旁路二极管制造技术

旁路二极管。本实用新型专利技术涉及半导体封装技术领域，尤其涉及提升电流通过量的旁路二极管的封装技术。提供了结构紧凑合理、散热性高、性能好的旁路二极管。包括引线框架、芯片组一和一对对称设置的芯片组二；一对所述芯片组二分别固定设置在靠近所述引线框架的边缘位置；所述芯片组一固定设置在一对所述芯片组二之间；所述芯片组一的头部位于所述芯片组二的尾部一侧。本实用新型专利技术具有结构紧凑合理、散热性高、性能好等特点。

【技术实现步骤摘要】
旁路二极管
本技术涉及半导体封装
，尤其涉及提升电流通过量的旁路二极管的封装技术。
技术介绍
在太阳能电池组件的使用过程中部分位置可能被遮蔽，进而作为负载消耗能量并发热，这就是热斑效应，它对组件有严重的破坏作用。将一个旁路二极管并联在组件两端，能有效地避免热斑效应损害电池组件。随着大规格组件如166、210大面积硅片技术发展再叠加半片、双面双玻技术，整体组件功率已超过430W，工作电流达到17A左右，因此对接线盒报备的电流要求25A以上甚至达到30A，许多终端组件企业都提出了相应的需求。
技术实现思路
本技术针对以上问题，提供了结构紧凑合理、散热性高、性能好的旁路二极管。本技术的技术方案是：包括引线框架、芯片组一和一对对称设置的芯片组二；一对所述芯片组二分别固定设置在靠近所述引线框架的边缘位置；所述芯片组一固定设置在一对所述芯片组二之间；所述芯片组一的头部位于所述芯片组二的尾部一侧。所述引线框架包括间隔设置的左侧框架和右侧框架。所述芯片组一包括芯片一和跳线一；所述芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.旁路二极管，其特征在于，包括引线框架、芯片组一和一对对称设置的芯片组二；/n一对所述芯片组二分别固定设置在靠近所述引线框架的边缘位置；/n所述芯片组一固定设置在一对所述芯片组二之间；/n所述芯片组一的头部位于所述芯片组二的尾部一侧。/n

【技术特征摘要】
1.旁路二极管，其特征在于，包括引线框架、芯片组一和一对对称设置的芯片组二；
一对所述芯片组二分别固定设置在靠近所述引线框架的边缘位置；
所述芯片组一固定设置在一对所述芯片组二之间；
所述芯片组一的头部位于所述芯片组二的尾部一侧。


2.根据权利要求1所述的旁路二极管，其特征在于，所述引线框架包括间隔设置的左侧框架和右侧框架。


3.根据权利要求2所述的旁路二极管，其特征在于，所述芯片组一包括芯片一和跳线一；
所述芯片一的底部通过下焊锡层一与左侧框架固定连接；
所述跳线一的一端通过上焊锡层一与所述芯片一的顶部固定连接，另一端通过锡膏层A与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖宝童，薛伟，吕强，金铭，熊鹏程，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32