【技术实现步骤摘要】
一种基于薄膜IPD技术的宽频带吸收式带阻滤波器芯片
本专利技术涉及集成电路领域，特别是涉及一种基于薄膜IPD技术的宽频带吸收式带阻滤波器芯片。
技术介绍
随着无线通信技术的迅速发展，频谱资源日益复杂，带阻滤波器逐渐向着宽频带、低插损、超小型化等趋势发展。带阻滤波器中的吸收式带阻滤波器，可以直接将输入的信号中的某些干扰信号频率分量，通过电阻吸收以达到干扰信号抑制功能。在近年来，大量吸收式带阻滤波器的研制在现有技术中多种实现方式，在一种实现方式中可以采用低温共烧陶瓷(LowTemperatureCofiredCeramic，简称LTCC)技术实现。通常现有技术利用LTCC技术来实现集总元件比如电容、电感构成的吸收式带阻滤波器电路。具体吸收式带阻滤波器电路参见图1所示，图1为现有技术的吸收式带阻滤波器的电路原理图。吸收式带阻滤波器的电路是由输入端90、输出端20、第一个电容60、第一个电感70，第一个电阻80、第二个电阻30、第二个电容50，第二个电感40组成；其中第一个电感70，第一个电阻80与第二个电阻30串联，并与输...
【技术保护点】
1.一种基于薄膜集成无源器件IPD技术的宽频带吸收式带阻滤波器芯片，其特征在于，包括：/n吸收式带阻滤波器电路，以及用于承载所述吸收式带阻滤波器电路的基底层，其中，/n所述基底层为单层的介质板；/n所述吸收式带阻滤波器电路是采用薄膜集成无源器件IPD技术在所述介质板上生成的；所述吸收式带阻滤波器电路包括：输入端口，输出端口、连接于所述输入端口与输出端口之间的基础带阻主路、以及连接于所述基础带阻主路上的宽频带吸收支路；/n所述输入端口，用于接收输入的信号；/n所述基础带阻主路，用于对所述信号在带阻的频率范围内进行阻断；/n所述宽频带吸收支路，用于吸收所述信号并且拓展所述信号的...
【技术特征摘要】
1.一种基于薄膜集成无源器件IPD技术的宽频带吸收式带阻滤波器芯片，其特征在于，包括：
吸收式带阻滤波器电路，以及用于承载所述吸收式带阻滤波器电路的基底层，其中，
所述基底层为单层的介质板；
所述吸收式带阻滤波器电路是采用薄膜集成无源器件IPD技术在所述介质板上生成的；所述吸收式带阻滤波器电路包括：输入端口，输出端口、连接于所述输入端口与输出端口之间的基础带阻主路、以及连接于所述基础带阻主路上的宽频带吸收支路；
所述输入端口，用于接收输入的信号；
所述基础带阻主路，用于对所述信号在带阻的频率范围内进行阻断；
所述宽频带吸收支路，用于吸收所述信号并且拓展所述信号的带阻的频率范围；
所述输出端口，用于输出经所述宽频带吸收支路及所述基础带阻主路处理所述信号以后，除所述带阻的频率范围以外的信号。
2.如权利要求1所述的基于薄膜集成无源器件IPD技术的宽频带吸收式带阻滤波器芯片，其特征在于，在所述宽频带吸收支路为一个宽频带吸收支路的情况下，所述宽频带吸收支路连接于所述输入端口与所述基础带阻主路之间；
在所述宽频带吸收支路为两个以上宽频带吸收支路的情况下，所述两个以上宽频带吸收支路中的一个宽频带吸收支路连接于所述输入端口与所述基础带阻主路之间，所述两个以上宽频带吸收支路中的另一个宽频带吸收支路连接于所述基础带阻主路与所述输出端口之间，所述两个以上宽频带吸收支路中的其余宽频带吸收支路连接于所述基础带阻主路上。
3.如权利要求1所述的基于薄膜集成无源器件IPD技术的宽频带吸收式带阻滤波器芯片，其特征在于，在所述宽频带吸收支路为一个宽频带吸收支路的情况下，所述宽频带吸收支路包括：用于吸收所述信号的薄膜电阻，第二直接螺旋电感及第四金属绝缘体金属MIM电容；其中，
所述薄膜电阻，所述第二直接螺旋电感与所述第四MIM电容串联，所述薄膜电阻的一端连接于所述输入端口，所述薄膜电阻的另一端连接于所述第二直接螺旋电感的一端，所述第二直接螺旋电感的另一端连接于所述第四MIM电容的一端，所述第四MIM电容的另一端连接于节点。
4.如权利要求3所述的基于薄膜集成无源器件IPD技术的宽频带吸收式带阻滤波器芯片，其特征在于，所述薄膜电阻是由镍铬合金构成的。
5.如权利要求1所述的基于薄膜集成无源器件IPD技术的宽频带吸收式带阻滤波器芯片，其特征在于，所述吸收式带阻滤波器电路还包括：连接于所述基础带阻主路上的宽频带反射支路，用于拓展所述信号的带阻的频率范围，并且位于所述宽频带吸收支路靠近所述输出端口的位置；
所述输出端口，还用于输出经所述宽频带吸收支路，所述基础带阻主路及所述宽频带反射支路处理所述信号以后，除...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴永乐，孔梦丹，庄正，王卫民，
申请(专利权)人：北京邮电大学，
类型：发明
国别省市：北京;11
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