【技术实现步骤摘要】
一种提高硅粉导电性的方法
本专利技术涉及一种提高硅粉导电性的方法,属于硅粉
技术介绍
硅在地壳中分布很广,越占地壳总量的四分之一。硅的用途很广,日常生活中离不开它,现代高科技尖端领域也离不开它,将来科学技术不断发展,硅的使用价值就更加显得神通广大,硅的导电性能介于金属和绝缘体之间,硅是良好的半导体,在常温下硅的化学性质不活泼,在加热条件下,硅能跟许多非金属起反应,硅不溶于水。目前现有硅粉中的杂质较多,硅粉的生产工艺较为落后,硅粉的导电性能不够,针对上述情况,在现有的提纯工艺的基础上进行技术创新。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种提高硅粉导电性的方法,以解决上述
技术介绍
中提出的现有硅粉中的杂质较多,硅粉的生产工艺较为落后,硅粉的导电性能不够的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种提高硅粉导电性的方法,具体步骤如下:步骤a、将硅粉原材料在180-330目的筛子下进行筛选,得到硅粉混合物;步骤b、将步骤a中得到的硅粉混合物加入稀盐酸进行酸洗,稀盐酸浓度选择6%-11%,硅粉混合物的质量与稀盐酸的质量比为1:7-1:2,稀释时间为8-24小时,在稀释中每隔30-60min搅拌5-20min、然后用去离子水清洗3-7遍,甩干;步骤c、将步骤b中得到的硅粉混合物放到碱性溶液中,然后进行搅拌,调节PH值为7-9,然后用去离子水清洗3-7遍,甩干;步骤d、然后将步骤c处理后的硅粉放到含有三组元素的溶液中进行混合搅拌,搅拌的过程中持 ...
【技术保护点】
1.一种提高硅粉导电性的方法,其特征在于,具体步骤如下:/n步骤a、将硅粉原材料在180-330目的筛子下进行筛选,得到硅粉混合物;/n步骤b、将步骤a中得到的硅粉混合物加入稀盐酸进行酸洗,稀盐酸浓度选择6%-11%,硅粉混合物的质量与稀盐酸的质量比为1:7-1:2,稀释时间为8-24小时,在稀释中每隔30-60min搅拌5-20min、然后用去离子水清洗3-7遍,甩干;/n步骤c、将步骤b中得到的硅粉混合物放到碱性溶液中,然后进行搅拌,调节PH值为7-9,然后用去离子水清洗3-7遍,甩干;/n步骤d、然后将步骤c处理后的硅粉放到含有三组元素的溶液中进行混合搅拌,搅拌的过程中持续对溶液进行加热,10-15min内加热到20-40摄氏度,15-25min内加热到30-80摄氏度,持续搅拌15-60min,搅拌完毕后进行过滤;/n步骤e、将步骤d中得到的硅粉和磷粉一起放到加热炉中进行加热,加热温度为400-1500摄氏度,加热时间12-45min;/n步骤f、将步骤e中得到的硅粉用去离子水清洗3-7遍,甩干。/n
【技术特征摘要】
1.一种提高硅粉导电性的方法,其特征在于,具体步骤如下:
步骤a、将硅粉原材料在180-330目的筛子下进行筛选,得到硅粉混合物;
步骤b、将步骤a中得到的硅粉混合物加入稀盐酸进行酸洗,稀盐酸浓度选择6%-11%,硅粉混合物的质量与稀盐酸的质量比为1:7-1:2,稀释时间为8-24小时,在稀释中每隔30-60min搅拌5-20min、然后用去离子水清洗3-7遍,甩干;
步骤c、将步骤b中得到的硅粉混合物放到碱性溶液中,然后进行搅拌,调节PH值为7-9,然后用去离子水清洗3-7遍,甩干;
步骤d、然后将步骤c处理后的硅粉放到含有三组元素的溶液中进行混合搅拌,搅拌的过程中持续对溶液进行加热,10-15min内加热到20-40摄氏度,15-25min内加热到30-80摄氏度,持续搅拌15-60min,搅拌完毕后进行过滤;
步骤e、将步骤d中得到的硅粉和磷粉一起放到加热炉中进行加热,加热温度为400-1500摄氏度,加热时间12-45min;
步骤f、将步骤e中得到的硅粉用去离子水清洗3-7遍,甩干。
2.根据权利要求1所述的一种提高硅粉导电性的方法,其特征在于,所述具体步骤如下:
步骤a、将硅粉原材料在200-300目的筛子下进行筛选,得到硅粉混合物;
步骤b、将步骤a中得到的硅粉混合物加入稀盐酸进行酸洗,稀盐酸浓度选择7%-10%,硅粉混合物的质量与稀盐酸的质量比为1:6-1:3,稀释时间为12-20小时,在稀释中每隔40-50min搅拌10-15min、然后用去离子水清洗4-6遍,甩干;
步骤c、将步骤b中得到的硅粉混合物放到碱性溶液中,然后进行搅拌,调节PH值为7.5-8.5,然后用去离子水清洗4-6遍,甩干;
步骤d、然后将步骤c处理后的硅粉放到含有三组元素的溶液中进行混合搅拌,搅拌的过程中持续对溶液进行加热,12-13min...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱广彬,
申请(专利权)人:徐州凌云硅业股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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