一种非晶硅X光图像传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种非晶硅X光图像传感器，包括含有非晶硅感光芯片的X光成像系统，非晶硅感光芯片感光面通过真空热蒸镀法蒸镀碘化铯粉末形成闪烁体膜，X光经过闪烁体膜转化为可见光，闪烁体膜表面蒸镀纳米防水封装膜，纳米防水封装膜上贴敷黑色PET膜；在非晶硅图像传感器的非晶硅感光芯片的感光面蒸镀碘化铯形成闪烁体膜，直接用化学气相沉积法蒸镀防水性能极好的派瑞林C，然后，在防水膜上贴敷黑色PET膜吸收杂散光，能够有效提高了X光图像分辨率；同时，大大提高产品防水性能和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种非晶硅X光图像传感器
本专利技术属于图像传感器
，具体涉及一种非晶硅X光图像传感器。
技术介绍
图像传感器能够将感光面上的光学图像转换为与光学图像对应的图像传感器二维阵列像素上的电信号；对于X光图像传感器，需要首先将X光密度图像转换为可见光图像，然后由图像传感器将可见光图像转换为二维阵列像素上的电信号。其中，非晶硅X光图像传感器较常使用，传统非晶硅X光图像传感器的结构是：在非晶硅图像传感器感光面直接蒸镀碘化铯闪烁体膜，然后，贴敷光反射膜，最后用防水性能良好的PET膜进行密封封装(因为碘化铯闪烁体膜容易在高湿度环境下潮解)。也有将光反射膜与PET防水膜做成一体，通过贴敷将碘化铯闪烁体膜封装。但是，存在以下缺点：(1)光反射膜会造成非晶硅X光图像传感器的光学分辨率下降；(2)反射膜/封装膜四边必须用防水胶密封，才能提高防水性能；(3)密封胶在高温高湿环境下可靠性不理想。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种非晶硅X光图像传感器，能够吸收杂散光，提高X光图像分辨率。本专利技术采用的技术方案是，一种非晶硅X光图像传感器，包括含有非晶硅感光芯片的X光成像系统，在非晶硅感光芯片的感光面通过真空热蒸镀法蒸镀碘化铯粉末形成闪烁体膜，X光经过闪烁体膜转化为可见光，闪烁体膜和非晶硅感光芯片外表面蒸镀纳米防水封装膜，纳米防水封装膜上位于闪烁体膜正对位置贴敷黑色PET膜。本专利技术的特点还在于：纳米防水封装膜的材料成分为派瑞林C。纳米防水封装膜的厚度为500-600nm。r>闪烁体膜的厚度为150-550μm。闪烁体膜表面蒸镀纳米防水封装膜采用的是化学气相沉积法。非晶硅感光芯片感光面经等离子体处理后蒸镀有碘化铯粉末。真空热蒸镀法蒸镀碘化铯过程中，采用的待蒸镀材料是纯度均为99.999％的碘化铯粉末，非晶硅感光芯片感光面先加热至30-35℃，镀膜室内真空度为2.0×10-3Pa～8.0×10-2Pa。本专利技术一种非晶硅X光图像传感器有益效果是：在非晶硅图像传感器的非晶硅感光芯片的感光面蒸镀碘化铯形成闪烁体膜，在闪烁体膜上直接用化学气相沉积法蒸镀防水性能极好的派瑞林C封装膜，然后，在防水封装膜上贴敷黑色PET膜吸收杂散光，能够有效提高X光图像分辨率；同时，大大提高产品防水性能和可靠性。附图说明图1为本专利技术中一种非晶硅X光图像传感器结构示意图。图中，1.非晶硅感光芯片，2.闪烁体膜，3.纳米防水封装膜，4.黑色PET膜。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进行详细说明。本专利技术一种非晶硅X光图像传感器，如图1所示，包括含有非晶硅感光芯片1的X光成像系统，非晶硅感光芯片1感光面通过真空热蒸镀法蒸镀碘化铯粉末形成闪烁体膜2，X光经过闪烁体膜2转化为可见光，闪烁体膜2和非晶硅感光芯片1外表面蒸镀纳米防水封装膜3，纳米防水封装膜3位于闪烁体膜2正对位置贴敷黑色PET膜，能够吸收杂散光，大大提高X光图像分辨率。纳米防水封装膜3的材料成分为派瑞林C，是防水性能极好的纳米材料。纳米防水封装膜3的厚度为500-600nm，能够有效防水，保护闪烁体膜2。闪烁体膜2的厚度为150-550μm。闪烁体膜2表面蒸镀纳米防水封装膜3采用的是化学气相沉积法。非晶硅感光芯片1感光面经等离子体处理后蒸镀有碘化铯粉末，能够提高碘化铯膜的附着力。真空热蒸镀法蒸镀碘化铯过程中，采用的待蒸镀材料是纯度均为99.999％的碘化铯粉末，非晶硅感光芯片1感光面先加热至30-35℃，镀膜室内真空度为2.0×10-3Pa～8.0×10-2Pa。本专利技术一种非晶硅X光图像传感器工作原理为：X光发生器发出X光，X光穿过被成像物体，含有被成像物体二维密度图像信息的透射X光依次通过黑色PET膜4、防水封装膜3进入闪烁体膜2将X光密度图像转换为二维可见光图像，再经非晶硅感光芯片1感光面，将二维可见光图像通过非晶硅感光芯片的二维阵列像素转换为各个像素的电信号，其中纳米防水膜3上贴敷黑色PET膜4能够吸收杂散光，提高X光图像传感器的光学分辨率。本专利技术一种非晶硅X光图像传感器中通过真空热蒸镀法将碘化铯蒸镀在X光成像系统的非晶硅感光芯片1的感光面上，此过程将直接在非晶硅感光芯片上生成闪烁体膜，有利于提高X光图像传感器的光学性能。实施例本专利技术一种非晶硅X光图像传感器，包括含有非晶硅感光芯片1的X光成像系统，非晶硅感光芯片1感光面通过真空热蒸镀法蒸镀厚度为400μm碘化铯形成的闪烁体膜2，X光经过闪烁体膜2转化为可见光，闪烁体膜2表面通过化学气相沉积法蒸镀厚度为600nm的派瑞林C，派瑞林C上贴敷黑色PET膜4。真空热蒸镀法蒸镀碘化铯过程中，采用的待蒸镀材料是纯度均为99.999％的碘化铯粉末，非晶硅感光芯片1感光面先加热至32℃，镀膜室内真空度为4.0×10-3Pa。通过上述方式，本专利技术一种非晶硅X光图像传感器，在非晶硅图像传感器的非晶硅感光芯片的感光面蒸镀碘化铯形成闪烁体膜，在闪烁体膜上直接用化学气相沉积法蒸镀防水性能极好的派瑞林C，然后，在防水膜上贴敷黑色PET膜吸收杂散光，能够有效提高X光图像分辨率；同时，大大提高产品防水性能和可靠性。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非晶硅X光图像传感器，其特征在于，包括含有非晶硅感光芯片(1)的X光成像系统，所述非晶硅感光芯片(1)感光面通过真空热蒸镀法蒸镀碘化铯粉末形成闪烁体膜(2)，X光经过闪烁体膜(2)转化为可见光，所述闪烁体膜(2)和非晶硅感光芯片(1)外表面蒸镀纳米防水封装膜(3)，所述纳米防水封装膜(3)位于闪烁体膜(2)正对位置贴敷黑色PET膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种非晶硅X光图像传感器，其特征在于，包括含有非晶硅感光芯片(1)的X光成像系统，所述非晶硅感光芯片(1)感光面通过真空热蒸镀法蒸镀碘化铯粉末形成闪烁体膜(2)，X光经过闪烁体膜(2)转化为可见光，所述闪烁体膜(2)和非晶硅感光芯片(1)外表面蒸镀纳米防水封装膜(3)，所述纳米防水封装膜(3)位于闪烁体膜(2)正对位置贴敷黑色PET膜。


2.根据权利要求1所述一种非晶硅X光图像传感器，其特征在于，所述纳米防水封装膜(3)的材料成分为派瑞林C。


3.根据权利要求1所述一种非晶硅X光图像传感器，其特征在于，所述纳米防水封装膜(3)的厚度为500-600nm。


4.根据权利要求1所述一种非晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：段明浩，
申请(专利权)人：西安瀚维光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61