氧化铟锡溅射设备的成膜装置和氧化铟锡溅射设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种氧化铟锡溅射设备的成膜装置和氧化铟锡溅射设备，氧化铟锡溅射设备的成膜装置包括氧化铟锡靶材以及安装在氧化铟锡靶材底部的驱动单元上的防着板，还包括围设在氧化铟锡靶材回镀区外围的遮蔽结构，且遮蔽结构与氧化铟锡靶材的外表面之间具有间隙，遮蔽结构与防着板连接，遮蔽结构用于对氧化铟锡靶材的回镀区进行遮挡，以防止镀膜时产生的杂质沉积在氧化铟锡靶材的回镀区，从而提高了防着板的使用寿命，降低了清洗成本，提高了设备的稼动率。

【技术实现步骤摘要】
氧化铟锡溅射设备的成膜装置和氧化铟锡溅射设备
本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种氧化铟锡溅射设备的溅射成膜装置。
技术介绍
氧化铟锡溅射设备是进行氧化铟锡镀膜时常用的设备，氧化铟锡溅射设备包括成膜装置，成膜装置包括氧化铟锡靶材和安装在氧化铟锡靶材底部的驱动单元上的防着板。现有技术中的氧化铟锡溅射设备的成膜装置在使用的过程中，由于靶材底部的回镀区容易累积氧化铟锡粉尘或者脱落的氧化铟锡膜，会引起异常放电频发，从而导致防着板的使用寿命低，清洗成本高，设备稼动率低。
技术实现思路
本技术提供一种氧化铟锡溅射设备的成膜装置和氧化铟锡溅射设备，以提高防着板的使用寿命，降低清洗成本，提高设备的稼动率。第一方面，本技术提供一种氧化铟锡溅射设备的成膜装置，包括氧化铟锡靶材以及安装在所述氧化铟锡靶材底部的驱动单元上的防着板，还包括围设在所述氧化铟锡靶材回镀区外围的遮蔽结构，且所述遮蔽结构与所述氧化铟锡靶材的外表面之间具有间隙，所述遮蔽结构与所述防着板连接，所述遮蔽结构用于对所述氧化铟锡靶材的回镀区进行遮挡，以防止镀膜时产生的杂质沉积在所述氧化铟锡靶材的回镀区。本技术提供的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，通过在氧化铟锡靶材的回镀区外围围设遮蔽结构，以使遮蔽结构对氧化铟锡靶材的回镀区形成遮挡，从而能够防止镀膜时产生的杂质沉积在氧化铟锡靶材的回镀区，即，遮蔽结构的设置能够使镀膜时产生的导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质大部分沉积在遮蔽结构上，减少了沉积在氧化铟锡靶材回镀区的导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质的累积量，从而不仅减少了镀膜时异常放电发生的频率，提高了氧化铟锡溅射设备的成膜装置的成膜稳定性；而且延长了靶材的使用寿命，提高了氧化铟锡溅射设备的稼动率。由于沉积在氧化铟锡靶材回镀区的导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质的累积量减少，因此也减少了从氧化铟锡靶材上脱落至防着板与氧化铟锡靶材之间的缝隙内的导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质，从而可以降低对防着板进行保养清洗的频率，既节省了清洗成本，又提高了防着板的使用寿命。同时，将遮蔽结构连接在防着板上，且使遮蔽结构与氧化铟锡靶材的外表面之间具有间隙，从而防止遮蔽结构剐蹭到氧化铟锡靶材，在对氧化铟锡靶材的回镀区形成遮挡的同时，不会影响氧化铟锡靶材的转动。如上所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，可选的，所述遮蔽结构包括遮蔽板，所述遮蔽板为环形遮蔽板；或者，所述遮蔽板包括至少两个弧形子遮蔽板，至少两个所述弧形子遮蔽板沿所述氧化铟锡靶材的周向依次首尾连接。如上所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，可选的，所述氧化铟锡靶材被所述遮蔽结构遮挡的部分的高度范围为8mm～10mm。如上所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，可选的，还包括用于调整所述遮蔽板与所述氧化铟锡靶材的外表面之间的间隙大小的调节件。如上所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，可选的，所述调节件包括顶丝；所述遮蔽板上开设有可供所述顶丝穿过的螺纹孔，所述顶丝的一端抵顶在所述防着板的外壁上。如上所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，可选的，所述调节件至少为两个，至少两个所述调节件沿所述遮蔽板的周向间隔排布。如上所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，可选的，所述防着板上具有第一连接部，所述遮蔽板上具有可与所述第一连接部匹配连接的第二连接部。如上所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，可选的，所述第一连接部至少为两个，所述第二连接部至少为一个，至少两个所述第一连接部在沿所述防着板的底部至所述防着板的顶部的方向上依次间隔排布；所述第二连接部可与任一所述第一连接部匹配连接，以使所述遮蔽板所在的高度可调；和/或，所述第一连接部和所述第二连接部的其中一者为卡槽，所述第一连接部和所述第二连接部的其中另一者为可卡入所述卡槽中的卡凸。如上所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，可选的，所述遮蔽结构与所述防着板一体成型。第二方面，本技术提供一种氧化铟锡溅射设备，可选的，包括如上任一项所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置。本技术提供的氧化铟锡溅射设备，通过在其成膜装置的氧化铟锡靶材的回镀区外围围设遮蔽结构，以使遮蔽结构对氧化铟锡靶材的回镀区形成遮挡，从而能够防止镀膜时产生的杂质沉积在氧化铟锡靶材的回镀区，即，遮蔽结构的设置能够使镀膜时产生的导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质大部分沉积在遮蔽结构上，减少了沉积在氧化铟锡靶材回镀区的导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质的累积量，从而不仅减少了镀膜时异常放电发生的频率，提高了氧化铟锡溅射设备的成膜装置的成膜稳定性；而且延长了靶材的使用寿命，提高了氧化铟锡溅射设备的稼动率。由于沉积在氧化铟锡靶材回镀区的导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质的累积量减少，因此也减少了从氧化铟锡靶材上脱落至防着板与氧化铟锡靶材之间的缝隙内的导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质，从而可以降低对防着板进行保养清洗的频率，既节省了清洗成本，又提高了防着板的使用寿命。同时，将遮蔽结构连接在防着板上，且使遮蔽结构与氧化铟锡靶材的外表面之间具有间隙，从而防止遮蔽结构剐蹭到氧化铟锡靶材，在对氧化铟锡靶材的回镀区形成遮挡的同时，不会影响氧化铟锡靶材的转动。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术的氧化铟锡溅射设备的成膜装置的结构示意图；图2为本技术实施例一提供的氧化铟锡溅射设备的成膜装置的结构示意图；图3为本技术实施例一提供的氧化铟锡溅射设备的成膜装置的遮蔽板的结构示意图；图4为本技术实施例一提供的氧化铟锡溅射设备的成膜装置的遮蔽板的安装示意图；图5为本技术实施例二提供的氧化铟锡溅射设备的成膜装置的遮蔽板和防着板的结构示意图一；图6为本技术实施例二提供的氧化铟锡溅射设备的成膜装置的遮蔽板和防着板的结构示意图二。附图标记说明：1-氧化铟锡靶材；2-防着板；21-弧形子防着板；3-遮蔽结构；31-环形遮蔽板；32-弧形子遮蔽板；4-间隙；5-顶丝；6-对位螺钉。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。氧化铟锡溅射镀膜的原理是：在真空环境中，利用直流电源将通入的氩气解离形成等离子体，等离子体中的氩离子在阴极(即氧化铟锡靶材)与阳极之间的电场的作用下做加速运动，从而使具有很高速度的氩本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化铟锡溅射设备的成膜装置，包括氧化铟锡靶材以及安装在所述氧化铟锡靶材底部的驱动单元上的防着板，其特征在于，还包括围设在所述氧化铟锡靶材回镀区外围的遮蔽结构，且所述遮蔽结构与所述氧化铟锡靶材的外表面之间具有间隙，所述遮蔽结构与所述防着板连接，所述遮蔽结构用于对所述氧化铟锡靶材的回镀区进行遮挡，以防止镀膜时产生的杂质沉积在所述氧化铟锡靶材的回镀区。/n

【技术特征摘要】
1.一种氧化铟锡溅射设备的成膜装置，包括氧化铟锡靶材以及安装在所述氧化铟锡靶材底部的驱动单元上的防着板，其特征在于，还包括围设在所述氧化铟锡靶材回镀区外围的遮蔽结构，且所述遮蔽结构与所述氧化铟锡靶材的外表面之间具有间隙，所述遮蔽结构与所述防着板连接，所述遮蔽结构用于对所述氧化铟锡靶材的回镀区进行遮挡，以防止镀膜时产生的杂质沉积在所述氧化铟锡靶材的回镀区。


2.根据权利要求1所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，其特征在于，所述遮蔽结构包括遮蔽板，所述遮蔽板为环形遮蔽板；
或者，所述遮蔽板包括至少两个弧形子遮蔽板，至少两个所述弧形子遮蔽板沿所述氧化铟锡靶材的周向依次首尾连接。


3.根据权利要求2所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，其特征在于，所述氧化铟锡靶材被所述遮蔽结构遮挡的部分的高度范围为8mm～10mm。


4.根据权利要求2或3所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，其特征在于，还包括用于调整所述遮蔽板与所述氧化铟锡靶材的外表面之间的间隙大小的调节件。


5.根据权利要求4所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，其特征在于，所述调节件包括顶丝；
所述遮蔽板上开设有可供所述顶...

【专利技术属性】
技术研发人员：张洁，朱成顺，蒋雷，
申请(专利权)人：成都中电熊猫显示科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51