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微型压电谐振式传感器阵列芯片制造技术

技术编号:2529464 阅读:215 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及压电传感器阵列,特别是一种集成微型压电谐振式传感器阵列的芯片。旨在解决已有压电传感器阵列灵敏度较低、精度较差、检测复杂、干扰较大等问题。本阵列芯片包含至少两个压电谐振片2及其上侧片面上的微电极4,其特征在于有共用的一个绝缘的基片1,在基片上的共用的基电极3与上述各压电谐振片的下侧片面相接。用于微量和超微量物理量、化学量和生物量的分析检测。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及压电传感器阵列,特别是一种集成微型压电谐振式传感器阵列的芯片。压电谐振式传感器由压电谐振式传感器芯片及其电极外接谐振电路构成。压电谐振式传感器芯片由压电材料制成的压电谐振片及其表面的电极构成。压电谐振式传感器信号即谐振频率通过频率检测电路或频率计数仪获得。压电谐振式传感器在其谐振过程中与周边环境相互作用,可对传感器表面和环境介质的物理性能包括质量、粘弹性、介电或流变特性等作出应答并转换为器件谐振频率的变化。单个压电谐振式传感器只能获取一个被检对象有关成分、性状的信息,采用多个压电谐振式传感器构成传感器阵列可同时获取被检对象有关成分、性状的多维信患,得到对象的全面、动态、实时或在位描述,或可一次测定多个被检对象,用于化学、生物学、药学、临床医学和环境科学等领域的分析检测。已有的压电谐振式传感器阵列芯片,如中国专利CN1139202A,1997年1月1日公开的“可任意分布的压电振荡式阵列传感器”中的技术,采用在一块压电材料的正反两个表面敷设多组导电材料,构成整块结构的压电传感器阵列芯片,当导电材料的交错部分在外接有振荡电路时形成独立振子,当外界参量作用于该区域时,其振本文档来自技高网...

【技术保护点】
微型压电谐振式传感器阵列芯片,包含至少两个压电谐振片(2)及其上侧片面上的微电极(4),其特征在于有共用的一个绝缘的基片(1),在基片上有共用的基电极(3)与上述各压电谐振片的下侧片面相接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:莫志宏
申请(专利权)人:莫志宏
类型:发明
国别省市:85[中国|重庆]

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