体声波谐振器制造技术

本发明专利技术提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：基板；膜层，与所述基板形成腔；第一电极，至少部分地设置在所述腔的上部上并且包括比所述第一电极的其他部分厚的端部部分；插入层，包括邻近所述第一电极的所述端部部分设置的第一部分和设置在所述第一电极的上部上的第二部分；压电层，设置为覆盖所述插入层；以及第二电极，设置在所述压电层的上部上。

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器本申请要求于2019年1月31日提交到韩国知识产权局的第10-2019-0012938号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。
以下描述涉及一种体声波谐振器。
技术介绍
体声波(BAW)滤波器是射频(RF)模块的关键元件，该射频模块使诸如智能电话和平板电脑等装置的前端模块中的RF信号的期望频带通过并且阻隔非期望频带。随着移动市场的发展，对此需求正逐步地增加。BAW滤波器由体声波谐振器组成。当体声波谐振器的Q性能好时，在BAW滤波器中可仅选择期望频带。为了提高体声波谐振器中的半谐振点的Q性能，在谐振器的有效区域附近形成框架，从而在谐振时产生的横向波将被反射到谐振器的内部以将谐振能量限制在有效区域中。通常，框架通过使用与上电极相同的材料形成以比有效区域厚。在这种情况下，由于框架占用无效区域，导致kt2性能可能被恶化，并且由于在宽频带区域中的框架谐振而可能出现噪声。为了解决框架的问题，可在谐振器的外边缘处使用檐型结构，但工艺可能变得复杂，并且因此良率可能会下降。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以按照简化形式介绍并且在以下具体实施方式中进一步描述所选择的构思。本
技术实现思路
既不意在限定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。在一个总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；膜层，与所述基板形成腔；第一电极，至少部分地设置在所述腔的上部上并且包括比所述第一电极的其他部分厚的端部部分；插入层，包括邻近所述第一电极的所述端部部分设置的第一部分和设置在所述第一电极的上部上的第二部分；压电层，设置为覆盖所述插入层；以及第二电极，设置在所述压电层的上部上。所述第一电极的所述端部部分可包括具有渐增厚度的突起部。所述第一电极的所述端部部分可包括具有渐减厚度的倾斜部。所述插入层的所述第一部分的上表面可与所述第一电极的所述端部部分的上表面共面。所述插入层的所述第一部分的上表面可设置在所述第一电极的所述端部部分的上表面的上方。所述插入层的所述第一部分的上表面的一端可与所述第一电极的所述端部部分的上表面共面，并且所述插入层的所述第一部分的所述上表面的另一端可设置在所述第一电极的所述端部部分的所述上表面的下方。所述插入层的所述第一部分的上表面可设置在所述第一电极的所述端部部分的上表面的下方。所述倾斜部可从所述突起部延伸。所述体声波谐振器可包括设置在所述基板和所述第一电极之间的蚀刻停止部，并且所述蚀刻停止部设置为围绕所述腔。所述体声波谐振器可包括设置在所述蚀刻停止部外部的牺牲层。所述体声波谐振器可包括设置在所述第二电极上的钝化层。所述插入层可包括绝缘材料。所述插入层可包括二氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氧化锰(MnO)、氧化锆(ZrO2)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)中的任意一种。所述插入层可设置在所述压电层的平坦部的外部。所述第一电极可包括钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)和铬(Cr)中的任意一种，或可包括包含钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)和铬(Cr)中的任意一种的合金。在另一个总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；第一电极，设置在所述基板的上部上；插入层，包括设置为从所述第一电极延伸的部分；压电层，设置为覆盖所述插入层；以及第二电极，设置在所述压电层的上部上。所述第一电极包括：具有倾斜的上表面的突起部以及从所述突起部延伸并具有朝向所述插入层的所述部分减小的厚度的倾斜部。所述插入层的设置为从所述第一电极延伸的所述部分覆盖所述倾斜部。所述第一电极可包括具有高声阻抗值的材料，并且所述插入层可包括具有低声阻抗值的材料。在另一个总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；第一电极，设置在所述基板上并包括相对于所述基板的上表面具有可变高度的端部部分；插入层，包括设置为从所述第一电极的所述端部部分延伸的部分；压电层，设置在所述插入层上；以及第二电极，设置在所述压电层上。通过以下具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。附图说明图1是示出根据示例的体声波谐振器的示意性平面图。图2是沿着图1的线I-I'截取的截面图。图3是示出图2的A部分的放大图。图4是示出根据示例的体声波谐振器的示意性截面图。图5是示出图4的B部分的放大图。图6是示出根据示例的体声波谐振器的示意性截面图。图7是示出图6的C部分的放大图。图8是示出根据示例的体声波谐振器的示意性截面图。图9是示出图8的D部分的放大图。图10是示出由于第一电极和插入层的重叠的宽度而引起的谐振器的效果的曲线图。在整个附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，并且为了清楚、说明和方便起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。具体实施方式提供以下具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解了本申请的公开内容后，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、变型及等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作顺序仅仅是示例，且不限于在此所阐述的示例，而是除了必须按照特定顺序发生的操作外，可做出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些可行方式。在此，值得注意的是，关于示例或实施例的术语“可”的使用(例如，关于示例或实施例可包括或实现什么)意味着存在包括或实现这样的特征的至少一个示例或实施例，而所有的示例和实施例不限于此。在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或直接“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其他元件。如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一个和任意两个或更多个的任意组合。尽管可在此使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，包括：/n基板；/n膜层，与所述基板形成腔；/n第一电极，至少部分地设置在所述腔的上部上并且包括比所述第一电极的其他部分厚的端部部分；/n插入层，包括邻近所述第一电极的所述端部部分设置的第一部分和设置在所述第一电极的上部上的第二部分；/n压电层，设置为覆盖所述插入层；以及/n第二电极，设置在所述压电层的上部上。/n

【技术特征摘要】
20190131 KR 10-2019-00129381.一种体声波谐振器，包括：
基板；
膜层，与所述基板形成腔；
第一电极，至少部分地设置在所述腔的上部上并且包括比所述第一电极的其他部分厚的端部部分；
插入层，包括邻近所述第一电极的所述端部部分设置的第一部分和设置在所述第一电极的上部上的第二部分；
压电层，设置为覆盖所述插入层；以及
第二电极，设置在所述压电层的上部上。


2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极的所述端部部分包括具有渐增厚度的突起部。


3.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极的所述端部部分包括具有渐减厚度的倾斜部。


4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述插入层的所述第一部分的上表面与所述第一电极的所述端部部分的上表面共面。


5.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述插入层的所述第一部分的上表面设置在所述第一电极的所述端部部分的上表面的上方。


6.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述插入层的所述第一部分的上表面的一端与所述第一电极的所述端部部分的上表面共面，并且所述插入层的所述第一部分的所述上表面的另一端设置在所述第一电极的所述端部部分的所述上表面的下方。


7.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述插入层的所述第一部分的上表面设置在所述第一电极的所述端部部分的上表面的下方。


8.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述倾斜部从所述突起部延伸。


9.根据权利要求1所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括设置在所述基板和所述第一电极之间的蚀刻停止部，并且所述蚀刻停止部设置为围绕所述腔。


10.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩源，金泰润，孙尚郁，林昶贤，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR