一种多孔层状过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及催化剂领域，提供了一种多孔层状过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用。本发明专利技术提供的制备方法包括以下步骤：(1)将二氧化硅微球、过渡金属盐和硫族单质混合后进行压制处理，得到压片；所述二氧化硅微球为单一粒径的二氧化硅微球或由不同粒径的二氧化硅微球组成；(2)将所述压片在氢气氛围中进行烧结，然后除去二氧化硅微球，得到多孔层状过渡金属硫族化合物。采用本发明专利技术方法制备的多孔层状过渡金属硫族化合物晶格层边缘暴露量增加，具有更多的活性位点，催化活性较高，在可见光照射下，能够有效催化醇氧化成醛或者催化硫醚氧化成亚砜。

【技术实现步骤摘要】
一种多孔层状过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用
本专利技术涉及催化剂领域，尤其涉及一种多孔层状过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用。
技术介绍
层状过渡金属硫族化合物(TMDs：transitionmetaldichalcogenides)的化学式一般为MX2，其中M为过渡金属，主要包括Mo、W、V等，X为硫族元素(S、Se、Te)。层状过渡金属硫族化合物具有类似石墨的层状晶格层，其晶格层一般为由三个原子层组成的夹层结构：中间一层为过渡金属原子层，两侧为硫族元素层，一般简写为X-M-X晶格层；在X-M-X晶格层内，金属原子与硫族元素原子通过强化学键连接在一起，晶格层之间则只通过较弱的范德华力堆积在一起。在TMDs材料中，半导体材料的能带结构比较特殊，电子跃迁主要来源于材料中金属元素的d轨道电子而不是硫族元素的价电子，极大地提升了S/Se/Te元素的抗光腐蚀能力，具有很好的稳定性(R.Coehoorn,C.Haas,J.Dijkstra,C.J.F.Flipse,R.A.D.Groot,A.Wold.ElectronicStructureofM本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多孔层状过渡金属硫族化合物的制备方法，包括以下步骤：/n(1)将二氧化硅微球、过渡金属盐和硫族单质混合后进行压制处理，得到压片；所述二氧化硅微球为单一粒径的二氧化硅微球或由不同粒径的二氧化硅微球组成；/n(2)将所述压片在氢气氛围中进行烧结，然后除去二氧化硅微球，得到多孔层状过渡金属硫族化合物。/n

【技术特征摘要】
1.一种多孔层状过渡金属硫族化合物的制备方法，包括以下步骤：
(1)将二氧化硅微球、过渡金属盐和硫族单质混合后进行压制处理，得到压片；所述二氧化硅微球为单一粒径的二氧化硅微球或由不同粒径的二氧化硅微球组成；
(2)将所述压片在氢气氛围中进行烧结，然后除去二氧化硅微球，得到多孔层状过渡金属硫族化合物。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中二氧化硅微球的直径为5～200nm。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中过渡金属盐包括磷钨酸、偏钨酸铵和钼酸铵中的一种或两种。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中硫族单质包括S、Se和Te中的一种或两种。


5.根据权利要求1～4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中二氧化硅微球和过渡金属盐的质量比为1:0.05～1；所述二氧化硅微球和硫族单质的质量比为1:0.05～1。


6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王程，徐伟明，郑慧琳，章鹏飞，沈鸿云，李小玲，
申请(专利权)人：杭州师范大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33