【技术实现步骤摘要】
电子器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件制造测试领域,具体涉及一种电子器件及其制造方法。
技术介绍
芯片形成的最后一步,往往需要后道工序的层间绝缘层和布线层的沉积。对于传统的芯片,往往需要形成焊盘以进行外部电连接。该外部电连接可以通过正装或者倒装方式形成,在此保证外部电连接的可靠性是必需的。
技术实现思路
基于解决上述问题,本专利技术提供了一种电子器件的制造方法,其包括以下:(1)提供衬底,所述衬底包括至少一个电极;(2)在所述衬底上形成绝缘层并进行图案化,以形成露出所述电极的第一开口;(3)在所述绝缘层上形成牺牲阳极层和布线层,所述布线层的一端电连接所述电极,另一端设置于所述牺牲阳极层上形成为焊盘;(4)形成覆盖所述绝缘层、所述布线层和所述牺牲阳极层的钝化层并进行图案化,以形成露出所述焊盘的第二开口;(5)在所述第二开口中的所述焊盘上形成AlSi层;(6)在所述AlSi层上形成线接合球。其中,所述AlSi层采用铝钯和硅靶的共溅射方法形成,其溅 ...
【技术保护点】
1.一种电子器件的制造方法,其包括以下:/n(1)提供衬底,所述衬底包括至少一个电极;/n(2)在所述衬底上形成绝缘层并进行图案化,以形成露出所述电极的第一开口;/n(3)在所述绝缘层上形成牺牲阳极层和布线层,所述布线层的一端电连接所述电极,另一端设置于所述牺牲阳极层上形成为焊盘;/n(4)形成覆盖所述绝缘层、所述布线层和所述牺牲阳极层的钝化层并进行图案化,以形成露出所述焊盘的第二开口;/n(5)在所述第二开口中的所述焊盘上形成AlSi层;/n(6)在所述AlSi层上形成线接合球。/n
【技术特征摘要】
1.一种电子器件的制造方法,其包括以下:
(1)提供衬底,所述衬底包括至少一个电极;
(2)在所述衬底上形成绝缘层并进行图案化,以形成露出所述电极的第一开口;
(3)在所述绝缘层上形成牺牲阳极层和布线层,所述布线层的一端电连接所述电极,另一端设置于所述牺牲阳极层上形成为焊盘;
(4)形成覆盖所述绝缘层、所述布线层和所述牺牲阳极层的钝化层并进行图案化,以形成露出所述焊盘的第二开口;
(5)在所述第二开口中的所述焊盘上形成AlSi层;
(6)在所述AlSi层上形成线接合球。
2.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法,其特征在于:所述AlSi层采用铝钯和硅靶的共溅射方法形成,其溅射的氛围至少包含氮气。
3.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法,其特征在于:在步骤(6)中形成线接合球还包括加热熔融所述线接合球,并使得所述线接合球与所述AlSi层形成金属间化合物层。
4.一种电子器件,其通过权利要求1-3中任一项所述电子器件的制造方法得到,具体包括:
衬底,所述衬底包括至少一个电极;
绝缘层,设置在所述衬底上且具有露出所述电极的第一开口;
牺牲阳极和布线层,设置于...
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