率下获得的若干图像进行拼接获得待检测晶圆整个表面对应的检测图像。


6.如权利要求2所述的晶圆缺陷检测设备，其特征在于，所述摄像头阵列中包括具有第一放大倍率的若干第一摄像头和具有第二放大倍率的若干第二摄像头，所述第一放大倍率小于第二放大倍率，所述第一摄像头的数量大于第二摄像头的数量。


7.如权利要求6所述的晶圆缺陷检测设备，其特征在于，所述第一放大倍率为10倍～250倍，所述第二放大倍率为20倍～300倍。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶莹，毕迪，
申请(专利权)人：上海果纳半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31