具低传输损耗的铜箔制造技术

本发明专利技术涉及一种表面处理铜箔，其具有小于1.90μm

【技术实现步骤摘要】
具低传输损耗的铜箔
本专利技术涉及具有受控的表面特性的电解铜箔。本专利技术也涉及具有低电子信号传输损耗的电路板等，且该电路板包括该电解铜箔作为其组件。
技术介绍
对于传输大量数据的需求日益增长，需要不断提高电路板上组件之间的信号传输速度。为达成此等速度，频率范围必需从低于1MHz增加至1GHz、10GHz甚或更高。于此等较高范围内，电流主要在接近导体表面处流动，这是由于众所周知的“集肤效应(skineffect)”所导致，即高频电流密度于导体表面处为最高且朝向中心呈指数衰减的趋势。集肤深度(skindepth)，其承载大约67％的信号，与频率的平方根成反比。因此，于1MHz的集肤深度为65.2μm，于1GHz的集肤深度为2.1μm，而于10GHz的集肤深度仅为0.7μm。在较高频率下，由于大约或大于集肤深度的粗糙度将对信号传输造成影响，因此导体的表面形貌或粗糙度变得愈发重要。加剧劣化的一个因素为，印刷电路板中的导体表面通常特意地进行粗糙化，以增强导体与电路板的层压结构中使用的树脂层的粘合特性。通常而言，粗糙化表面的表面粗糙度Rz约为数微本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种表面处理铜箔，包括：/n电解铜箔，包括辊筒面及沉积面；以及/n处理层，设置于所述辊筒面上，以提供表面处理面，/n其中，所述处理层包括粗化粒子层，以及，其中，所述表面处理面具有小于1.90μm

【技术特征摘要】
20190201 US 62/800263;20191216 US 16/7152841.一种表面处理铜箔，包括：
电解铜箔，包括辊筒面及沉积面；以及
处理层，设置于所述辊筒面上，以提供表面处理面，
其中，所述处理层包括粗化粒子层，以及，其中，所述表面处理面具有小于1.90μm3/μm2的实体体积(Vm)。


2.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述表面处理面具有介于0.11至1.86μm3/μm2的范围内的实体体积(Vm)。


3.根据权利要求2所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述表面处理面具有介于0.25至0.85μm3/μm2的范围内的实体体积(Vm)。


4.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述表面处理铜箔具有等于或小于468ppm的氧含量。


5.根据权利要求4所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述表面处理铜箔具有等于或小于348ppm的氧含量。


6.根据权利要求5所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述表面处理铜箔具有介于53至348ppm的范围内的氧含量。


7.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述表面处理面具有介于0.25至1.90μm3/μm2的范围内的实体体积(Vm)，且所述表面处理铜箔具有等于或小于468ppm的氧含量。


8.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述表面处理铜箔具有等于或小于29ppm的氢含量。


9.根据权利要求8所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述表面处理铜箔具有介于5至29ppm的范围内的氢含量。


10.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述表面处理铜箔以200℃加热1小时之后，所述表面处理铜箔具有介于21.3至45.1kg/mm2的范围内的抗拉强度。


11.根据权利要求4所述的表面处理铜箔，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖建铭，赖耀生，周瑞昌，
申请(专利权)人：长春石油化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71