类压电d33振动式装置及整合其的显示器制造方法及图纸

技术编号:25192304 阅读:17 留言:0更新日期:2020-08-07 21:18
本发明专利技术提供一种类压电d33振动式装置,至少包括多个电晶体以及多个接收器。该多个接收器电连接至这些电晶体,各电晶体控制对应的各接收器接收被一物体反射一第一振波所产生的一第二振波而产生一感测信号。各接收器具有一第一电极、一第二电极及位于第一电极与第二电极之间且由半导体金属化合物形成后产生的一纳米间隙。本发明专利技术还提供一种整合有上述类压电d33振动式装置的显示器。本发明专利技术容易与半导体制程整合,加工容易、成本低、无污染性。

【技术实现步骤摘要】
类压电d33振动式装置及整合其的显示器
本专利技术是有关于一种类压电d33振动式装置及整合其的显示器,且特别是有关于一种具有集成化收发器的类压电d33振动式装置,其可被应用至各种电子装置、设备及系统,以及有关于一种整合上述收发装置的显示器。
技术介绍
传统的振动式收发器(或称传感器或换能器(transducer)),譬如是声波或超声波收发器,可以用来作医疗器官影像的量测、手势侦测、三维触控、指纹感测、皮下生物资讯(微血管资讯、血流资讯)量测等,可以以空气或流体当作介质,也可以是物体接触式。传统的实施技术通常是使用压电材料,譬如是聚偏二氟乙烯(polyvinylidenedifluoride,PVDF)或锆钛酸铅(LeadZirconateTitanate,PZT)等等,其操作的模式是使用材料的d33模式,亦即使施予材料的电场方向与其振动方向平行。图1A与1B显示一种传统的d33振动式收发器的示意图。如图1A与1B所示,传统的d33振动式收发器300包括一压电材料块310。压电材料块310的上端及下端被通以电压源340而产生电场而使压电材料变形,当电场持续变化时,压电材料块310会沿着振动方向320振动,压电材料块310产生的电场方向330与振动方向320平行时,称为操作在d33模式。譬如,在图1A中,电压源340分别对第一电极311与第二电极312施予负电压及正电压,造成朝上的电场方向330以及压电材料块310的收缩;而在图1B中,电压源340分别对第一电极311与第二电极312施予正电压及负电压,造成朝下的电场方向330以及压电材料块310的伸长。当施予图1A与1B的交替电场时,可以造成压电材料块310的伸缩振动。在制造上,PVDF是一种工程塑胶,不易采用光刻(Lithography)等半导体制程来进行曝光、显影等加工方式,加工方式通常仅能依靠例如雷射加工。因此,要将PVDF整合到半导体制程是很有问题的。PZT具有污染性,很难微加工,而且需要使用块状材料才能实现d33的操作模式(譬如薄膜PZT操作于d31模式)。块状材料的PZT通常采用烧结方式来生产,烧结温度高达700至800℃,甚至高达1000℃。因此,传统的d33的PZT元件都是独立的元件,也很难整合到半导体的制程,甚至无法与集成电路制程做整合,将压电元件制作整合于集成电路。且铅对于半导体装置又具有污染性。再者,PZT需要用白金当作电极,使得制造成本高昂。再者,传统的压电材料在操作时,所施加的电压通常是几十伏特到几百伏特。这么高的电压在系统整合时是一个问题,与半导体制程整合时也是一大问题。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种类压电d33振动式装置,具有的优点是容易与半导体制程整合,加工容易、成本低、无污染性。为达成上述目的,本专利技术提供一种类压电d33振动式装置,至少包括多个电晶体以及多个接收器。这些接收器电连接至这些电晶体,各电晶体控制对应的各接收器接收被一物体反射一第一振波所产生的一第二振波而产生一感测信号。各接收器具有一第一电极、一第二电极及位于第一电极与第二电极之间且由半导体金属化合物形成后产生的一纳米间隙。优选地,各该接收器更作为一发射器用,而作为一收发单元,该收发单元与该些电晶体的对应的一个组成为一集成化收发器,于各该集成化收发器中,该电晶体于一第一时间点控制该收发单元发射出该第一振波以后,于一第二时间点控制该收发单元接收该第二振波。优选地,更包括:一基板,其中各该集成化收发器设置于该基板上,各该电晶体设置于该基板上或该基板内,各该收发单元邻近该电晶体。优选地,该电晶体具有一闸极、一汲极、一源极以及位于该闸极、该汲极与该源极之间的一个第一半导体层。优选地,该收发单元更具有一第二半导体层,位于该基板与该第一电极之间。优选地,该电晶体具有一闸极、一汲极、一源极以及位于该闸极、该汲极与该源极之间的一个第一半导体层;该收发单元更具有一第二半导体层,位于该基板与该第一电极之间;以及该第一半导体层与该第二半导体层为同一层的材料。优选地,该电晶体具有一闸极、一汲极、一源极以及位于该闸极、该汲极与该源极之间的一个第一半导体层;该收发单元更具有一第二半导体层,位于该基板与该第一电极之间;以及该第一半导体层与该第二半导体层为不同层的材料。优选地,该纳米间隙的一高度小于或等于200纳米。优选地,更包括一驱动感测电路模组,电连接至该集成化收发器,并提供一个3.3到12伏特的驱动电压给该集成化收发器。优选地,该半导体金属化合物为一金属硅化物层。优选地,更包括一保护层,该纳米间隙由该保护层及该第一电极所包围而成,该第二电极位于该保护层上。优选地,该基板为一玻璃基板、一软性基板或一个形成有一绝缘层的半导体基板。优选地,整合于一显示器之中或组合于该显示器的下方。优选地,该电晶体具有一闸极、一汲极、一源极以及位于该闸极、该汲极与该源极之间的一个第一半导体层;该收发单元更具有一第二半导体层,位于该基板与该第一电极之间;以及该类压电d33振动式装置包括多个所述的集成化收发器,该些收发单元的该些第一电极通过该些第二半导体层及该些第一半导体层而电连接在一起。优选地,该类压电d33振动式装置包括多个所述的集成化收发器,该些收发单元的该些第一振波的相位差同时受到控制,通过波束成型的方式,将能量集中并且依序扫描,以让各该第一振波的能量最大,来增加感测的灵敏度。优选地,可以同时提供生物特征感测、3D触控及手势侦测的功能。优选地,为一种变频的收发器,来感测该物体的不同特征的深度资讯。优选地,该纳米间隙的所有周壁无任何破孔及填补材料。优选地,该纳米间隙通过该第一电极的一金属层而邻接该半导体金属化合物,或直接邻接该半导体金属化合物。优选地,该收发单元更具有:一介电层组,位于该基板与该第一电极之间,该基板与该介电层组共同形成一个集成电路,电连接至该第一电极及该第二电极;以及一第二绝缘层,位于该纳米间隙与该第二电极之间。优选地,该介电层组具有多个金属插塞,设置于该第一电极与该集成电路之间,并将该第一电极电连接至该集成电路。优选地,该第二电极的材料为单晶硅或多晶硅或非晶硅。优选地,更包括:一发射器,电连接至该些电晶体,该些电晶体于一第一时间点控制该发射器发射出该第一振波以后,于一第二时间点控制该些接收器接收该第二振波。优选地,该发射器具有一第一电极、一第二电极及位于该发射器的该第一电极与该发射器的该第二电极之间且由该半导体金属化合物或另一半导体金属化合物形成后产生的一第二纳米间隙。优选地,更包括一基板,其中该发射器与该些接收器设置于该基板上,各该电晶体设置于该基板上或该基板内,且该第二纳米间隙的高度大于各该纳米间隙的高度。优选地,更包括一基板,其中该些接收器设置于该基板的一上表面上,各该电晶体设置于该基板上或该基板内,该发射器为一压电发射器,设置本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种类压电d33振动式装置,其特征在于,至少包括:/n多个电晶体;以及/n多个接收器,电连接至该些电晶体,各该电晶体控制对应的各该接收器接收被一物体反射一第一振波所产生的一第二振波而产生一感测信号,其中各该接收器具有一第一电极、一第二电极及位于该第一电极与该第二电极之间且由半导体金属化合物形成后产生的一纳米间隙。/n

【技术特征摘要】
20190503 TW 108115346;20190812 TW 108128509;2020011.一种类压电d33振动式装置,其特征在于,至少包括:
多个电晶体;以及
多个接收器,电连接至该些电晶体,各该电晶体控制对应的各该接收器接收被一物体反射一第一振波所产生的一第二振波而产生一感测信号,其中各该接收器具有一第一电极、一第二电极及位于该第一电极与该第二电极之间且由半导体金属化合物形成后产生的一纳米间隙。


2.如权利要求1所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,各该接收器更作为一发射器用,而作为一收发单元,该收发单元与该些电晶体的对应的一个组成为一集成化收发器,于各该集成化收发器中,该电晶体于一第一时间点控制该收发单元发射出该第一振波以后,于一第二时间点控制该收发单元接收该第二振波。


3.如权利要求2所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,更包括:
一基板,其中各该集成化收发器设置于该基板上,各该电晶体设置于该基板上或该基板内,各该收发单元邻近该电晶体。


4.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,该电晶体具有一闸极、一汲极、一源极以及位于该闸极、该汲极与该源极之间的一个第一半导体层。


5.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,该收发单元更具有一第二半导体层,位于该基板与该第一电极之间。


6.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,
该电晶体具有一闸极、一汲极、一源极以及位于该闸极、该汲极与该源极之间的一个第一半导体层;
该收发单元更具有一第二半导体层,位于该基板与该第一电极之间;以及
该第一半导体层与该第二半导体层为同一层的材料。


7.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,
该电晶体具有一闸极、一汲极、一源极以及位于该闸极、该汲极与该源极之间的一个第一半导体层;
该收发单元更具有一第二半导体层,位于该基板与该第一电极之间;以及
该第一半导体层与该第二半导体层为不同层的材料。


8.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,该纳米间隙的一高度小于或等于200纳米。


9.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,更包括一驱动感测电路模组,电连接至该集成化收发器,并提供一个3.3到12伏特的驱动电压给该集成化收发器。


10.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,该半导体金属化合物为一金属硅化物层。


11.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,更包括一保护层,该纳米间隙由该保护层及该第一电极所包围而成,该第二电极位于该保护层上。


12.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,该基板为一玻璃基板、一软性基板或一个形成有一绝缘层的半导体基板。


13.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,整合于一显示器之中或组合于该显示器的下方。


14.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,
该电晶体具有一闸极、一汲极、一源极以及位于该闸极、该汲极与该源极之间的一个第一半导体层;
该收发单元更具有一第二半导体层,位于该基板与该第一电极之间;以及
该类压电d33振动式装置包括多个所述的集成化收发器,该些收发单元的该些第一电极通过该些第二半导体层及该些第一半导体层而电连接在一起。


15.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,该类压电d33振动式装置包括多个所述的集成化收发器,该些收发单元的该些第一振波的相位差同时受到控制,通过波束成型的方式,将能量集中并且依序扫描,以让各该第一振波的能量最大,来增加感测的灵敏度。


16.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,可以同时提供生物特征感测、3D触控及手势侦测的功能。


17.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,为一种变频的收发器,来感测该物体的不同特征的深度资讯。


18.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,该纳米间隙的所有周壁无任何破孔及填补材料。


19.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,该纳米间隙通过该第一电极的一金属层而邻接该半导体金属化合物,或直接邻接该半导体金属化合物。


20.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,该收发单元更具有:
一介电层组,位于该基板与该第一电极之间,该基板与该介电层组共同形成一个集成电路,电连接至该第一电极及该第二电极;以及
一第二绝缘层,位于该纳米间隙与该第二电极之间。


21.如权利要求20所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:周正三
申请(专利权)人:美三科技有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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