一种用于氮化铝单晶生长籽晶背部镀膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于氮化铝单晶生长籽晶背部镀膜的方法，包括步骤如下：将耐高温能溶性物质溶解成溶液，然后滴涂到氮化铝籽晶背部表面，使用匀胶设备使溶液均匀分布在氮化铝籽晶背面，烘干，即完成氮化铝籽晶背部镀膜。通过以上步骤最终在氮化铝籽晶背部得到耐高温、防背部升华的薄膜涂层。本发明专利技术工艺简单、易操作，成本低廉，且籽晶背部涂层与籽晶紧密结合，解决了传统籽晶粘结工艺中籽晶与胶层及籽晶托之间产生的胶层气孔问题引起的背部升华缺陷，提高了氮化铝的结晶质量。

【技术实现步骤摘要】
一种用于氮化铝单晶生长籽晶背部镀膜的方法
本专利技术涉及一种适用于氮化铝单晶生长籽晶背部镀膜方法，用于氮化铝晶体生长方面，防止耔晶背部升华，属于人工晶体生长领域。
技术介绍
氮化铝晶体(AlN)属于第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度宽，击穿电场高，热导率高，电子饱和速率高以及抗辐射能力强等优点。与其他半导体材料相比AlN晶体具有更优异的性能：(1)禁带宽度6.2eV，是重要深紫外器件用衬底材料，(2)其热导率高，熔点高，电阻率高，击穿场强大，介电系数小，是优异的高温、高频和大功率器件用电子材料；(3)并且AlN具有非常好的压电和声表面波高速传播性能，是优异的声表面波器件用压电材料；因此，AlN晶体材料具有广阔的应用前景。目前，物理气相传输法(PVT)是生长AlN体块晶体普遍采用的方法，例如：中国专利文件CN106637411A公开了一种氮化铝单晶生长方法，长晶时的温度曲线和压力曲线简单可控；在氮化铝烧结体表面进行长晶，生长得到的氮化铝单晶体内部几乎无缺陷；通过采用钨材料制备坩埚，杂质引入极少；能够得到最大尺寸为厘米级的氮化铝单晶；长晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于氮化铝单晶生长籽晶背部镀膜的方法，包括步骤如下：/n将耐高温能溶性物质溶解成溶液，然后滴涂到氮化铝耔晶背部表面，使用匀胶设备使溶液均匀分布在氮化铝籽晶背面，烘干，即完成氮化铝耔晶背部镀膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于氮化铝单晶生长籽晶背部镀膜的方法，包括步骤如下：
将耐高温能溶性物质溶解成溶液，然后滴涂到氮化铝耔晶背部表面，使用匀胶设备使溶液均匀分布在氮化铝籽晶背面，烘干，即完成氮化铝耔晶背部镀膜。


2.根据权利要求1所述的用于氮化铝单晶生长籽晶背部镀膜的方法，其特征在于，所述的耐高温能溶性物质为耐高温碱金属铝酸盐、耐高温的金属、耐高温化合物、有机化合物或耐高温无机物。


3.根据权利要求2所述的用于氮化铝单晶生长籽晶背部镀膜的方法，其特征在于，所述的碱金属铝酸盐为铝酸钠、铝酸钾、铝酸镁、偏铝酸钠、偏铝酸钾、偏铝酸镁、硅铝酸钠、硅铝酸钾和硅铝酸镁中的一种或多种任意比例的混合物。


4.根据权利要求2所述的用于氮化铝单晶生长籽晶背部镀膜的方法，其特征在于，所述的耐高温的金属为钨、钼或钽。


5.根据权利要求2所述的用于氮化铝单晶生长籽晶背部镀膜的方法，其特征在于，所述的耐高温的金属化合物为碳化钨、碳化钼或碳化钽。


6.根据权利要求2所述的用于氮化铝单晶生长籽晶背部镀膜的方法，其特征在于，所述的有机化合物为葡萄糖或环氧树脂；

【专利技术属性】
技术研发人员：张雷，俞瑞仙，刘光霞，陈成敏，程雪，赵刚，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：山东;37